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（ICS）（5782）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	频率	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	电流 -输出 /通道	时钟频率	输出数量	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面	内部开关	拓扑	电压 -电源（最大）	昏暗	电压 -电源（最小）	电压 -输出
IS21TF08G-JQLI-TR	-	RFQ	5695	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）		表面安装	100-LBGA		IS21TF08G		Flash -nand（tlc）	2.7V〜3.6V	100-LFBGA（14x18）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS21TF08G-JQLI-TR	3A991B1A	8542.32.0071	1,000		200 MHz		非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	MMC	-
IS43TR16256AL-15HBLI	-	RFQ	5204	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜95°C（TC）		表面安装	96-TFBGA		IS43TR16256		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	190		667 MHz		易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 16	平行线	15ns
IS34MW01G084-Bli	3.6500	RFQ	5673	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）		表面安装	63-VFBGA				Flash -nand（slc）	1.7V〜1.95V	63-vfbga（9x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS34MW01G084-BLI			220				非易失性	1Gbit	30 ns	闪光	128m x 8	平行线	45ns
IS61QDPB451236A-400M3LI	45.0000	RFQ	5607	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）		表面安装	165-LBGA		IS61QDPB451236		sram-同步，Quadp	1.71V〜1.89V	165-LFBGA（15x17）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	105		400 MHz		易挥发的	18mbit	8.4 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
IS21ES08GA-JCLI-TR	17.4700	RFQ	721	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）		表面安装	153-VFBGA		IS21ES08		Flash -nand （MLC）	2.7V〜3.6V	153-VFBGA（11.5x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	2,000				非易失性	64Gbit		闪光	8g x 8	EMMC	-
IS62WV51216EALL-55BLI	5.8352	RFQ	6576	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）		表面安装	48-VFBGA		IS62WV51216		sram-异步	1.65V〜2.2V	48-VFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	312				易挥发的	8mbit	55 ns	SRAM	512k x 16	平行线	55ns
IS43DR86400C-25DBLI	6.8343	RFQ	4987	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）		表面安装	60-TFBGA		IS43DR86400		SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-TWBGA（8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	242		400 MHz		易挥发的	512Mbit	400 ps	德拉姆	64m x 8	平行线	15ns
IS62WV102416DBLL-45TLI-TR	8.7750	RFQ	1898年	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）		表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）		IS62WV102416		sram-异步	2.2v〜3.6V	48-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,500				易挥发的	16mbit	45 ns	SRAM	1m x 16	平行线	45ns
IS61LV25616AL-10TLI	4.7200	RFQ	1	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）		表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）		IS61LV25616		sram-异步	3.135v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	135				易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	256K x 16	平行线	10NS
IS46LD32128B-25BPLA2-TR	-	RFQ	6181	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TC）		表面安装	168-VFBGA		IS46LD32128		sdram- lpddr2 -S4	1.14v〜1.3v，1.7v〜1.95v	168-VFBGA（12x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS46LD32128B-25BPLA2-TR	Ear99	8542.32.0036	1		400 MHz		易挥发的	4Gbit	5.5 ns	德拉姆	128m x 32	HSUL_12	15ns
IS43LD16128B-25BLI	11.0516	RFQ	3175	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	上次购买	-40°C 〜85°C（TC）		表面安装	134-TFBGA		IS43LD16128		sdram- lpddr2 -S4	1.14v〜1.95v	134-TFBGA（10x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	171		400 MHz		易挥发的	2Gbit		德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
IS61VPS51236B-200B-200B-200B-200B3LI-TR	15.6750	RFQ	6367	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）		表面安装	165-TBGA		IS61VPS51236		sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000		200 MHz		易挥发的	18mbit	3 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
IS61VF102418A-6.5B3-Tr	-	RFQ	7290	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）		表面安装	165-TBGA		IS61VF102418		sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000		133 MHz		易挥发的	18mbit	6.5 ns	SRAM	1m x 18	平行线	-
IS62WV10248HBLL-45B2LI-TR	3.8489	RFQ	6183	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）		表面安装	48-VFBGA				sram-异步	2.2v〜3.6V	48-VFBGA（6x8）	-	rohs3符合条件	3（168））		706-IS62WV10248HBLL-45B2LI-TR			2,500				易挥发的	8mbit	45 ns	SRAM	1m x 8	平行线	45ns
IS46LQ32128A-062TBLA2-TR	-	RFQ	7573	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TC）		表面安装	200-tfbga				sdram- lpddr4	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-tfbga（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS46LQ32128A-062TBLA2-TR			2,500		1.6 GHz		易挥发的	4Gbit	3.5 ns	德拉姆	128m x 32	lvstl	18NS
IS66WVQ8M4DALL-200BLI	3.8900	RFQ	340	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）		表面安装	24-TBGA		IS66WVQ8M4		PSRAM （伪 SRAM）	1.7V〜1.95V	24-tfbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS66WVQ8M4DALL-200BLI	3A991B2A	8542.32.0041	480		200 MHz		易挥发的	32Mbit		PSRAM	8m x 4	Spi -Quad I/O。	45ns
IS25WQ020-JULE-TR	-	RFQ	4204	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜105°C（TA）		表面安装	8-UFDFN暴露垫		IS25WQ020		闪光灯 -也不	1.65V〜1.95V	8-uson（2x3）	下载	rohs3符合条件	3（168））	根据要求获得可用的信息	2156-IS25WQ020-JULE-TR	Ear99	8542.32.0071	1		104 MHz		非易失性	2Mbit		闪光	256K x 8	Spi -Quad I/O。	1ms
IS46TR85120A-125KBLA2	-	RFQ	7237	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	托盘	过时的	-40°C〜105°C（TC）		表面安装	78-TFBGA		IS46TR85120		SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-TWBGA（9x10.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS46TR85120A-125KBLA2	Ear99	8542.32.0036	136		800 MHz		易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 8	平行线	15ns
IS42S83200G-6TLI-TR	6.5463	RFQ	6384	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）		表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）		IS42S83200		Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,500		166 MHz		易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	32m x 8	平行线	-
IS25LP256E-JLLE-TR	3.3357	RFQ	3906	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）		表面安装	8-WDFN暴露垫				闪存-SLC）	2.3v〜3.6V	8-wson（8x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS25LP256E-JLLE-TR			4,000		166 MHz		非易失性	256Mbit		闪光	32m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	50µs，1ms
IS25WE256E-RMLE	-	RFQ	9365	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	过时的	-40°C〜105°C（TA）		表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）				闪光灯 -也不	1.7V〜1.95V	16-Soic	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS25WE256E-RMLE	过时的		1		166 MHz		非易失性	256Mbit		闪光	32m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	50µs，2ms
IS46QR16512A-075VBLA1-TR	19.5776	RFQ	8378	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）		表面安装	96-TFBGA				SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	96-TWBGA（10x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS46QR16512A-075VBLA1-TR			2,000		1.333 GHz		易挥发的	8Gbit	18 ns	德拉姆	512m x 16	平行线	15ns
IS46QR16512A-083TBLA2	22.1643	RFQ	3600	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜105°C（TC）		表面安装	96-TFBGA				SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	96-TWBGA（10x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS46QR16512A-083TBLA2			136		1.2 GHz		易挥发的	8Gbit	18 ns	德拉姆	512m x 16	平行线	15ns
IS43LR16320C-5BLI	6.8653	RFQ	6545	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）		表面安装	60-TFBGA				sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	60-tfbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43LR16320C-5BLI			300		200 MHz		易挥发的	512Mbit	5 ns	德拉姆	32m x 16	lvcmos	15ns
IS46TR16128DL-125KBLA25	-	RFQ	9891	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜115°C（TC）		表面安装	96-TFBGA		IS46TR16128		SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS46TR16128DL-125KBLA25	Ear99	8542.32.0036	190		800 MHz		易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
IS25LX256-JHLE-TR	3.8959	RFQ	3584	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）		表面安装	24-TBGA		IS25LX256		闪光	2.7V〜3.6V	24-tfbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS25LX256-JHLE-TR	3A991B1A	8542.32.0071	2,500		133 MHz		非易失性	256Mbit		闪光	32m x 8	spi -octal I/o	-
IS43QR81024A-075VBL-TR	16.5585	RFQ	9463	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）		表面安装	78-TFBGA				SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	78-TWBGA（10x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43QR81024A-075VBL-TR			2,000		1.333 GHz		易挥发的	8Gbit	18 ns	德拉姆	1G x 8	平行线	15ns
IS25CD010-JNLE-TR	-	RFQ	3222	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TA）		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		IS25CD010		闪光	2.7V〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	3,000		100 MHz		非易失性	1Mbit		闪光	128K x 8	spi	5ms
IS34MW02G084-Bli-Tr	4.3621	RFQ	4179	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）		表面安装	63-VFBGA				Flash -nand（slc）	1.7V〜1.95V	63-vfbga（9x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS34MW02G084-Bli-Tr			2,500				非易失性	2Gbit	30 ns	闪光	256m x 8	平行线	45ns
IS31FL3719-QFLS4-Tr	-	RFQ	2943	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜125°C（TA）	通用目的	表面安装	32-WFQFN暴露垫	线性		-			32-qfn （4x4）	下载		3（168））					2,500	-		9								不	恒定电流	5.5V	i²c	2.7V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（ICS）（5782）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²