RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

（ICS）（5782）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
IS45S16400F-6TLA1	-	RFQ	3954	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS45S16400	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	108	166 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	德拉姆	4m x 16	平行线	-
IS42S16100F-6BLI-TR	-	RFQ	1025	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS42S16100	Sdram	3v〜3.6V	60-TFBGA（6.4x10.1）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	166 MHz	易挥发的	16mbit	5.5 ns	德拉姆	1m x 16	平行线	-
IS61QDPB42M36A1-500B4LI	117.1779	RFQ	1983	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-LBGA	IS61QDPB42	sram-同步，Quadp	1.71V〜1.89V	165-LFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	105	500 MHz	易挥发的	72Mbit	8.4 ns	SRAM	2m x 36	平行线	-
IS61LPS51236A-200TQLI	-	RFQ	5288	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61LPS51236	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72	200 MHz	易挥发的	18mbit	3.1 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
IS65WV102416DBLL-55CTLA3-TR	9.5667	RFQ	3902	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	IS65WV102416	sram-异步	2.2v〜3.6V	48-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,500		易挥发的	16mbit	55 ns	SRAM	1m x 16	平行线	55ns
IS45S32800J-6BLA1-Tr	7.8150	RFQ	1416	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS45S32800	Sdram	3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0024	2,500	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	32m x 8	平行线	-
IS43DR16160A-3DBL-TR	-	RFQ	6976	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	84-TFBGA	IS43DR16160	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	2,500	333 MHz	易挥发的	256Mbit	450 ps	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
IS62WV25616DALL-55TLI	-	RFQ	9279	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS62WV25616	sram-异步	1.65V〜2.2V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	55 ns	SRAM	256K x 16	平行线	55ns
IS43TR81280BL-125JBLI	-	RFQ	6041	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	IS43TR81280	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-TWBGA （8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	242	800 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 8	平行线	15ns
IS43DR81280B-3DBL	5.0116	RFQ	2916	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	不适合新设计	0°C〜70°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS43DR81280	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-TWBGA（8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	242	333 MHz	易挥发的	1Gbit	450 ps	德拉姆	128m x 8	平行线	15ns
IS63LV1024-12KL	-	RFQ	9209	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	32-bsoj（0.400英寸，10.16毫米宽）	IS63LV1024	sram-异步	3v〜3.6V	32-soj	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	21		易挥发的	1Mbit	12 ns	SRAM	128K x 8	平行线	12ns
IS25LQ032B-JBLE	-	RFQ	3137	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	IS25LQ032	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-1335	3A991B1A	8542.32.0071	90	104 MHz	非易失性	32Mbit		闪光	4m x 8	Spi -Quad I/O。	1ms
IS43LR32400F-6BLI-TR	-	RFQ	2433	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS43LR32400	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,500	166 MHz	易挥发的	128mbit	5.5 ns	德拉姆	4m x 32	平行线	15ns
IS42VM32800E-6BLI	-	RFQ	8084	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42VM32800	sdram-移动	1.7V〜1.95V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	240	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5.5 ns	德拉姆	8m x 32	平行线	-
IS42S32800D-6BI-TR	-	RFQ	9637	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42S32800	Sdram	3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	2,500	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	8m x 32	平行线	-
IS45S16320F-7CTLA1-Tr	12.6600	RFQ	8231	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS45S16320	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	1,500	143 MHz	易挥发的	512Mbit	5.4 ns	德拉姆	32m x 16	平行线	-
IS43R16320E-6BLI	7.7144	RFQ	2486	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS43R16320	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	60-tfbga（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	190	166 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
IS42VS16100C1-10TL-Tr	-	RFQ	6253	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	50-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽）	IS42VS16100	Sdram	1.7V〜1.9V	50-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	100 MHz	易挥发的	16mbit	7 ns	德拉姆	1m x 16	平行线	-
IS61NVP51236-200B3LI-Tr	-	RFQ	9052	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61NVP51236	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000	200 MHz	易挥发的	18mbit	3.1 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
IS43LR32100C-6BLI-TR	-	RFQ	6438	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS43LR32100	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,500	166 MHz	易挥发的	32Mbit	5.5 ns	德拉姆	1m x 32	平行线	12ns
IS61QDB22M18A-250M3L	-	RFQ	5459	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	在sic中停产	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	IS61QDB22	sram-同步，四边形	1.71V〜1.89V	165-LFBGA（15x17）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	105	250 MHz	易挥发的	36mbit	8.4 ns	SRAM	2m x 18	平行线	-
IS61C632A-6TQI-TR	-	RFQ	9849	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61C632	sram-异步	3.135v〜3.6V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	800	83 MHz	易挥发的	1Mbit	6 ns	SRAM	32K x 32	平行线	-
IS61NVP409618B-250B3L-Tr	120.7500	RFQ	3207	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61NVP409618	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000	250 MHz	易挥发的	72Mbit	2.8 ns	SRAM	4m x 18	平行线	-
IS46DR81280C-25DBLA1-Tr	-	RFQ	6296	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	60-TFBGA	IS46DR81280	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-TWBGA（8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	2,000	400 MHz	易挥发的	1Gbit	400 ps	德拉姆	128m x 8	平行线	15ns
IS43R16320D-6TLI	8.3985	RFQ	7474	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	IS43R16320	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	108	166 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
IS62WV25616DALL-55BLI-TR	-	RFQ	5435	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS62WV25616	sram-异步	1.65V〜2.2V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	55 ns	SRAM	256K x 16	平行线	55ns
IS46R16160F-5TLA1-Tr	4.0898	RFQ	5841	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	IS46R16160	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,500	200 MHz	易挥发的	256Mbit	700 ps	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
IS42S86400B-7TLI-TR	-	RFQ	8811	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS42S86400	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	1,500	143 MHz	易挥发的	512Mbit	5.4 ns	德拉姆	64m x 8	平行线	-
IS46TR16256ECL-125LB2LA2	-	RFQ	6142	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜105°C	表面安装	96-TFBGA		SDRAM -DDR3L	-	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS46TR16256ECL-125LB2LA2			136	800 MHz	易挥发的	4Gbit		德拉姆	512m x 8	平行线	-
IS62C256AL-45uli-Tr	1.5200	RFQ	23	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	28-SOIC （0.330英寸，8.38毫米宽）	IS62C256	sram-异步	4.5V〜5.5V	28 SOP	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	1,000		易挥发的	256kbit	45 ns	SRAM	32K x 8	平行线	45ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（ICS）（5782）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²