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（ICS）（5782）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
IS46TR16640B-125JBLA25	-	RFQ	5648	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	托盘	过时的	-40°C〜115°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS46TR16640	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA（9x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS46TR16640B-125JBLA25	Ear99	8542.32.0032	190	800 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS43TR16128D-107MBLI-TR	4.6838	RFQ	3585	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS43TR16128	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43TR16128D-107MBLI-TR	Ear99	8542.32.0036	1,500	933 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
IS43TR16640C-125JBL-Tr	2.7298	RFQ	7705	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS43TR16640	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43TR16640C-125JBL-TR	Ear99	8542.32.0032	1,500	800 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS46TR81280B-15GBLA2-TR	-	RFQ	8174	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	IS46TR81280	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	78-TWBGA （8x10.5）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS46TR81280B-15GBLA2-TR	Ear99	8542.32.0032	2,000	667 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 8	平行线	15ns
IS43LQ16256AL-062BLI	-	RFQ	5085	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr4x	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-VFBGA（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43LQ16256AL-062BLI			136	1.6 GHz	易挥发的	4Gbit		德拉姆	256m x 16	lvstl	-
IS61WV6416EEBLL-8TLI	2.3255	RFQ	6337	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）		sram-异步	2.4v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS61WV6416EEBLL-8TLI			135		易挥发的	1Mbit	8 ns	SRAM	64k x 16	平行线	8ns
IS43QR16512A-075VBLI-TR	17.8087	RFQ	1163	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	96-TWBGA（10x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43QR16512A-075VBLI-TR			2,000	1.333 GHz	易挥发的	8Gbit	18 ns	德拉姆	512m x 16	平行线	15ns
IS61WV25616EFBLL-10BLI-TR	2.1688	RFQ	2304	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA		sram-异步	2.4v〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	-	rohs3符合条件	3（168））		706-IS61WV25616EFBLL-10BLI-TR			2,500		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	256K x 16	平行线	10NS
IS46TR16640BL-125KBLA3-TR	-	RFQ	1598年	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜125°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS46TR16640	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA（9x13）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS46TR16640BL-125KBLA3-TR	Ear99	8542.32.0032	1,500	800 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS46LQ32128AL-062BLA2-TR	-	RFQ	8205	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	200-VFBGA		sdram- lpddr4x	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-VFBGA（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS46LQ32128AL-062BLA2-TR			2,500	1.6 GHz	易挥发的	4Gbit	3.5 ns	德拉姆	128m x 32	lvstl	18NS
IS25LP020E-JNLA3	0.4819	RFQ	2487	ISSI，综合硅解决方案	*	托盘	积极的								-	rohs3符合条件	3（168））		706-IS25LP020E-JNLA3			100
IS61WV102416DALL-12BLI	10.9618	RFQ	9943	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA		sram-异步	1.65V〜2.2V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS61WV102416DALL-12BLI			480		易挥发的	16mbit	12 ns	SRAM	1m x 16	平行线	12ns
IS25LP064D-JLLE-TR	1.2855	RFQ	8073	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-WDFN暴露垫		闪存-SLC）	2.3v〜3.6V	8-wson（8x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS25LP064D-JLLE-TR			4,000	166 MHz	非易失性	64mbit		闪光	8m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	40µs，800µs
IS43LD16256C-18BPLI-Tr	-	RFQ	1979年	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	168-VFBGA	IS43LD16256	sdram- lpddr2	1.14v〜1.3v，1.7v〜1.95v	168-VFBGA（12x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43LD16256C-18BPLI-Tr	Ear99	8542.32.0036	1	533 MHz	易挥发的	4Gbit	5.5 ns	德拉姆	256m x 16	HSUL_12	15ns
IS25CQ032-JFLE	-	RFQ	3567	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	IS25CQ032	闪光	2.7V〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	90	104 MHz	非易失性	32Mbit		闪光	4m x 8	spi	4ms
IS46LD32128B-18BPLA2	-	RFQ	3623	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	168-VFBGA	IS46LD32128	sdram- lpddr2 -S4	1.14v〜1.3v，1.7v〜1.95v	168-VFBGA（12x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS46LD32128B-18BPLA2	Ear99	8542.32.0036	1	533 MHz	易挥发的	4Gbit	5.5 ns	德拉姆	128m x 32	HSUL_12	15ns
IS43TR16512B-125KBL-TR	17.1038	RFQ	4450	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA		SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA（10x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43TR16512B-125KBL-TR			2,000	800 MHz	易挥发的	8Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 16	平行线	15ns
IS43LR32320B-6BLI	10.6723	RFQ	5322	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-LFBGA	IS43LR32320	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	90-LFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	240	166 MHz	易挥发的	64mbit	5.5 ns	德拉姆	2m x 32	平行线	15ns
IS62WV25616EBLL-45B2LI	3.9433	RFQ	2774	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA		sram-异步	2.2v〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS62WV25616EBLL-45B2LI			480		易挥发的	4Mbit	45 ns	SRAM	256K x 16	平行线	45ns
IS61WV25616EFBLL-10TLI	2.1218	RFQ	3392	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）		sram-异步	2.4v〜3.6V	44-TSOP II	-	rohs3符合条件	3（168））		706-IS61WV25616EFBLL-10TLI			135		易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	256K x 16	平行线	10NS
IS46LQ16256A-062BLA2	-	RFQ	4503	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	200-WFBGA		sdram- lpddr4	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-VFBGA（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS46LQ16256A-062BLA2			136	1.6 GHz	易挥发的	4Gbit		德拉姆	256m x 16	lvstl	-
IS46LD32128B-25BPLA1-TR	-	RFQ	7515	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	168-VFBGA	IS46LD32128	sdram- lpddr2 -S4	1.14v〜1.3v，1.7v〜1.95v	168-VFBGA（12x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS46LD32128B-25BPLA1-TR	Ear99	8542.32.0036	1	400 MHz	易挥发的	4Gbit	5.5 ns	德拉姆	128m x 32	HSUL_12	15ns
IS25WP512M-RMLA3	-	RFQ	7444	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	管子	过时的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）		闪光灯 -也不	1.7V〜1.95V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS25WP512M-RMLA3	过时的		1	133 MHz	非易失性	512Mbit	7.5 ns	闪光	64m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	50µs，2ms
IS62WV51216BLL-55TLI	7.4900	RFQ	79	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS62WV51216	sram-异步	2.5V〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	135		易挥发的	8mbit	55 ns	SRAM	512k x 16	平行线	55ns
IS46TR16512AL-125KBLA2	-	RFQ	1721年	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	托盘	过时的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	96-LFBGA	IS46TR16512	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-LFBGA（10x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS46TR16512AL-125KBLA2	Ear99	8542.32.0036	136	800 MHz	易挥发的	8Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 16	平行线	15ns
IS25WP512M-RMLE-TR	6.9993	RFQ	8481	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）		闪存-SLC）	1.7V〜1.95V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS25WP512M-RMLE-TR			1,000	112 MHz	非易失性	512Mbit		闪光	64m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	50µs，1ms
IS62WVS5128GBLL-45NLI	4.2821	RFQ	2843	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		sram-同步	2.7V〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS62WVS5128GBLL-45NLI			100	45 MHz	易挥发的	4Mbit	15 ns	SRAM	512k x 8	Spi -Quad I/O，SDI	-
IS43LD32128A-25BPL	-	RFQ	6536	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	168-VFBGA	IS43LD32128	sdram- lpddr2 -S4	1.14v〜1.3v，1.7v〜1.95v	168-VFBGA（12x12）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43LD32128A-25BPL	过时的		1	400 MHz	易挥发的	4Gbit	5.5 ns	德拉姆	128m x 32	HSUL_12	15ns
IS43TR16256BL-125KBLI	10.8600	RFQ	1	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS43TR16256	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-1732	Ear99	8542.32.0036	190	800 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 16	平行线	15ns
IS46TR16640ED-125KBLA1-TR	6.9565	RFQ	4565	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA		SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA（9x13）	-	rohs3符合条件	3（168））		706-IS46TR16640ED-125KBLA1-TR			1,500	800 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	SSTL_15	15ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（ICS）（5782）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²