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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
IS25WE512M-RMLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WE512M-RMLE-TR 7.5522
RFQ
ECAD 5268 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) 闪存-SLC) 1.7V〜1.95V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS25WE512M-RMLE-TR 1,000 112 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 50µs,1ms
IS43TR16640A-15GBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640A-15GBL -
RFQ
ECAD 3643 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 在sic中停产 0°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS43TR16640 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 190 667 MHz 易挥发的 1Gbit 20 ns 德拉姆 64m x 16 平行线 15ns
IS25WE256E-RHLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WE256E-RHLA3-Tr 4.6757
RFQ
ECAD 4310 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC) 1.7V〜1.95V 24-tfbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS25WE256E-RHLA3-Tr 2,500 166 MHz 非易失性 256Mbit 5.5 ns 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 50µs,1ms
IS46TR16512A-15HBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16512A-15HBLA1-Tr -
RFQ
ECAD 2974 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-LFBGA IS46TR16512 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-LFBGA(10x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS46TR16512A-15HBLA1-TR Ear99 8542.32.0036 2,000 667 MHz 易挥发的 8Gbit 20 ns 德拉姆 512m x 16 平行线 15ns
IS43QR85120B-083RBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR85120B-083RBLI 10.6342
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ECAD 8798 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 78-TWBGA(10x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS43QR85120B-083RBLI 136 1.2 GHz 易挥发的 4Gbit 19 ns 德拉姆 512m x 8 15ns
IS46TR81280B-125JBLA25-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR81280B-125JBLA25-TR -
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ECAD 1167 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜115°C(TC) 表面安装 78-TFBGA IS46TR81280 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-TWBGA (8x10.5) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS46TR81280B-125JBLA25-TR Ear99 8542.32.0032 2,000 800 MHz 易挥发的 1Gbit 20 ns 德拉姆 128m x 8 平行线 15ns
IS46LQ16128A-062BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16128A-062BLA1-TR -
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ECAD 8979 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 200-VFBGA sdram- lpddr4 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V 200-VFBGA(10x14.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS46LQ16128A-062BLA1-TR 2,500 1.6 GHz 易挥发的 2Gbit 3.5 ns 德拉姆 128m x 16 lvstl 18NS
IS49NLS18160-33BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS18160-33BI -
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ECAD 4395 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 144-TFBGA IS49NLS18160 rldram 2 1.7V〜1.9V 144-FCBGA (11x18.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 104 300 MHz 易挥发的 288Mbit 20 ns 德拉姆 16m x 18 平行线 -
IS43TR16256A-15HBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256A-15HBL -
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ECAD 4742 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS43TR16256 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 190 667 MHz 易挥发的 4Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 16 平行线 15ns
IS43LD16256A-25BPLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16256A-25BPLI -
RFQ
ECAD 6083 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C 〜85°C(TC) 表面安装 168-VFBGA IS43LD16256 sdram- lpddr2 -S4 1.14v〜1.3v,1.7v〜1.95v 168-VFBGA(12x12) - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS43LD16256A-25BPLI 过时的 1 400 MHz 易挥发的 4Gbit 5.5 ns 德拉姆 256m x 16 HSUL_12 15ns
IS43R16800A-5TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16800A-5TL-Tr -
RFQ
ECAD 2843 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) IS43R16800 sdram -ddr 2.5v〜2.7V 66-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,500 200 MHz 易挥发的 128mbit 700 ps 德拉姆 8m x 16 平行线 15ns
IS43TR81024BL-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81024BL-125KBLI-TR 20.9076
RFQ
ECAD 9874 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-TWBGA(10x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS43TR81024BL-125KBLI-TR 2,000 800 MHz 易挥发的 8Gbit 20 ns 德拉姆 1G x 8 平行线 15ns
IS25LQ040B-JVLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ040B-JVLE -
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ECAD 9055 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 管子 过时的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) IS25LQ040 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-VVSOP - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS25LQ040B-JVLE Ear99 8542.32.0071 100 104 MHz 非易失性 4Mbit 8 ns 闪光 512k x 8 Spi -Quad I/O。 800µs
IS61NLP51236-250TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP51236-250TQLI -
RFQ
ECAD 3504 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP IS61NLP51236 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 100-LQFP(14x20) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 72 250 MHz 易挥发的 18mbit 2.6 ns SRAM 512k x 36 平行线 -
IS43LD32640C-25BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32640C-25BLI-TR -
RFQ
ECAD 9275 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C 〜85°C(TC) 表面安装 134-TFBGA sdram- lpddr2 -S4 1.14v〜1.3v,1.7v〜1.95v 134-TFBGA(10x11.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS43LD32640C-25BLI-TR 2,000 400 MHz 易挥发的 2Gbit 5.5 ns 德拉姆 64m x 32 HSUL_12 15ns
IS25LP256E-RHLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP256E-RHLA3-Tr 3.9059
RFQ
ECAD 2021 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 24-TBGA 闪存-SLC) 2.3v〜3.6V 24-tfbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS25LP256E-RHLA3-Tr 2,500 166 MHz 非易失性 256Mbit 6.5 ns 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 50µs,1ms
IS46TR16K01S2AL-125KBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16K01S2AL-125KBLA1-TR 33.1569
RFQ
ECAD 7883 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-LFBGA SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-LWBGA(10x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS46TR16K01S2AL-125KBLA1-TR 2,000 800 MHz 易挥发的 16Gbit 20 ns 德拉姆 1G x 16 平行线 15ns
IS25WX064-JHLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WX064-JHLE-TR 2.0087
RFQ
ECAD 8477 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 24-TBGA IS25WX064 闪光 1.7V〜2V 24-tfbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS25WX064-JHLE-TR 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 200 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 spi -octal I/o -
IS49RL36160-107BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL36160-107BL -
RFQ
ECAD 6300 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 168-LBGA IS49RL36160 德拉姆 1.28V〜1.42V 168-FBGA((13.5x13.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 119 933 MHz 易挥发的 576Mbit 10 ns 德拉姆 16m x 36 平行线 -
IS46TR16128DL-107MBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128DL-107MBLA2 7.1594
RFQ
ECAD 6330 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 大部分 积极的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 96-TFBGA SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS46TR16128DL-107MBLA2 190 933 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 128m x 16 平行线 15ns
IS46TR16640C-125JBLA25 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640C-125JBLA25 -
RFQ
ECAD 1451 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 -40°C〜115°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS46TR16640C-125JBLA25 Ear99 8542.32.0032 190 800 MHz 易挥发的 1Gbit 20 ns 德拉姆 64m x 16 平行线 15ns
IS49NLC93200A-25EWBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC93200A-25EWBLI 31.9177
RFQ
ECAD 4963 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 144-TFBGA rldram 2 1.7V〜1.9V 144-twbga(11x18.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS49NLC93200A-25EWBLI 104 400 MHz 易挥发的 288Mbit 15 ns 德拉姆 32m x 9 HSTL -
IS46DR81280B-25DBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR81280B-25DBLA2 -
RFQ
ECAD 8538 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 60-TFBGA IS46DR81280 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-TWBGA(8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 242 400 MHz 易挥发的 1Gbit 400 ps 德拉姆 128m x 8 平行线 15ns
IS46LR16320C-6BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LR16320C-6BLA1-Tr 10.5900
RFQ
ECAD 9111 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 60-TFBGA IS46LR16320 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-tfbga(8x10) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 2,000 166 MHz 易挥发的 512Mbit 5.5 ns 德拉姆 32m x 16 平行线 15ns
IS46TR16512BL-107MBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16512BL-107MBLA1-TR 22.7164
RFQ
ECAD 3531 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA(10x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS46TR16512BL-107MBLA1-TR 2,000 933 MHz 易挥发的 8Gbit 20 ns 德拉姆 512m x 16 平行线 15ns
IS25LP256E-JLLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP256E-JLLA3-Tr 3.9524
RFQ
ECAD 9455 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 闪存-SLC) 2.3v〜3.6V 8-wson(8x6) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS25LP256E-JLLA3-TR 4,000 166 MHz 非易失性 256Mbit 6.5 ns 闪光 32m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 50µs,1ms
IS43LD16256C-25BPLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16256C-25BPLI -
RFQ
ECAD 8675 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 -40°C 〜85°C(TC) 表面安装 168-VFBGA IS43LD16256 sdram- lpddr2 1.14v〜1.3v,1.7v〜1.95v 168-VFBGA(12x12) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS43LD16256C-25BPLI Ear99 8542.32.0036 1 400 MHz 易挥发的 4Gbit 5.5 ns 德拉姆 256m x 16 HSUL_12 15ns
IS46QR81024A-083TBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46QR81024A-083TBLA1-TR 17.8353
RFQ
ECAD 5447 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 78-TWBGA(10x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS46QR81024A-083TBLA1-TR 2,000 1.2 GHz 易挥发的 8Gbit 18 ns 德拉姆 1G x 8 平行线 15ns
IS62WV10248HBLL-45TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV10248HBLL-45TLI-TR 3.8443
RFQ
ECAD 1023 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) sram-异步 2.2v〜3.6V 44-TSOP II - rohs3符合条件 3(168)) 706-IS62WV10248HBLL-45TLI-TR 1,000 易挥发的 8mbit 45 ns SRAM 1m x 8 平行线 45ns
IS46QR16512A-075VBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46QR16512A-075VBLA2-TR 21.5460
RFQ
ECAD 8851 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 96-TFBGA SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 96-TWBGA(10x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS46QR16512A-075VBLA2-TR 2,000 1.333 GHz 易挥发的 8Gbit 18 ns 德拉姆 512m x 16 平行线 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库