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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 频率 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 电流 -输出 /通道 | 时钟频率 | 输出数量 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | 内部开关 | 拓扑 | 电压 -电源(最大) | 昏暗 | 电压 -电源(最小) | 电压 -输出 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS43TR82560DL-107MBL | 4.7419 | ![]() | 7226 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-TWBGA (8x10.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS43TR82560DL-107MBL | 242 | 933 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 256m x 8 | 平行线 | 15ns | ||||||||||||||||
![]() | IS63LV1024-8KL-Tr | - | ![]() | 2079 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 32-bsoj(0.400英寸,10.16毫米宽) | IS63LV1024 | sram-异步 | 3v〜3.6V | 32-soj | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 800 | 易挥发的 | 1Mbit | 8 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 8ns | ||||||||||||||
![]() | IS61VPS51236A-200B3 | - | ![]() | 8169 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | IS61VPS51236 | sram-同步,sdr | 2.375V〜2.625V | 165-TFBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 200 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 3.1 ns | SRAM | 512k x 36 | 平行线 | - | |||||||||||||
IS62C25616BL-45TLI-TR | - | ![]() | 4227 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS62C25616 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 4Mbit | 45 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 45ns | |||||||||||||||
![]() | IS61VF51236A-7.5TQLI | - | ![]() | 8211 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | IS61VF51236 | sram-同步,sdr | 2.375V〜2.625V | 100-LQFP(14x20) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 117 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 7.5 ns | SRAM | 512k x 36 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS42S32200L-6B | - | ![]() | 5892 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 90-TFBGA | IS42S32200 | Sdram | 3v〜3.6V | 90-TFBGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 240 | 166 MHz | 易挥发的 | 64mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 2m x 32 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS61WV102416FBLL-8TLI-TR | 10.0200 | ![]() | 4794 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | IS61WV102416 | sram-双端口,异步 | 2.4v〜3.6V | 48-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,500 | 易挥发的 | 16mbit | 8 ns | SRAM | 1m x 16 | 平行线 | 8ns | ||||||||||||||
![]() | IS43LQ32640A-062TBLI | 10.4241 | ![]() | 1335 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 200-tfbga | sdram- lpddr4 | 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V | 200-tfbga(10x14.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS43LQ32640A-062TBLI | 136 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 2Gbit | 3.5 ns | 德拉姆 | 64m x 32 | lvstl | 18NS | ||||||||||||||||
![]() | IS29GL256-70DLEB-TR | 4.8235 | ![]() | 6616 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 64-LBGA | 闪存-SLC) | 3v〜3.6V | 64-LFBGA(9x9) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS29GL256-70DLEB-TR | 2,500 | 非易失性 | 256Mbit | 70 ns | 闪光 | 32m x 8 | CFI | 70ns,200µs | |||||||||||||||||
![]() | IS46TR81024B-125KBLA1-TR | 22.9824 | ![]() | 5510 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 78-TWBGA(10x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS46TR81024B-125KBLA1-TR | 2,000 | 800 MHz | 易挥发的 | 8Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 1G x 8 | 平行线 | 15ns | ||||||||||||||||
![]() | IS43TR16256A-093NBLI | - | ![]() | 3435 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 过时的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | IS43TR16256 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA(9x13) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS43TR16256A-093NBLI | Ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 1.066 GHz | 易挥发的 | 4Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 256m x 16 | 平行线 | 15ns | ||||||||||||
![]() | IS43LD32320C-18Bli | 10.1131 | ![]() | 9960 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 134-TFBGA | IS43LD32320 | sdram- lpddr2 -S4 | 1.14v〜1.95v | 134-TFBGA(10x11.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0032 | 171 | 533 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 德拉姆 | 32m x 32 | 平行线 | 15ns | ||||||||||||||
IS63WV1288DBLL-10TLI-TR | 1.6819 | ![]() | 7061 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-SOIC(0.400英寸,10.16毫米宽) | IS63WV1288 | sram-异步 | 2.4v〜3.6V | 32-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 1Mbit | 10 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 10NS | |||||||||||||||
![]() | IS46R16160D-6BLA1 | 6.8591 | ![]() | 5634 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 不适合新设计 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 60-TFBGA | IS46R16160 | sdram -ddr | 2.3v〜2.7V | 60-tfbga(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 190 | 166 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 16m x 16 | 平行线 | 15ns | |||||||||||||
![]() | IS25WP256E-JLLE-TR | 3.4999 | ![]() | 2138 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC) | 1.7V〜1.95V | 8-wson(8x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS25WP256E-JLLE-TR | 4,000 | 166 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 50µs,1ms | |||||||||||||||||
![]() | IS61LF102418A-7.5TQ | - | ![]() | 4482 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | IS61LF102418 | sram-同步,sdr | 3.135v〜3.6V | 100-LQFP(14x20) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 117 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 7.5 ns | SRAM | 1m x 18 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS61QDPB42M36A-400M3L | 100.1770 | ![]() | 4076 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-LBGA | IS61QDPB42 | sram-同步,Quadp | 1.71V〜1.89V | 165-LFBGA(15x17) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 400 MHz | 易挥发的 | 72Mbit | 8.4 ns | SRAM | 2m x 36 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS43R16160D-5BL-Tr | 4.9021 | ![]() | 4302 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 60-TFBGA | IS43R16160 | sdram -ddr | 2.3v〜2.7V | 60-tfbga(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 200 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 16m x 16 | 平行线 | 15ns | |||||||||||||
![]() | IS43TR16128B-093NBLI-TR | - | ![]() | 5891 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | IS43TR16128 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA(9x13) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS43TR16128B-093NBLI-TR | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 1.066 GHz | 易挥发的 | 2Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 128m x 16 | 平行线 | 15ns | ||||||||||||
![]() | IS32LT3951-GRLA3-Tr | - | ![]() | 5976 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C | 汽车,照明 | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | DC DC调节器 | - | 8-SOP-EP | - | 3(168)) | 2,500 | 1.5a | 1 | 是的 | ((() | 38V | PWM | 4.5V | - | |||||||||||||||||
![]() | IS61WV25616FBLL-10TLI-TR | 2.7265 | ![]() | 8170 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | sram-异步 | 2.4v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS61WV25616FBLL-10TLI-TR | 1,000 | 易挥发的 | 4Mbit | 10 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 10NS | |||||||||||||||||
![]() | IS62WV25616ECLL-35BLI-TR | 3.6351 | ![]() | 1562 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-VFBGA | sram-异步 | 3.135V〜3.465V | 48-VFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS62WV25616ECLL-35BLI-TR | 2,500 | 易挥发的 | 4Mbit | 35 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 35ns | |||||||||||||||||
![]() | IS42S16100E-6BL | - | ![]() | 2431 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 60-TFBGA | IS42S16100 | Sdram | 3v〜3.6V | 60-TFBGA(6.4x10.1) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 117 | 166 MHz | 易挥发的 | 16mbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 1m x 16 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS31FL3717-GRLS4-TR | - | ![]() | 5686 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 通用目的 | 表面安装 | 24-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | 线性 | - | 24分 | 下载 | 3(168)) | 1,500 | 34.6mA | 9 | 不 | - | 5.5V | i²c | 2.7V | - | |||||||||||||||||
![]() | IS43LD32128C-18BPL | - | ![]() | 5109 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS43LD32128C-18BPL | Ear99 | 8542.32.0036 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IS61NLF102418B-6.5B3 | - | ![]() | 2795 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | IS61NLF102418 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 165-TFBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS61NLF102418B-6.5B3 | 过时的 | 72 | 133 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 6.5 ns | SRAM | 1m x 18 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS42S83200J-7TLI-TR | 3.0110 | ![]() | 9676 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS42S83200 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,500 | 143 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 32m x 8 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS49NLS18160A-18WBL | 30.4983 | ![]() | 4086 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 144-TFBGA | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-twbga(11x18.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS49NLS18160A-18WBL | 104 | 533 MHz | 易挥发的 | 288Mbit | 15 ns | 德拉姆 | 16m x 18 | HSTL | - | |||||||||||||||
![]() | IS21TF08G-JQLI | 19.6800 | ![]() | 471 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 100-LBGA | IS21TF08G | Flash -nand(tlc) | 2.7V〜3.6V | 100-LFBGA(14x18) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS21TF08G-JQLI | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 98 | 200 MHz | 非易失性 | 64Gbit | 闪光 | 8g x 8 | MMC | - | |||||||||||||
![]() | IS25WP512M-JLLE | 6.9715 | ![]() | 2723 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | 闪存-SLC) | 1.7V〜1.95V | 8-wson(8x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS25WP512M-JLLE | 480 | 112 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 50µs,1ms |
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