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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 |
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![]() | IS61LV12816L-10BLI | - | ![]() | 8205 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | IS61LV12816 | sram-异步 | 3.135v〜3.6V | 48-TFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 易挥发的 | 2Mbit | 10 ns | SRAM | 128K x 16 | 平行线 | 10NS | |||
![]() | IS62WV1288FALL-55BLI | - | ![]() | 3427 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 36-TFBGA | IS62WV1288 | sram-异步 | 1.65V〜2.2V | 36-TFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 156 | 易挥发的 | 1Mbit | 55 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 45ns | |||
![]() | IS46TR16128CL-15HBLA1 | 6.3585 | ![]() | 5845 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | IS46TR16128 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA(9x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 667 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 128m x 16 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | IS64WV25616BLL-10BLA3 | 9.5911 | ![]() | 8528 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | IS64WV25616 | sram-异步 | 2.4v〜3.6V | 48-TFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | 易挥发的 | 4Mbit | 10 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 10NS | |||
![]() | IS42S32800J-7TLI | 7.2600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 86-tfsop(0.400英寸,10.16毫米宽) | IS42S32800 | Sdram | 3v〜3.6V | 86-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 108 | 143 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 8m x 32 | 平行线 | - | ||
![]() | IS46DR81280B-25DBLA1 | - | ![]() | 3752 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 60-TFBGA | IS46DR81280 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-TWBGA(8x10.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0032 | 242 | 400 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 400 ps | 德拉姆 | 128m x 8 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | IS46TR16128BL-15HBLA1 | - | ![]() | 5019 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | IS46TR16128 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA(9x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 667 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 128m x 16 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | IS43R16160F-5BI | - | ![]() | 7722 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 60-TFBGA | IS43R16160 | sdram -ddr | 2.3v〜2.7V | 60-tfbga(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS43R16160F-5BI | 过时的 | 242 | 200 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 16m x 16 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | IS42S32800D-6B | - | ![]() | 4230 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 90-TFBGA | IS42S32800 | Sdram | 3v〜3.6V | 90-TFBGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 240 | 166 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 8m x 32 | 平行线 | - | ||
![]() | IS25LQ032B-JNLE-TR | - | ![]() | 2322 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | IS25LQ032 | 闪光灯 -也不 | 2.3v〜3.6V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,000 | 104 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 闪光 | 4m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 1ms | |||
![]() | IS46LQ16256A-062TBLA1 | 14.3129 | ![]() | 7071 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 200-VFBGA | sdram- lpddr4 | 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V | 200-VFBGA(10x14.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS46LQ16256A-062TBLA1 | 136 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 4Gbit | 德拉姆 | 256m x 16 | lvstl | - | ||||||
![]() | IS43TR81024BL-107MBLI-TR | 21.5460 | ![]() | 4195 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-TWBGA(10x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS43TR81024BL-107MBLI-TR | 2,000 | 933 MHz | 易挥发的 | 8Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 1G x 8 | 平行线 | 15ns | |||||
![]() | IS43DR82560B-3DBL | - | ![]() | 3099 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 60-TFBGA | IS43DR82560 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-TWBGA(10.5x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 136 | 333 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 450 ps | 德拉姆 | 256m x 8 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | IS46R16320D-5BLA1 | 10.5177 | ![]() | 4008 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 不适合新设计 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 60-TFBGA | IS46R16320 | sdram -ddr | 2.5v〜2.7V | 60-tfbga(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 108 | 200 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 32m x 16 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | IS46LQ16256A-062TBLA1-TR | 12.8611 | ![]() | 9186 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 200-tfbga | sdram- lpddr4 | 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V | 200-tfbga(10x14.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS46LQ16256A-062TBLA1-TR | 2,500 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 4Gbit | 德拉姆 | 256m x 16 | lvstl | - | ||||||
![]() | IS22TF08G-JQLA1 | 18.3944 | ![]() | 9935 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LBGA | Flash -nand(pslc) | 2.7V〜3.6V | 100-LFBGA(14x18) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS22TF08G-JQLA1 | 98 | 200 MHz | 非易失性 | 64Gbit | 闪光 | 8g x 8 | EMMC_5.1 | - | ||||||
![]() | IS43TR85120AL-15HBLI | - | ![]() | 6501 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | IS43TR85120 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-TWBGA(9x10.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 220 | 667 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 512m x 8 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | IS43TR82560BL-15HBL | - | ![]() | 8015 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | IS43TR82560 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-TWBGA (8x10.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 242 | 667 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 256m x 8 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | IS43LQ32128AL-062TBLI-TR | 11.7306 | ![]() | 5703 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 200-tfbga | sdram- lpddr4x | 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V | 200-tfbga(10x14.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS43LQ32128AL-062TBLI-TR | 2,500 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 4Gbit | 德拉姆 | 128m x 32 | lvstl | - | ||||||
![]() | IS62WV2568BLL-55TLI-TR | 1.9342 | ![]() | 1131 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-tfsop (0.724英寸,宽度18.40mm) | IS62WV2568 | sram-异步 | 2.5V〜3.6V | 32-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,500 | 易挥发的 | 2Mbit | 55 ns | SRAM | 256K x 8 | 平行线 | 55ns | |||
![]() | IS25LP512M-RHLE-TR | 7.1250 | ![]() | 4406 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | IS25LP512 | 闪光灯 -也不 | 2.3v〜3.6V | 24-tfbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 133 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 1.6ms | |||
IS62WV5128DBLL-45BI | - | ![]() | 3994 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 36-TFBGA | IS62WV5128 | sram-异步 | 2.3v〜3.6V | 36-TFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 易挥发的 | 4Mbit | 45 ns | SRAM | 512k x 8 | 平行线 | 45ns | ||||
![]() | IS43R86400F-6TL-Tr | 3.0982 | ![]() | 4822 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) | sdram -ddr | 2.3v〜2.7V | 66-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS43R86400F-6TL-Tr | 1,500 | 167 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 64m x 8 | sstl_2 | 15ns | |||||
![]() | IS46LQ32640A-062TBLA2 | - | ![]() | 3190 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 200-tfbga | sdram- lpddr4 | 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V | 200-tfbga(10x14.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS46LQ32640A-062TBLA2 | 136 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 2Gbit | 德拉姆 | 64m x 32 | lvstl | - | ||||||
![]() | IS46TR16640CL-107MBLA1-TR | 3.6095 | ![]() | 4285 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | IS46TR16640 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA(9x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS46TR16640CL-107MBLA1-TR | Ear99 | 8542.32.0032 | 1,500 | 933 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 64m x 16 | 平行线 | 15ns | |
![]() | IS61WV102416FBLL-10BLI-TR | 9.6750 | ![]() | 9912 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | IS61WV102416 | sram-异步 | 2.4v〜3.6V | 48-TFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,500 | 易挥发的 | 16mbit | 10 ns | SRAM | 1m x 16 | 平行线 | 10NS | |||
![]() | IS62WV102416DBLL-55TLI-TR | 10.3600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | IS62WV102416 | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 48-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,500 | 易挥发的 | 16mbit | 55 ns | SRAM | 1m x 16 | 平行线 | 55ns | |||
![]() | IS21ES08G-JQLI | - | ![]() | 3734 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LBGA | IS21ES08 | Flash -nand (MLC) | 2.7V〜3.6V | 100-LFBGA(14x18) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS21ES08G-JQLI | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 98 | 200 MHz | 非易失性 | 64Gbit | 闪光 | 8g x 8 | EMMC | - | ||
![]() | IS25LP256E-RMLE | - | ![]() | 1856年 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | 闪光灯 -也不 | 2.3v〜3.6V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS25LP256E-RMLE | 过时的 | 1 | 166 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 50µs,1ms | ||||
![]() | IS46LD32128A-18BPLA2 | - | ![]() | 3543 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 168-VFBGA | IS46LD32128 | sdram- lpddr2 -S4 | 1.14v〜1.3v,1.7v〜1.95v | 168-VFBGA(12x12) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS46LD32128A-18BPLA2 | 过时的 | 1 | 533 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 128m x 32 | HSUL_12 | 15ns |
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