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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 类型 特征 基本产品编号 技术 输出类型 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 最大输出电源x @ @负载 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
IS61WV204816ALL-10BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV204816ALL-10BLI-TR -
RFQ
ECAD 4765 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-TFBGA IS61WV204816 sram-异步 1.65V〜2.2V 48-TFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 易挥发的 32Mbit 10 ns SRAM 2m x 16 平行线 10NS
IS61VPS204836B-250TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS204836B-250TQLI-TR 114.6600
RFQ
ECAD 5890 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP IS61VPS204836 sram-同步,sdr 2.375V〜2.625V 100-LQFP(14x20) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 800 250 MHz 易挥发的 72Mbit 2.8 ns SRAM 2m x 36 平行线 -
IS61LPS25636A-200TQ2LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS25636A-200TQ2LI 15.4275
RFQ
ECAD 3779 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP IS61LPS25636 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 100-LQFP(14x20) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 72 200 MHz 易挥发的 9Mbit 3.1 ns SRAM 256K x 36 平行线 -
IS43LD16640C-18BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16640C-18Bli 8.9643
RFQ
ECAD 9185 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 134-TFBGA IS43LD16640 sdram- lpddr2 -S4 1.14v〜1.95v 134-TFBGA(10x11.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 171 533 MHz 易挥发的 1Gbit 德拉姆 64m x 16 平行线 15ns
IS42RM32400H-75BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32400H-75BI-Tr -
RFQ
ECAD 9166 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-TFBGA IS42RM32400 sdram-移动 2.3v〜2.7V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 2,500 133 MHz 易挥发的 128mbit 6 ns 德拉姆 4m x 32 平行线 -
IS45S32400B-7BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32400B-7BLA1-TR -
RFQ
ECAD 6186 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-TFBGA IS45S32400 Sdram 3v〜3.6V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 2,500 143 MHz 易挥发的 128mbit 5.4 ns 德拉姆 4m x 32 平行线 -
IS46DR81280C-3DBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR81280C-3DBLA1-Tr -
RFQ
ECAD 8633 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C 〜85°C(TC) 表面安装 60-TFBGA IS46DR81280 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-TWBGA(8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 2,000 333 MHz 易挥发的 1Gbit 450 ps 德拉姆 128m x 8 平行线 15ns
IS46R16320D-5BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16320D-5BLA1-Tr 9.8250
RFQ
ECAD 3578 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 60-TFBGA IS46R16320 sdram -ddr 2.5v〜2.7V 60-tfbga(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 1,500 200 MHz 易挥发的 512Mbit 700 ps 德拉姆 32m x 16 平行线 15ns
IS25LP032D-JMLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP032D-JMLE-TR 1.0673
RFQ
ECAD 1623年 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) IS25LP032 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 800µs
IS42S16100C1-7BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100C1-7BI-Tr -
RFQ
ECAD 8672 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 60-TFBGA IS42S16100 Sdram 3v〜3.6V 60-TFBGA(6.4x10.1) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 2,500 143 MHz 易挥发的 16mbit 5.5 ns 德拉姆 1m x 16 平行线 -
IS42S16320F-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320F-7TL 12.8300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) IS42S16320 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 108 143 MHz 易挥发的 512Mbit 5.4 ns 德拉姆 32m x 16 平行线 -
IS42S32400F-7BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400F-7BL-TR 4.2932
RFQ
ECAD 9659 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 90-TFBGA IS42S32400 Sdram 3v〜3.6V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 2,500 143 MHz 易挥发的 128mbit 5.4 ns 德拉姆 4m x 32 平行线 -
IS61LV6416-8TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV6416-8TL -
RFQ
ECAD 5789 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) IS61LV6416 sram-异步 3.135v〜3.6V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2B 8542.32.0041 135 易挥发的 1Mbit 8 ns SRAM 64k x 16 平行线 8ns
IS49RL18320A-107EBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL18320A-107EBL 64.5000
RFQ
ECAD 8096 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 168-LBGA rldram 3 1.28V〜1.42V 168-FBGA((13.5x13.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS49RL18320A-107EBL Ear99 8542.32.0032 119 933 MHz 易挥发的 576Mbit 7.5 ns 德拉姆 32m x 18 平行线 -
IS61C1024AL-12TI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C1024AL-12TI-TR -
RFQ
ECAD 1400 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 32-tfsop (0.724英寸,宽度18.40mm) IS61C1024 sram-异步 4.5V〜5.5V 32-tsop i 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2B 8542.32.0041 1,500 易挥发的 1Mbit 12 ns SRAM 128K x 8 平行线 12ns
IS41LV16100B-60TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16100B-60TL -
RFQ
ECAD 6259 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) IS41LV16100 戏剧性 3v〜3.6V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 117 易挥发的 16mbit 30 ns 德拉姆 1m x 16 平行线 -
IS64LPS102436B-166B2LA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64LPS102436B-166B2LA3-TR -
RFQ
ECAD 5853 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 119-BBGA IS64LPS102436 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 119-PBGA(14x22) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 166 MHz 易挥发的 36mbit 3.8 ns SRAM 1m x 36 平行线 -
IS43TR16256B-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256B-125KBL 7.7500
RFQ
ECAD 21 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS43TR16256 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-1727 Ear99 8542.32.0036 190 800 MHz 易挥发的 4Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 16 平行线 15ns
IS42S32800G-7BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800G-7BL 6.9670
RFQ
ECAD 3519 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 不适合新设计 0°C〜70°C(TA) 表面安装 90-TFBGA IS42S32800 Sdram 3v〜3.6V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 240 143 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 8m x 32 平行线 -
IS61QDB41M36-250M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDB41M36-250M3L -
RFQ
ECAD 5697 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 在sic中停产 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-LBGA IS61QDB41 sram-同步,四边形 1.71V〜1.89V 165-LFBGA(15x17) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 105 250 MHz 易挥发的 36mbit 7.5 ns SRAM 1m x 36 平行线 -
IS42S32800D-75EBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800D-75EBL-TR -
RFQ
ECAD 8885 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 90-TFBGA IS42S32800 Sdram 3v〜3.6V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 2,500 133 MHz 易挥发的 256Mbit 5.5 ns 德拉姆 8m x 32 平行线 -
IS43TR16128C-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128C-125KBLI 6.2144
RFQ
ECAD 7296 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 190 800 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 128m x 16 平行线 15ns
IS32AP2123-ZLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS32AP2123-ZLA3 -
RFQ
ECAD 3082 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 管子 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 16-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽) d - (1 通道(单声道) 4.5V〜24V 16秒 下载 3(168)) 706-IS32AP2123-ZLA3 96 24W x 1 @ 4ohm
IS61LV5128AL-10K-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV5128AL-10K-TR -
RFQ
ECAD 1301 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 36-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) IS61LV5128 sram-异步 3.135v〜3.6V 36-SOJ 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 800 易挥发的 4Mbit 10 ns SRAM 512k x 8 平行线 10NS
IS46TR16128BL-15HBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128BL-15HBLA1-TR -
RFQ
ECAD 3363 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,500 667 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 128m x 16 平行线 15ns
IS41LV16257C-35TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16257C-35TLI -
RFQ
ECAD 4083 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽),40个铅 IS41LV16257 DRAM -FP 3v〜3.6V 40-tsop 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 135 易挥发的 4Mbit 18 ns 德拉姆 256K x 16 平行线 -
IS43LQ32128AL-062BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LQ32128AL-062BLI -
RFQ
ECAD 5701 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 200-WFBGA sdram- lpddr4x 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V 200-VFBGA(10x14.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS43LQ32128AL-062BLI 136 1.6 GHz 易挥发的 4Gbit 德拉姆 128m x 32 lvstl -
IS61C6416AL-12TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C6416AL-12TLI-TR 1.8501
RFQ
ECAD 5588 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) IS61C6416 sram-异步 4.5V〜5.5V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2B 8542.32.0041 1,000 易挥发的 1Mbit 12 ns SRAM 64k x 16 平行线 12ns
IS25LQ020B-JVLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ020B-JVLE -
RFQ
ECAD 3178 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 管子 过时的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IS25LQ020 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-VVSOP - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS25LQ020B-JVLE Ear99 8542.32.0071 100 104 MHz 非易失性 2Mbit 8 ns 闪光 256K x 8 Spi -Quad I/O。 800µs
IS62WV6416DBLL-45B2LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV6416DBLL-45B2LI-TR -
RFQ
ECAD 3350 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-TFBGA IS62WV6416 sram-异步 2.3v〜3.6V 48-TFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0041 2,500 易挥发的 1Mbit 45 ns SRAM 64k x 16 平行线 45ns
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    2000+

    每日平均RFQ量

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    30,000,000

    标准产品单位

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    全球制造商

  • In-stock Warehouse

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