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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 频率 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 电流 -输出 /通道 | 时钟频率 | 输出数量 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | 内部开关 | 拓扑 | 电压 -电源(最大) | 昏暗 | 电压 -电源(最小) | 电压 -输出 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS61WV6416EEBLL-8TLI-TR | 2.1576 | ![]() | 6089 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | sram-异步 | 2.4v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS61WV6416EEBLL-8TLI-TR | 1,000 | 易挥发的 | 1Mbit | 8 ns | SRAM | 64k x 16 | 平行线 | 8ns | |||||||||||||||||
![]() | IS25LX064-JHLA3 | 2.5064 | ![]() | 3841 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | IS25LX064 | 闪光 | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS25LX064-JHLA3 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | 非易失性 | 64mbit | 闪光 | 8m x 8 | spi -octal I/o | - | |||||||||||||
![]() | IS43TR16256BL-125KBLI | 10.8600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | IS43TR16256 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA(9x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-1732 | Ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 800 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 256m x 16 | 平行线 | 15ns | ||||||||||||
![]() | IS46TR16640ED-125KBLA1-TR | 6.9565 | ![]() | 4565 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA(9x13) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS46TR16640ED-125KBLA1-TR | 1,500 | 800 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 64m x 16 | SSTL_15 | 15ns | ||||||||||||||||
![]() | IS61WV25616EFBLL-10TLI | 2.1218 | ![]() | 3392 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | sram-异步 | 2.4v〜3.6V | 44-TSOP II | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS61WV25616EFBLL-10TLI | 135 | 易挥发的 | 4Mbit | 10 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 10NS | |||||||||||||||||
![]() | IS46LD32128B-25BPLA1-TR | - | ![]() | 7515 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 168-VFBGA | IS46LD32128 | sdram- lpddr2 -S4 | 1.14v〜1.3v,1.7v〜1.95v | 168-VFBGA(12x12) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS46LD32128B-25BPLA1-TR | Ear99 | 8542.32.0036 | 1 | 400 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 128m x 32 | HSUL_12 | 15ns | ||||||||||||
![]() | IS25WP512M-RMLA3 | - | ![]() | 7444 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 管子 | 过时的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | 闪光灯 -也不 | 1.7V〜1.95V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS25WP512M-RMLA3 | 过时的 | 1 | 133 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 7.5 ns | 闪光 | 64m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 50µs,2ms | ||||||||||||||
IS62WV51216BLL-55TLI | 7.4900 | ![]() | 79 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS62WV51216 | sram-异步 | 2.5V〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 易挥发的 | 8mbit | 55 ns | SRAM | 512k x 16 | 平行线 | 55ns | |||||||||||||||
![]() | IS46TR16512AL-125KBLA2 | - | ![]() | 1721年 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 96-LFBGA | IS46TR16512 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-LFBGA(10x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS46TR16512AL-125KBLA2 | Ear99 | 8542.32.0036 | 136 | 800 MHz | 易挥发的 | 8Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 512m x 16 | 平行线 | 15ns | ||||||||||||
![]() | IS25CQ032-JFLE | - | ![]() | 3567 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | IS25CQ032 | 闪光 | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 90 | 104 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 闪光 | 4m x 8 | spi | 4ms | ||||||||||||||
![]() | IS46LD32128B-18BPLA2 | - | ![]() | 3623 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 168-VFBGA | IS46LD32128 | sdram- lpddr2 -S4 | 1.14v〜1.3v,1.7v〜1.95v | 168-VFBGA(12x12) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS46LD32128B-18BPLA2 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1 | 533 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 128m x 32 | HSUL_12 | 15ns | ||||||||||||
![]() | IS31FL3729-TQLS4-Tr | - | ![]() | 8174 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 通用目的 | 表面安装 | 32-WFQFN暴露垫 | 线性 | 1MHz | 32-qfn (4x4) | 下载 | 3(168)) | 2,500 | - | 16 | 不 | 恒定电流 | 5.5V | PWM | 2.7V | - | |||||||||||||||||
![]() | IS62WVS5128GBLL-45NLI | 4.2821 | ![]() | 2843 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | sram-同步 | 2.7V〜3.6V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS62WVS5128GBLL-45NLI | 100 | 45 MHz | 易挥发的 | 4Mbit | 15 ns | SRAM | 512k x 8 | Spi -Quad I/O,SDI | - | |||||||||||||||
![]() | IS43TR16512B-125KBL-TR | 17.1038 | ![]() | 4450 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA(10x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS43TR16512B-125KBL-TR | 2,000 | 800 MHz | 易挥发的 | 8Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 512m x 16 | 平行线 | 15ns | ||||||||||||||||
![]() | IS25WP512M-RMLE-TR | 6.9993 | ![]() | 8481 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | 闪存-SLC) | 1.7V〜1.95V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS25WP512M-RMLE-TR | 1,000 | 112 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 50µs,1ms | |||||||||||||||||
![]() | IS43LR32320B-6BLI | 10.6723 | ![]() | 5322 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 90-LFBGA | IS43LR32320 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 90-LFBGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 240 | 166 MHz | 易挥发的 | 64mbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 2m x 32 | 平行线 | 15ns | |||||||||||||
![]() | IS62WV25616EBLL-45B2LI | 3.9433 | ![]() | 2774 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 48-TFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS62WV25616EBLL-45B2LI | 480 | 易挥发的 | 4Mbit | 45 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 45ns | |||||||||||||||||
![]() | IS61WV102416EDBLL-10TLI-TR | 11.7300 | ![]() | 5853 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | IS61WV102416 | sram-异步 | 2.4v〜3.6V | 48-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,500 | 易挥发的 | 16mbit | 10 ns | SRAM | 1m x 16 | 平行线 | 10NS | ||||||||||||||
![]() | IS43TR16512B-107MBLI-TR | 19.3382 | ![]() | 7654 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA(10x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS43TR16512B-107MBLI-TR | 2,000 | 933 MHz | 易挥发的 | 8Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 512m x 16 | 平行线 | 15ns | ||||||||||||||||
![]() | IS49NLC36800A-18WBL | 30.4983 | ![]() | 8388 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 144-TFBGA | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-twbga(11x18.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS49NLC36800A-18WBL | 104 | 533 MHz | 易挥发的 | 288Mbit | 15 ns | 德拉姆 | 8m x 36 | HSTL | - | |||||||||||||||
![]() | IS45S32200L-7TLA1 | 4.4413 | ![]() | 8148 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 86-tfsop(0.400英寸,10.16毫米宽) | IS45S32200 | Sdram | 3v〜3.6V | 86-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 MHz | 易挥发的 | 64mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 2m x 32 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS61NLF51236-7.5B3I-Tr | - | ![]() | 9297 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | IS61NLF51236 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 165-TFBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 117 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 7.5 ns | SRAM | 512k x 36 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS43LD32128A-25BPL | - | ![]() | 6536 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 168-VFBGA | IS43LD32128 | sdram- lpddr2 -S4 | 1.14v〜1.3v,1.7v〜1.95v | 168-VFBGA(12x12) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS43LD32128A-25BPL | 过时的 | 1 | 400 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 128m x 32 | HSUL_12 | 15ns | |||||||||||||
![]() | IS45S16160J-7TLA2-Tr | 4.6246 | ![]() | 2815 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS45S16160 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,500 | 143 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 16m x 16 | 平行线 | - | |||||||||||||
IS46LR16320B-6BLA2 | - | ![]() | 7438 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 60-TFBGA | IS46LR16320 | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 60-tfbga(8x10) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 300 | 166 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 32m x 16 | 平行线 | 12ns | ||||||||||||||
![]() | IS61NLP25636A-200B2LI | - | ![]() | 4783 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 119-BBGA | IS61NLP25636 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 119-PBGA(14x22) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 200 MHz | 易挥发的 | 9Mbit | 3.1 ns | SRAM | 256K x 36 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS43TR81024BL-125KBL | 20.8861 | ![]() | 8415 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-TWBGA(10x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS43TR81024BL-125KBL | 136 | 800 MHz | 易挥发的 | 8Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 1G x 8 | 平行线 | 15ns | ||||||||||||||||
![]() | IS46TR16640ED-125KBLA3-TR | - | ![]() | 8032 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA(9x13) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS46TR16640ED-125KBLA3-TR | 1,500 | 800 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 64m x 16 | SSTL_15 | 15ns | ||||||||||||||||
![]() | IS49RL18320-125EBLI | - | ![]() | 9900 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 168-LBGA | IS49RL18320 | 德拉姆 | 1.28V〜1.42V | 168-FBGA((13.5x13.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0032 | 119 | 800 MHz | 易挥发的 | 576Mbit | 10 ns | 德拉姆 | 32m x 18 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS61VPS51236A-250B3I | - | ![]() | 7959 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | IS61VPS51236 | sram-同步,sdr | 2.375V〜2.625V | 165-TFBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 250 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 2.6 ns | SRAM | 512k x 36 | 平行线 | - |
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