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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 特征 | 基本产品编号 | 技术 | 输出类型 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 最大输出电源x @ @负载 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 |
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![]() | IS61WV204816ALL-10BLI-TR | - | ![]() | 4765 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | IS61WV204816 | sram-异步 | 1.65V〜2.2V | 48-TFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,500 | 易挥发的 | 32Mbit | 10 ns | SRAM | 2m x 16 | 平行线 | 10NS | |||||||
![]() | IS61VPS204836B-250TQLI-TR | 114.6600 | ![]() | 5890 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | IS61VPS204836 | sram-同步,sdr | 2.375V〜2.625V | 100-LQFP(14x20) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 250 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | 2.8 ns | SRAM | 2m x 36 | 平行线 | - | ||||||
![]() | IS61LPS25636A-200TQ2LI | 15.4275 | ![]() | 3779 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | IS61LPS25636 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 100-LQFP(14x20) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | 易挥发的 | 9Mbit | 3.1 ns | SRAM | 256K x 36 | 平行线 | - | ||||||
![]() | IS43LD16640C-18Bli | 8.9643 | ![]() | 9185 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 134-TFBGA | IS43LD16640 | sdram- lpddr2 -S4 | 1.14v〜1.95v | 134-TFBGA(10x11.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0032 | 171 | 533 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 德拉姆 | 64m x 16 | 平行线 | 15ns | |||||||
![]() | IS42RM32400H-75BI-Tr | - | ![]() | 9166 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 90-TFBGA | IS42RM32400 | sdram-移动 | 2.3v〜2.7V | 90-TFBGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 133 MHz | 易挥发的 | 128mbit | 6 ns | 德拉姆 | 4m x 32 | 平行线 | - | ||||||
![]() | IS45S32400B-7BLA1-TR | - | ![]() | 6186 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 90-TFBGA | IS45S32400 | Sdram | 3v〜3.6V | 90-TFBGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 143 MHz | 易挥发的 | 128mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 4m x 32 | 平行线 | - | ||||||
![]() | IS46DR81280C-3DBLA1-Tr | - | ![]() | 8633 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 60-TFBGA | IS46DR81280 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-TWBGA(8x10.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 333 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 450 ps | 德拉姆 | 128m x 8 | 平行线 | 15ns | ||||||
![]() | IS46R16320D-5BLA1-Tr | 9.8250 | ![]() | 3578 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 60-TFBGA | IS46R16320 | sdram -ddr | 2.5v〜2.7V | 60-tfbga(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 1,500 | 200 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 32m x 16 | 平行线 | 15ns | ||||||
![]() | IS25LP032D-JMLE-TR | 1.0673 | ![]() | 1623年 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | IS25LP032 | 闪光灯 -也不 | 2.3v〜3.6V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 133 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 闪光 | 4m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 800µs | |||||||
![]() | IS42S16100C1-7BI-Tr | - | ![]() | 8672 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 60-TFBGA | IS42S16100 | Sdram | 3v〜3.6V | 60-TFBGA(6.4x10.1) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 143 MHz | 易挥发的 | 16mbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 1m x 16 | 平行线 | - | ||||||
![]() | IS42S16320F-7TL | 12.8300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS42S16320 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 108 | 143 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 32m x 16 | 平行线 | - | ||||||
![]() | IS42S32400F-7BL-TR | 4.2932 | ![]() | 9659 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 90-TFBGA | IS42S32400 | Sdram | 3v〜3.6V | 90-TFBGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 143 MHz | 易挥发的 | 128mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 4m x 32 | 平行线 | - | ||||||
IS61LV6416-8TL | - | ![]() | 5789 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS61LV6416 | sram-异步 | 3.135v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 135 | 易挥发的 | 1Mbit | 8 ns | SRAM | 64k x 16 | 平行线 | 8ns | ||||||||
![]() | IS49RL18320A-107EBL | 64.5000 | ![]() | 8096 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 168-LBGA | rldram 3 | 1.28V〜1.42V | 168-FBGA((13.5x13.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS49RL18320A-107EBL | Ear99 | 8542.32.0032 | 119 | 933 MHz | 易挥发的 | 576Mbit | 7.5 ns | 德拉姆 | 32m x 18 | 平行线 | - | ||||||
![]() | IS61C1024AL-12TI-TR | - | ![]() | 1400 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-tfsop (0.724英寸,宽度18.40mm) | IS61C1024 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 32-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1,500 | 易挥发的 | 1Mbit | 12 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 12ns | |||||||
IS41LV16100B-60TL | - | ![]() | 6259 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS41LV16100 | 戏剧性 | 3v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 117 | 易挥发的 | 16mbit | 30 ns | 德拉姆 | 1m x 16 | 平行线 | - | ||||||||
![]() | IS64LPS102436B-166B2LA3-TR | - | ![]() | 5853 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 119-BBGA | IS64LPS102436 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 119-PBGA(14x22) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 166 MHz | 易挥发的 | 36mbit | 3.8 ns | SRAM | 1m x 36 | 平行线 | - | ||||||
![]() | IS43TR16256B-125KBL | 7.7500 | ![]() | 21 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | IS43TR16256 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA(9x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-1727 | Ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 800 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 256m x 16 | 平行线 | 15ns | |||||
![]() | IS42S32800G-7BL | 6.9670 | ![]() | 3519 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 不适合新设计 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 90-TFBGA | IS42S32800 | Sdram | 3v〜3.6V | 90-TFBGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 240 | 143 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 8m x 32 | 平行线 | - | ||||||
![]() | IS61QDB41M36-250M3L | - | ![]() | 5697 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 在sic中停产 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | IS61QDB41 | sram-同步,四边形 | 1.71V〜1.89V | 165-LFBGA(15x17) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 250 MHz | 易挥发的 | 36mbit | 7.5 ns | SRAM | 1m x 36 | 平行线 | - | ||||||
![]() | IS42S32800D-75EBL-TR | - | ![]() | 8885 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 90-TFBGA | IS42S32800 | Sdram | 3v〜3.6V | 90-TFBGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 133 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 8m x 32 | 平行线 | - | ||||||
![]() | IS43TR16128C-125KBLI | 6.2144 | ![]() | 7296 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | IS43TR16128 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA(9x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 800 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 128m x 16 | 平行线 | 15ns | ||||||
![]() | IS32AP2123-ZLA3 | - | ![]() | 3082 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 16-TSSOP (0.173英寸,4.40mm宽) | d | - | (1 通道(单声道) | 4.5V〜24V | 16秒 | 下载 | 3(168)) | 706-IS32AP2123-ZLA3 | 96 | 24W x 1 @ 4ohm | |||||||||||||||
![]() | IS61LV5128AL-10K-TR | - | ![]() | 1301 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 36-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) | IS61LV5128 | sram-异步 | 3.135v〜3.6V | 36-SOJ | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 易挥发的 | 4Mbit | 10 ns | SRAM | 512k x 8 | 平行线 | 10NS | |||||||
![]() | IS46TR16128BL-15HBLA1-TR | - | ![]() | 3363 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | IS46TR16128 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA(9x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 667 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 128m x 16 | 平行线 | 15ns | ||||||
![]() | IS41LV16257C-35TLI | - | ![]() | 4083 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽),40个铅 | IS41LV16257 | DRAM -FP | 3v〜3.6V | 40-tsop | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 135 | 易挥发的 | 4Mbit | 18 ns | 德拉姆 | 256K x 16 | 平行线 | - | |||||||
![]() | IS43LQ32128AL-062BLI | - | ![]() | 5701 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 200-WFBGA | sdram- lpddr4x | 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V | 200-VFBGA(10x14.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS43LQ32128AL-062BLI | 136 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 4Gbit | 德拉姆 | 128m x 32 | lvstl | - | ||||||||||
IS61C6416AL-12TLI-TR | 1.8501 | ![]() | 5588 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS61C6416 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 1Mbit | 12 ns | SRAM | 64k x 16 | 平行线 | 12ns | ||||||||
![]() | IS25LQ020B-JVLE | - | ![]() | 3178 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IS25LQ020 | 闪光灯 -也不 | 2.3v〜3.6V | 8-VVSOP | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS25LQ020B-JVLE | Ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 104 MHz | 非易失性 | 2Mbit | 8 ns | 闪光 | 256K x 8 | Spi -Quad I/O。 | 800µs | |||||
![]() | IS62WV6416DBLL-45B2LI-TR | - | ![]() | 3350 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | IS62WV6416 | sram-异步 | 2.3v〜3.6V | 48-TFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 2,500 | 易挥发的 | 1Mbit | 45 ns | SRAM | 64k x 16 | 平行线 | 45ns |
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