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（ICS）（5782）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	输出类型	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	功能	电压 -电源（ -vcc/vdd）	时钟频率	输出数量	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	拓扑	频率 -切换	控制功能	输出配置	输出阶段	（（（）	同步整流器	时钟同步	串行接口
IS61QDB42M18C-250M3	-	RFQ	7464	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	IS61QDB42	sram-同步，四边形		1.71V〜1.89V	165-LFBGA（15x17）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	105			250 MHz		易挥发的	36mbit	8.4 ns	SRAM	2m x 18	平行线	-
IS61DDB21M36C-250M3L	-	RFQ	8415	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	IS61DDB21	Sram-同步，DDR II		1.71V〜1.89V	165-LFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	105			250 MHz		易挥发的	36mbit	8.4 ns	SRAM	1m x 36	平行线	-
IS62WV12816BLL-55B2LI-TR	2.2334	RFQ	3816	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS62WV12816	sram-异步		2.5V〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,500					易挥发的	2Mbit	55 ns	SRAM	128K x 16	平行线	55ns
IS22TF16G-JQLA1	27.0504	RFQ	6494	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LBGA		Flash -nand（tlc）		2.7V〜3.6V	100-LFBGA（14x18）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS22TF16G-JQLA1			98			200 MHz		非易失性	128Gbit		闪光	16克x 8	EMMC_5.1	-
IS31PM3510-ZLS4-TR	-	RFQ	1014	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	表面安装	16-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽）			晶体管驱动器		16秒	-		3（168））			Ear99	8542.39.0001	2,500	升级，踩踏，升级/踩踏	4.5V〜55V		1								Buck，Boost，Buck-Boost	150KHz〜650KHz	死t控制，启用，频率控制，功率良好，柔和的开始，柔和的开始	积极的	1	95.5％	不	是的	-
IS45S16160J-7BLA2	4.7663	RFQ	2946	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS45S16160	Sdram		3v〜3.6V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	348			143 MHz		易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	-
IS62WVS1288FBLL-20NLI	2.5017	RFQ	6604	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IS62WVS1288	sram-同步，sdr		2.2v〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	100			20 MHz		易挥发的	1Mbit		SRAM	128K x 8	Spi -Quad I/O，SDI	-
IS42VM16160K-75BLI-TR	4.9021	RFQ	7673	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS42VM16160	sdram-移动		1.7V〜1.95V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	2,500			133 MHz		易挥发的	256Mbit	6 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	-
IS49NLC36800-33WBLI	-	RFQ	9373	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	144-TFBGA	IS49NLC36800	rldram 2		1.7V〜1.9V	144-twbga（11x18.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	104			300 MHz		易挥发的	288Mbit	20 ns	德拉姆	8m x 36	平行线	-
IS43LD32640B-18BL-TR	9.5850	RFQ	3536	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	134-TFBGA	IS43LD32640	sdram- lpddr2 -S4		1.14v〜1.95v	134-TFBGA（10x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000			533 MHz		易挥发的	2Gbit		德拉姆	64m x 32	平行线	15ns
IS46LQ32128AL-062TBLA2	-	RFQ	5854	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	200-VFBGA		sdram- lpddr4x		1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-VFBGA（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS46LQ32128AL-062TBLA2			136			1.6 GHz		易挥发的	4Gbit	3.5 ns	德拉姆	128m x 32	lvstl	18NS
IS46DR16640B-3DBLA2-TR	9.9300	RFQ	6754	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	84-TFBGA	IS46DR16640	SDRAM -DDR2		1.7V〜1.9V	84-TWBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	2,500			333 MHz		易挥发的	1Gbit	450 ps	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS46TR16512S2DL-125KBLA2	-	RFQ	2787	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	96-LFBGA	IS46TR16512	SDRAM -DDR3L		1.283V〜1.45V	96-LWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS46TR16512S2DL-125KBLA2	Ear99	8542.32.0036	136			800 MHz		易挥发的	8Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 16	平行线	15ns
IS25LP256E-RHLA3	4.2135	RFQ	7477	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	24-TBGA		闪存-SLC）		2.3v〜3.6V	24-tfbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS25LP256E-RHLA3			480			166 MHz		非易失性	256Mbit	6.5 ns	闪光	32m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	50µs，1ms
IS43LR16640C-6BLI-TR	7.1820	RFQ	5302	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA		sdram- lpddr		1.7V〜1.95V	60-tfbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43LR16640C-6BLI-TR			2,000			166 MHz		易挥发的	1Gbit	5 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS42S16800E-75ETL	-	RFQ	3635	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS42S16800	Sdram		3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	108			133 MHz		易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	-
IS25LP256D-RMLE-TY	4.1076	RFQ	9943	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）		闪光灯 -也不		2.3v〜3.6V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS25LP256D-RMLE-TY			176			166 MHz		非易失性	256Mbit		闪光	32m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	40µs，800µs
IS65WV25616ECLL-45CTLA3	-	RFQ	9200	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS65WV25616	sram-异步		3.135V〜3.465V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1					易挥发的	4Mbit	45 ns	SRAM	256K x 16	平行线	45ns
IS46TR16128C-125KBLA25	7.0633	RFQ	4324	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜115°C（TC）	表面安装	96-TFBGA		SDRAM -DDR3		1.425V〜1.575V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS46TR16128C-125KBLA25			190			800 MHz		易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
IS42S81600D-7TL	-	RFQ	9643	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS42S81600	Sdram		3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	108			143 MHz		易挥发的	128mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 8	平行线	-
IS61WV6416DBLL-10TLI	2.4900	RFQ	1	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS61WV6416	sram-异步		2.4v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	135					易挥发的	1Mbit	10 ns	SRAM	64k x 16	平行线	10NS
IS62WVS5128FALL-16NLI-TR	-	RFQ	5691	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IS62WVS5128	sram-同步，sdr		1.65V〜2.2V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS62WVS5128FALL-16NLI-TR	3A991B2A	8542.32.0041	100			16 MHz		易挥发的	4Mbit		SRAM	512k x 8	Spi -Quad I/O。	-
IS62WV20488BLL-25TLI-TR	18.0000	RFQ	9540	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS62WV20488	sram-异步		2.4v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000					易挥发的	16mbit	25 ns	SRAM	2m x 8	平行线	25ns
IS46TR16512BL-125KBLA1-TR	21.6125	RFQ	4230	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA		SDRAM -DDR3L		1.283V〜1.45V	96-TWBGA（10x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS46TR16512BL-125KBLA1-TR			2,000			800 MHz		易挥发的	8Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 16	平行线	15ns
IS46LD32640B-25BLA1-TR	-	RFQ	8659	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	上次购买	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	134-TFBGA		sdram- lpddr2 -S4		1.14v〜1.3v，1.7v〜1.95v	134-TFBGA（10x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS46LD32640B-25BLA1-TR			1			400 MHz		易挥发的	2Gbit	5.5 ns	德拉姆	64m x 32	HSUL_12	15ns
IS61WV25616EDBLL-10BLI	4.2400	RFQ	480	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS61WV25616	sram-异步		2.4v〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	480					易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	256K x 16	平行线	10NS
IS66WVO32M8DBLL-133BLI-TR	4.4904	RFQ	5826	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA		PSRAM （伪 SRAM）		2.7V〜3.6V	24-tfbga（6x8）	-	rohs3符合条件	3（168））		706-IS66WVO32M8DBLL-133BLI-TR			2,500			133 MHz		易挥发的	256Mbit		PSRAM	32m x 8	spi -octal I/o	37.5ns
IS43TR16128AL-125KBLI-TR	-	RFQ	5163	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS43TR16128	SDRAM -DDR3L		1.283V〜1.45V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,500			800 MHz		易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
IS42VM32100D-6BLI	2.5287	RFQ	7874	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42VM32100	sdram-移动		1.7V〜1.95V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	348			166 MHz		易挥发的	32Mbit	5.5 ns	德拉姆	1m x 32	平行线	-
IS25WP040E-JNLE	0.3196	RFQ	4772	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	IS25WP040	闪光灯 -也不		1.7V〜1.95V	8-sop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS25WP040E-JNLE	Ear99	8542.32.0071	100			104 MHz		非易失性	4Mbit	8 ns	闪光	512k x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	1.2ms

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（ICS）（5782）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²