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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 频率 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 电流 -输出 /通道 | 时钟频率 | 输出数量 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | 内部开关 | 拓扑 | 电压 -电源(最大) | 昏暗 | 电压 -电源(最小) | 电压 -输出 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS43DR16320E-3DBL-TR | 2.2990 | ![]() | 1458 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 84-TFBGA | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TWBGA(8x12.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS43DR16320E-3DBL-TR | 2,500 | 333 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 450 ps | 德拉姆 | 32m x 16 | SSTL_18 | 15ns | ||||||||||||||||
![]() | IS45S16400F-6TLA1-Tr | - | ![]() | 1528年 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS45S16400 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 1,500 | 166 MHz | 易挥发的 | 64mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 4m x 16 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS31FL3716-QFLS4-Tr | - | ![]() | 4732 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 通用目的 | 表面安装 | 20-WFQFN暴露垫 | 线性 | - | 20-qfn (3x3) | 下载 | 3(168)) | 2,500 | 40mA | 7 | 不 | - | 5.5V | i²c | 2.7V | - | |||||||||||||||||
![]() | IS25LP256H-RHLE-Tr | 3.4791 | ![]() | 7285 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | 闪存-SLC) | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS25LP256H-RHLE-TR | 2,500 | 166 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 50µs,1ms | |||||||||||||||||
![]() | IS46TR16256AL-125KBLA25 | - | ![]() | 4967 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜115°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | IS46TR16256 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA(9x13) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS46TR16256AL-125KBLA25 | Ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 800 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 256m x 16 | 平行线 | 15ns | ||||||||||||
![]() | IS49RL36320-093EBLI | 129.6426 | ![]() | 4657 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 168-LBGA | rldram 3 | 1.28V〜1.42V | 168-FBGA((13.5x13.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS49RL36320-093EBLI | 119 | 1.066 GHz | 易挥发的 | 1.152Gbit | 8 ns | 德拉姆 | 32m x 36 | 平行线 | - | |||||||||||||||
![]() | IS46LD32128A-18BPLA1 | - | ![]() | 8575 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 过时的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 168-VFBGA | IS46LD32128 | sdram- lpddr2 -S4 | 1.14v〜1.3v,1.7v〜1.95v | 168-VFBGA(12x12) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS46LD32128A-18BPLA1 | 过时的 | 1 | 533 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 128m x 32 | HSUL_12 | 15ns | |||||||||||||
![]() | IS45S32400E-7TLA1 | - | ![]() | 9982 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 86-tfsop(0.400英寸,10.16毫米宽) | IS45S32400 | Sdram | 3v〜3.6V | 86-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 MHz | 易挥发的 | 128mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 4m x 32 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS45S32800D-7TLA1-Tr | - | ![]() | 8721 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 86-tfsop(0.400英寸,10.16毫米宽) | IS45S32400 | Sdram | 3v〜3.6V | 86-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,500 | 143 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 32m x 8 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS49NLC36160A-25WBLI | 51.8860 | ![]() | 8628 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 144-TFBGA | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-twbga(11x18.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS49NLC36160A-25WBLI | 104 | 400 MHz | 易挥发的 | 576Mbit | 20 ns | 德拉姆 | 16m x 36 | HSTL | - | |||||||||||||||
![]() | IS25WP01G-RILE-TR | 10.6799 | ![]() | 5173 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 24-LBGA | 闪存-SLC) | 1.7V〜1.95V | 24-LFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS25WP01G-RIE-Tr | 2,500 | 104 MHz | 非易失性 | 1Gbit | 10 ns | 闪光 | 128m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 50µs,1ms | ||||||||||||||||
![]() | IS66WVH8M8DALL-200B1LI-TR | 3.0653 | ![]() | 1684年 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | PSRAM (伪 SRAM) | 1.7V〜1.95V | 24-tfbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS66WVH8M8DALL-200B1LI-TR | 2,500 | 200 MHz | 易挥发的 | 64mbit | 40 ns | PSRAM | 8m x 8 | 超肥 | 400NS | ||||||||||||||||
IS41LV16100B-60TLI-Tr | - | ![]() | 4460 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS41LV16100 | 戏剧性 | 3v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 易挥发的 | 16mbit | 30 ns | 德拉姆 | 1m x 16 | 平行线 | - | |||||||||||||||
![]() | IS64WV102416FBLL-10CTLA3-TR | 17.9550 | ![]() | 3069 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | sram-异步 | 2.4v〜3.6V | 48-tsop i | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS64WV102416FBLL-10CTLA3-TR | 1,500 | 易挥发的 | 16mbit | 10 ns | SRAM | 1m x 16 | 平行线 | 10NS | |||||||||||||||||
![]() | IS43TR81024B-107MBL | 21.5163 | ![]() | 4465 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-TWBGA(10x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS43TR81024B-107MBL | 136 | 933 MHz | 易挥发的 | 8Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 1G x 8 | 平行线 | 15ns | ||||||||||||||||
![]() | IS42VM32160D-6BLI | - | ![]() | 7358 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 90-TFBGA | IS42VM32160 | sdram-移动 | 1.7V〜1.95V | 90-TFBGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 240 | 166 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 16m x 32 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS61NLP102436A-166TQLI-TR | - | ![]() | 6142 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | IS61NLP102436 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 100-LQFP(14x20) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 166 MHz | 易挥发的 | 36mbit | 3.5 ns | SRAM | 1m x 36 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS43TR16256ECL-125LB2LI-TR | - | ![]() | 4830 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C | 表面安装 | 96-BGA | SDRAM -DDR3L | - | 96-BGA | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS43TR16256ECL-125LB2LI-TR | 2,000 | 800 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 德拉姆 | 256m x 16 | 平行线 | - | |||||||||||||||||
![]() | IS62C256-70U | - | ![]() | 9184 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 管子 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 28 SOP | IS62C256 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28 SOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 25 | 易挥发的 | 256kbit | 70 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 70NS | ||||||||||||||
![]() | IS62WV20488BLL-25MLI-TR | 18.5250 | ![]() | 8252 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | IS62WV20488 | sram-异步 | 2.4v〜3.6V | 48-Minibga(9x11) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 易挥发的 | 16mbit | 25 ns | SRAM | 2m x 8 | 平行线 | 25ns | ||||||||||||||
![]() | IS64WV51216EEBLL-10B2LA3-TR | 11.9035 | ![]() | 8248 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | sram-异步 | 2.4v〜3.6V | 48-TFBGA(6x8) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS64WV51216EEBLL-10B2LA3-TR | 2,500 | 易挥发的 | 8mbit | 10 ns | SRAM | 512k x 16 | 平行线 | 10NS | |||||||||||||||||
![]() | IS49RL36160-107Bli | - | ![]() | 3155 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 168-LBGA | IS49RL36160 | 德拉姆 | 1.28V〜1.42V | 168-FBGA((13.5x13.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0032 | 119 | 933 MHz | 易挥发的 | 576Mbit | 10 ns | 德拉姆 | 16m x 36 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS61VPD51236A-200B3 | - | ![]() | 8309 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | IS61VPD51236 | sram-四边形端口,同步 | 2.375V〜2.625V | 165-PBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 200 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 3.1 ns | SRAM | 512k x 36 | 平行线 | - | |||||||||||||
IS25LP040E-JYLE-TR | 0.4500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-UFDFN暴露垫 | IS25LP040 | 闪光灯 -也不 | 2.3v〜3.6V | 8-uson(2x3) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS25LP040E-JYLE-TR | Ear99 | 8542.32.0071 | 5,000 | 104 MHz | 非易失性 | 4Mbit | 8 ns | 闪光 | 512k x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 1.2ms | |||||||||||||
![]() | IS62WV2568DBLL-45HLI | - | ![]() | 9018 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-tfsop (0.465英寸,11.80mm((11.80mm)) | IS62WV2568 | sram-异步 | 2.5V〜3.6V | 32-Stsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 234 | 易挥发的 | 2Mbit | 45 ns | SRAM | 256K x 8 | 平行线 | 45ns | ||||||||||||||
![]() | IS46TR16128DL-107MBLA1 | 5.6821 | ![]() | 9504 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA(9x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS46TR16128DL-107MBLA1 | 190 | 933 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 128m x 16 | 平行线 | 15ns | ||||||||||||||||
IS62WV51216BLL-55TLI-TR | 5.7395 | ![]() | 8727 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS62WV51216 | sram-异步 | 2.5V〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 8mbit | 55 ns | SRAM | 512k x 16 | 平行线 | 55ns | |||||||||||||||
![]() | IS43QR81024A-075VBLI | 20.0067 | ![]() | 4622 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14v〜1.26v | 78-TWBGA(10x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS43QR81024A-075VBLI | 136 | 1.333 GHz | 易挥发的 | 8Gbit | 18 ns | 德拉姆 | 1G x 8 | 平行线 | 15ns | ||||||||||||||||
![]() | IS25WP064D-JBLA3 | 1.7082 | ![]() | 3023 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | 闪存-SLC) | 1.65V〜1.95V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS25WP064D-JBLA3 | 90 | 166 MHz | 非易失性 | 64mbit | 5.5 ns | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 40µs,800µs | ||||||||||||||||
![]() | IS25WE512M-RMLE-TR | 7.5522 | ![]() | 5268 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | 闪存-SLC) | 1.7V〜1.95V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS25WE512M-RMLE-TR | 1,000 | 112 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 50µs,1ms |
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