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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 类型 基本产品编号 频率 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 电流 -输出 /通道 时钟频率 输出数量 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面 内部开关 拓扑 电压 -电源(最大) 昏暗 电压 -电源(最小) 电压 -输出
IS61WV6416EEBLL-8TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV6416EEBLL-8TLI-TR 2.1576
RFQ
ECAD 6089 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) sram-异步 2.4v〜3.6V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS61WV6416EEBLL-8TLI-TR 1,000 易挥发的 1Mbit 8 ns SRAM 64k x 16 平行线 8ns
IS25LX064-JHLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LX064-JHLA3 2.5064
RFQ
ECAD 3841 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 24-TBGA IS25LX064 闪光 2.7V〜3.6V 24-tfbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS25LX064-JHLA3 3A991B1A 8542.32.0071 480 133 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 spi -octal I/o -
IS43TR16256BL-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256BL-125KBLI 10.8600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS43TR16256 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-1732 Ear99 8542.32.0036 190 800 MHz 易挥发的 4Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 16 平行线 15ns
IS46TR16640ED-125KBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640ED-125KBLA1-TR 6.9565
RFQ
ECAD 4565 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA(9x13) - rohs3符合条件 3(168)) 706-IS46TR16640ED-125KBLA1-TR 1,500 800 MHz 易挥发的 1Gbit 20 ns 德拉姆 64m x 16 SSTL_15 15ns
IS61WV25616EFBLL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616EFBLL-10TLI 2.1218
RFQ
ECAD 3392 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) sram-异步 2.4v〜3.6V 44-TSOP II - rohs3符合条件 3(168)) 706-IS61WV25616EFBLL-10TLI 135 易挥发的 4Mbit 10 ns SRAM 256K x 16 平行线 10NS
IS46LD32128B-25BPLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32128B-25BPLA1-TR -
RFQ
ECAD 7515 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C 〜85°C(TC) 表面安装 168-VFBGA IS46LD32128 sdram- lpddr2 -S4 1.14v〜1.3v,1.7v〜1.95v 168-VFBGA(12x12) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS46LD32128B-25BPLA1-TR Ear99 8542.32.0036 1 400 MHz 易挥发的 4Gbit 5.5 ns 德拉姆 128m x 32 HSUL_12 15ns
IS25WP512M-RMLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP512M-RMLA3 -
RFQ
ECAD 7444 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 管子 过时的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) 闪光灯 -也不 1.7V〜1.95V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS25WP512M-RMLA3 过时的 1 133 MHz 非易失性 512Mbit 7.5 ns 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 50µs,2ms
IS62WV51216BLL-55TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV51216BLL-55TLI 7.4900
RFQ
ECAD 79 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) IS62WV51216 sram-异步 2.5V〜3.6V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 135 易挥发的 8mbit 55 ns SRAM 512k x 16 平行线 55ns
IS46TR16512AL-125KBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16512AL-125KBLA2 -
RFQ
ECAD 1721年 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 托盘 过时的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 96-LFBGA IS46TR16512 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-LFBGA(10x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS46TR16512AL-125KBLA2 Ear99 8542.32.0036 136 800 MHz 易挥发的 8Gbit 20 ns 德拉姆 512m x 16 平行线 15ns
IS25CQ032-JFLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25CQ032-JFLE -
RFQ
ECAD 3567 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) IS25CQ032 闪光 2.7V〜3.6V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 90 104 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 spi 4ms
IS46LD32128B-18BPLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32128B-18BPLA2 -
RFQ
ECAD 3623 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 168-VFBGA IS46LD32128 sdram- lpddr2 -S4 1.14v〜1.3v,1.7v〜1.95v 168-VFBGA(12x12) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS46LD32128B-18BPLA2 Ear99 8542.32.0036 1 533 MHz 易挥发的 4Gbit 5.5 ns 德拉姆 128m x 32 HSUL_12 15ns
IS31FL3729-TQLS4-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS31FL3729-TQLS4-Tr -
RFQ
ECAD 8174 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 通用目的 表面安装 32-WFQFN暴露垫 线性 1MHz 32-qfn (4x4) 下载 3(168)) 2,500 - 16 恒定电流 5.5V PWM 2.7V -
IS62WVS5128GBLL-45NLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WVS5128GBLL-45NLI 4.2821
RFQ
ECAD 2843 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) sram-同步 2.7V〜3.6V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS62WVS5128GBLL-45NLI 100 45 MHz 易挥发的 4Mbit 15 ns SRAM 512k x 8 Spi -Quad I/O,SDI -
IS43TR16512B-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512B-125KBL-TR 17.1038
RFQ
ECAD 4450 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA(10x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS43TR16512B-125KBL-TR 2,000 800 MHz 易挥发的 8Gbit 20 ns 德拉姆 512m x 16 平行线 15ns
IS25WP512M-RMLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP512M-RMLE-TR 6.9993
RFQ
ECAD 8481 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) 闪存-SLC) 1.7V〜1.95V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS25WP512M-RMLE-TR 1,000 112 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 50µs,1ms
IS43LR32320B-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32320B-6BLI 10.6723
RFQ
ECAD 5322 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-LFBGA IS43LR32320 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-LFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 240 166 MHz 易挥发的 64mbit 5.5 ns 德拉姆 2m x 32 平行线 15ns
IS62WV25616EBLL-45B2LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616EBLL-45B2LI 3.9433
RFQ
ECAD 2774 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-TFBGA sram-异步 2.2v〜3.6V 48-TFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS62WV25616EBLL-45B2LI 480 易挥发的 4Mbit 45 ns SRAM 256K x 16 平行线 45ns
IS61WV102416EDBLL-10TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416EDBLL-10TLI-TR 11.7300
RFQ
ECAD 5853 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) IS61WV102416 sram-异步 2.4v〜3.6V 48-tsop i 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1,500 易挥发的 16mbit 10 ns SRAM 1m x 16 平行线 10NS
IS43TR16512B-107MBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512B-107MBLI-TR 19.3382
RFQ
ECAD 7654 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA(10x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS43TR16512B-107MBLI-TR 2,000 933 MHz 易挥发的 8Gbit 20 ns 德拉姆 512m x 16 平行线 15ns
IS49NLC36800A-18WBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC36800A-18WBL 30.4983
RFQ
ECAD 8388 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 144-TFBGA rldram 2 1.7V〜1.9V 144-twbga(11x18.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS49NLC36800A-18WBL 104 533 MHz 易挥发的 288Mbit 15 ns 德拉姆 8m x 36 HSTL -
IS45S32200L-7TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32200L-7TLA1 4.4413
RFQ
ECAD 8148 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 86-tfsop(0.400英寸,10.16毫米宽) IS45S32200 Sdram 3v〜3.6V 86-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 108 143 MHz 易挥发的 64mbit 5.4 ns 德拉姆 2m x 32 平行线 -
IS61NLF51236-7.5B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLF51236-7.5B3I-Tr -
RFQ
ECAD 9297 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 165-TBGA IS61NLF51236 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 165-TFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 117 MHz 易挥发的 18mbit 7.5 ns SRAM 512k x 36 平行线 -
IS43LD32128A-25BPL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32128A-25BPL -
RFQ
ECAD 6536 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 0°C〜85°C(TC) 表面安装 168-VFBGA IS43LD32128 sdram- lpddr2 -S4 1.14v〜1.3v,1.7v〜1.95v 168-VFBGA(12x12) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS43LD32128A-25BPL 过时的 1 400 MHz 易挥发的 4Gbit 5.5 ns 德拉姆 128m x 32 HSUL_12 15ns
IS45S16160J-7TLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16160J-7TLA2-Tr 4.6246
RFQ
ECAD 2815 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) IS45S16160 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,500 143 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 16 平行线 -
IS46LR16320B-6BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LR16320B-6BLA2 -
RFQ
ECAD 7438 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 60-TFBGA IS46LR16320 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-tfbga(8x10) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 300 166 MHz 易挥发的 512Mbit 5.5 ns 德拉姆 32m x 16 平行线 12ns
IS61NLP25636A-200B2LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP25636A-200B2LI -
RFQ
ECAD 4783 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 119-BBGA IS61NLP25636 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 119-PBGA(14x22) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 84 200 MHz 易挥发的 9Mbit 3.1 ns SRAM 256K x 36 平行线 -
IS43TR81024BL-125KBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81024BL-125KBL 20.8861
RFQ
ECAD 8415 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-TWBGA(10x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS43TR81024BL-125KBL 136 800 MHz 易挥发的 8Gbit 20 ns 德拉姆 1G x 8 平行线 15ns
IS46TR16640ED-125KBLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640ED-125KBLA3-TR -
RFQ
ECAD 8032 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TC) 表面安装 96-TFBGA SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA(9x13) - rohs3符合条件 3(168)) 706-IS46TR16640ED-125KBLA3-TR 1,500 800 MHz 易挥发的 1Gbit 20 ns 德拉姆 64m x 16 SSTL_15 15ns
IS49RL18320-125EBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL18320-125EBLI -
RFQ
ECAD 9900 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 168-LBGA IS49RL18320 德拉姆 1.28V〜1.42V 168-FBGA((13.5x13.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 119 800 MHz 易挥发的 576Mbit 10 ns 德拉姆 32m x 18 平行线 -
IS61VPS51236A-250B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS51236A-250B3I -
RFQ
ECAD 7959 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 165-TBGA IS61VPS51236 sram-同步,sdr 2.375V〜2.625V 165-TFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 144 250 MHz 易挥发的 18mbit 2.6 ns SRAM 512k x 36 平行线 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库