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（ICS）（5782）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
IS45S16400J-6BLA1-Tr	3.8792	RFQ	1787年	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS45S16400	Sdram	3v〜3.6V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,500	166 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	DRAM	4m x 16	平行线	-
IS43R16320F-5TL-Tr	2.9588	RFQ	3462	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）		sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43R16320F-5TL-Tr			1,500	200 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	DRAM	32m x 16	sstl_2	15ns
IS61DDB21M36C-300M3	-	RFQ	6171	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	IS61DDB21	Sram-同步，DDR II	1.71V〜1.89V	165-LFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	105	300 MHz	易挥发的	36mbit	8.4 ns	SRAM	1m x 36	平行线	-
IS46DR81280C-25DBLA1	-	RFQ	5282	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS46DR81280	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-TWBGA（8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	242	400 MHz	易挥发的	1Gbit	400 ps	DRAM	128m x 8	平行线	15ns
IS61LV6416-8KL	-	RFQ	7908	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-bsoj（0.400英寸，10.16mm宽度）	IS61LV6416	sram-异步	3.135v〜3.6V	44-SOJ	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	480		易挥发的	1Mbit	8 ns	SRAM	64k x 16	平行线	8ns
IS61NLF51236-7.5TQI-Tr	-	RFQ	8543	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61NLF51236	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	800	117 MHz	易挥发的	18mbit	7.5 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
IS61NLF25636A-7.5TQLI	15.4275	RFQ	8799	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61NLF25636	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72	117 MHz	易挥发的	9Mbit	7.5 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
IS62WV25616DALL -55BI -TR	-	RFQ	7111	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS62WV25616	sram-异步	1.65V〜2.2V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1		易挥发的	4Mbit	55 ns	SRAM	256K x 16	平行线	55ns
IS43R16160D-6TL	4.5300	RFQ	1808年	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	不适合新设计	0°C〜70°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	IS43R16160	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	108	166 MHz	易挥发的	256Mbit	700 ps	DRAM	16m x 16	平行线	15ns
IS42S16400J-7TLI	2.0300	RFQ	7681	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS42S16400	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	108	143 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	DRAM	4m x 16	平行线	-
IS61NLP204818A-166TQ-TR	-	RFQ	1018	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61NLP204818	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	800	166 MHz	易挥发的	36mbit	3.5 ns	SRAM	2m x 18	平行线	-
IS25WX512M-JHE-Tr	7.5600	RFQ	2425	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	24-TBGA	IS25WX512M	闪光	1.7V〜2V	24-tfbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS25WX512M-JHE-TR	3A991B1A	8542.32.0071	2,500	200 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	64m x 8	spi -octal I/o	-
IS21TF64G-JCLI	70.8800	RFQ	147	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	153-VFBGA	IS21TF64G	Flash -nand（tlc）	2.7V〜3.6V	153-VFBGA（11.5x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS21TF64G-JCLI	3A991B1A	8542.32.0071	152	200 MHz	非易失性	512Gbit		闪光	64g x 8	MMC	-
IS43LD32128B-25BPLI-Tr	12.4500	RFQ	8543	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	168-VFBGA	IS43LD32128	sdram- lpddr2 -S4	1.14v〜1.3v，1.7v〜1.95v	168-VFBGA（12x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43LD32128B-25BPLI-Tr	Ear99	8542.32.0036	1,500	400 MHz	易挥发的	4Gbit	5.5 ns	DRAM	128m x 32	HSUL_12	15ns
IS43LD32640C-25BLI	-	RFQ	5824	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	134-TFBGA		sdram- lpddr2 -S4	1.14v〜1.3v，1.7v〜1.95v	134-TFBGA（10x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43LD32640C-25BLI			171	400 MHz	易挥发的	2Gbit	5.5 ns	DRAM	64m x 32	HSUL_12	15ns
IS61LPD51236A-250B3LI-TR	20.1000	RFQ	8075	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61LPD51236	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	165-PBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000	250 MHz	易挥发的	18mbit	2.6 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
IS43LR16640A-5BL	9.4267	RFQ	9562	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS43LR16640	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	60-twbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	300	200 MHz	易挥发的	1Gbit	5 ns	DRAM	64m x 16	平行线	15ns
IS46LR32160B-6BLA1-TR	-	RFQ	9473	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS46LR32160	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	2,500	166 MHz	易挥发的	512Mbit	5.5 ns	DRAM	16m x 32	平行线	12ns
IS61NLP102418-200B3I	-	RFQ	2074	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61NLP102418	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	144	200 MHz	易挥发的	18mbit	3.1 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
IS61NLP51236-200B3I-Tr	-	RFQ	4624	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61NLP51236	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000	200 MHz	易挥发的	18mbit	3.1 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
IS25LQ020B-JBLE	-	RFQ	8405	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	IS25LQ020	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-1317	Ear99	8542.32.0071	90	104 MHz	非易失性	2Mbit		闪光	256K x 8	Spi -Quad I/O。	800µs
IS43LD32640B-18Bli-Tr	11.0850	RFQ	5098	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	134-TFBGA	IS43LD32640	sdram- lpddr2 -S4	1.14v〜1.95v	134-TFBGA（10x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000	533 MHz	易挥发的	2Gbit		DRAM	64m x 32	平行线	15ns
IS25WJ032F-JNLE	1.0600	RFQ	365	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IS25WJ032F	闪光灯 -也不	1.65V〜1.95V	8-sop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS25WJ032F-JNLE	3A991B1A	8542.32.0071	100	133 MHz	非易失性	32Mbit	6 ns	闪光	4m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	1.6ms
IS42S32160B-75EBLI	-	RFQ	9013	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42S32160	Sdram	3v〜3.6V	90-WBGA（11x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	144	133 MHz	易挥发的	512Mbit	5.5 ns	DRAM	16m x 32	平行线	-
IS42S16400F-6BL	-	RFQ	9206	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS42S16400	Sdram	3v〜3.6V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	348	166 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	DRAM	4m x 16	平行线	-
IS64LF12832EC-7.5TQLA3-Tr	9.9825	RFQ	5203	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS64LF12832	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	800	117 MHz	易挥发的	4Mbit	7.5 ns	SRAM	128K x 32	平行线	-
IS61LV25616AL-10K-TR	-	RFQ	2734	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	44-bsoj（0.400英寸，10.16mm宽度）	IS61LV25616	sram-异步	3.135v〜3.6V	44-SOJ	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	800		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	256K x 16	平行线	10NS
IS43LQ32640AL-062TBLI	10.4241	RFQ	9537	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	200-tfbga		sdram- lpddr4x	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-tfbga（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43LQ32640AL-062TBLI			136	1.6 GHz	易挥发的	2Gbit	3.5 ns	DRAM	64m x 32	lvstl	18NS
IS43TR16256A-125KBL-TR	-	RFQ	1326	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS43TR16256	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,500	800 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	DRAM	256m x 16	平行线	15ns
IS45S32400F-6BLA1	6.9670	RFQ	1821年	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS45S32400	Sdram	3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	240	166 MHz	易挥发的	128mbit	5.4 ns	DRAM	4m x 32	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（ICS）（5782）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²