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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 时钟频率 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 |
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![]() | IS61LPS51236A-200B3LI | - | ![]() | 1667年 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | IS61LPS51236 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 165-TFBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 200 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 3.1 ns | SRAM | 512k x 36 | 平行线 | - | ||
IS43DR16320C-3DBL | 4.5800 | ![]() | 836 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 不适合新设计 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 84-TFBGA | IS43DR16320 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TWBGA(8x12.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-1203 | Ear99 | 8542.32.0028 | 209 | 333 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 450 ps | 德拉姆 | 32m x 16 | 平行线 | 15ns | ||
![]() | IS64LF25636B-7.5B3LA3 | 19.4937 | ![]() | 4730 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | sram-标准 | 3.135V〜3.465V | 165-TFBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS64LF25636B-7.5B3LA3 | 144 | 117 MHz | 易挥发的 | 9Mbit | 7.5 ns | SRAM | 256K x 36 | 平行线 | - | |||||
![]() | IS43QR85120B-075Bubli-Tr | 9.8287 | ![]() | 6290 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | SDRAM -DDR4 | 1.14v〜1.26v | 78-TWBGA(10x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS43QR85120B-075Bubli-Tr | 2,000 | 1.333 GHz | 易挥发的 | 4Gbit | 19 ns | 德拉姆 | 512m x 8 | 荚 | 15ns | |||||
![]() | IS25WP032D-JLLE-TR | 1.2584 | ![]() | 9363 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | IS25WP032 | 闪光灯 -也不 | 1.65V〜1.95V | 8-wson(8x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 133 MHz | 非易失性 | 32Mbit | 闪光 | 4m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 800µs | |||
![]() | IS43LD32128B-25BPL | - | ![]() | 6321 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 积极的 | 0°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 168-VFBGA | IS43LD32128 | sdram- lpddr2 -S4 | 1.14v〜1.3v,1.7v〜1.95v | 168-VFBGA(12x12) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS43LD32128B-25BPL | Ear99 | 8542.32.0036 | 1 | 400 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 128m x 32 | HSUL_12 | 15ns | |
IS62WV51216EALL-55TLI | 5.5197 | ![]() | 6540 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS62WV51216 | sram-异步 | 1.65V〜2.2V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | 易挥发的 | 8mbit | 55 ns | SRAM | 512k x 16 | 平行线 | 55ns | ||||
![]() | IS61LF204818B-7.5TQLI-Tr | 69.3000 | ![]() | 7267 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | IS61LF204818 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 100-LQFP(14x20) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 117 MHz | 易挥发的 | 36mbit | 7.5 ns | SRAM | 2m x 18 | 平行线 | - | ||
![]() | IS25LP256D-JLLE-TR | 3.4650 | ![]() | 4590 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | IS25LP256 | 闪光灯 -也不 | 2.3v〜3.6V | 8-wson(8x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 133 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 800µs | |||
![]() | IS43LR16160H-6BLI-TR | 4.6615 | ![]() | 6756 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 60-TFBGA | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 60-tfbga(8x10) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS43LR16160H-6BLI-TR | 2,000 | 166 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 16m x 16 | 平行线 | 15ns | |||||
![]() | IS29GL128-70SLET-TR | 4.6300 | ![]() | 1264 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 56-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | 闪存-SLC) | 3v〜3.6V | 56-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS29GL128-70SLET-TR | 800 | 非易失性 | 128mbit | 70 ns | 闪光 | 16m x 8 | CFI | 70ns,200µs | ||||||
![]() | IS29GL064-70BLED | 3.0145 | ![]() | 8077 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | * | 托盘 | 积极的 | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS29GL064-70BLED | 480 | |||||||||||||||||||
![]() | IS61WV12816EFBLL-10TLI | 3.1627 | ![]() | 8583 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | sram-异步 | 2.4v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS61WV12816EFBLL-10TLI | 135 | 易挥发的 | 2Mbit | 10 ns | SRAM | 128K x 16 | 平行线 | 10NS | ||||||
![]() | IS21ES64G-JCLI | - | ![]() | 3318 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 153-VFBGA | IS21ES64 | Flash -nand (MLC) | 2.7V〜3.6V | 153-VFBGA(11.5x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS21ES64G-JCLI | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 152 | 200 MHz | 非易失性 | 512Gbit | 闪光 | 64g x 8 | EMMC | - | ||
![]() | IS61NLF51236B-6.5TQLI | 17.5600 | ![]() | 72 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | sram-同步,ZBT | 3.135V〜3.465V | 100-LQFP(14x20) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS61NLF51236B-6.5TQLI | 72 | 133 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 6.5 ns | SRAM | 512k x 36 | 平行线 | - | ||||
![]() | IS43LQ32256A-062BLI-TR | 19.8968 | ![]() | 5145 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 200-tfbga | sdram- lpddr4 | 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V | 200-tfbga(10x14.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS43LQ32256A-062BLI-TR | 2,500 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 8Gbit | 3.5 ns | 德拉姆 | 256m x 32 | lvstl | 18NS | |||||
![]() | IS66WVH32M8DBLL-100B1LI-TR | 4.4904 | ![]() | 3214 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | PSRAM (伪 SRAM) | 2.7V〜3.6V | 24-tfbga(6x8) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS66WVH32M8DBLL-100B1LI-TR | 2,500 | 100 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 40 ns | PSRAM | 32m x 8 | 平行线 | 40ns | |||||
![]() | IS25WX256-JHLA3-Tr | 4.3800 | ![]() | 2345 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | IS25WX256 | 闪光 | 1.7V〜2V | 24-tfbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS25WX256-JHLA3-TR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 200 MHz | 非易失性 | 256Mbit | 闪光 | 32m x 8 | spi -octal I/o | - | ||
![]() | IS46LQ16128AL-062BLA2 | - | ![]() | 4289 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 200-WFBGA | sdram- lpddr4x | 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V | 200-VFBGA(10x14.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS46LQ16128AL-062BLA2 | 136 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 2Gbit | 3.5 ns | 德拉姆 | 128m x 16 | lvstl | 18NS | |||||
![]() | IS25WX128-JHLE-TR | 3.1230 | ![]() | 8705 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 24-TBGA | IS25WX128 | 闪光 | 1.7V〜2V | 24-tfbga(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS25WX128-JHLE-TR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,500 | 200 MHz | 非易失性 | 128mbit | 闪光 | 16m x 8 | spi -octal I/o | - | ||
![]() | IS62WV12816EALL-55BLI-TR | 2.6189 | ![]() | 6878 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | IS62WV12816 | sram-异步 | 1.65V〜2.2V | 48-TFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,500 | 易挥发的 | 2Mbit | 45 ns | SRAM | 128K x 16 | 平行线 | 55ns | |||
IS64WV10248BLL-10CTLA3-TR | 15.6750 | ![]() | 8679 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS64WV10248 | sram-异步 | 2.4v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 易挥发的 | 8mbit | 10 ns | SRAM | 1m x 8 | 平行线 | 10NS | ||||
![]() | IS42S16160J-6TI | - | ![]() | 8023 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS42S16160 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 108 | 166 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 16m x 16 | 平行线 | - | ||
![]() | IS61NLF102418-7.5B3I | - | ![]() | 1329 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | IS61NLF102418 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 165-TFBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 117 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 7.5 ns | SRAM | 1m x 18 | 平行线 | - | ||
![]() | IS61LPS25636A-200TQ2I | - | ![]() | 5708 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | IS61LPS25636 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 100-LQFP(14x20) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | 易挥发的 | 9Mbit | 3.1 ns | SRAM | 256K x 36 | 平行线 | - | ||
![]() | IS61WV102416FALL-20TLI | 9.5453 | ![]() | 7469 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) | sram-异步 | 1.65V〜2.2V | 48-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS61WV102416FALL-20TLI | 96 | 易挥发的 | 16mbit | 20 ns | SRAM | 1m x 16 | 平行线 | 20NS | ||||||
![]() | IS42S32160F-7TLI-TR | 12.0000 | ![]() | 9351 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 86-tfsop(0.400英寸,10.16毫米宽) | IS42S32160 | Sdram | 3v〜3.6V | 86-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 1,500 | 143 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 16m x 32 | 平行线 | - | ||
![]() | IS45VM16800H-75BLA1 | - | ![]() | 9311 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-TFBGA | IS45VM16800 | sdram-移动 | 1.7V〜1.95V | 54-tfbga(8x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 348 | 133 MHz | 易挥发的 | 128mbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 8m x 16 | 平行线 | - | ||
![]() | IS46TR16640ED-15HBLA3-TR | - | ![]() | 7457 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜125°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA(9x13) | - | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS46TR16640ED-15HBLA3-TR | 1,500 | 667 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 64m x 16 | SSTL_15 | 15ns | |||||
![]() | IS46LQ32256A-062BLA2 | 24.8268 | ![]() | 5507 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 200-tfbga | sdram- lpddr4 | 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V | 200-tfbga(10x14.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS46LQ32256A-062BLA2 | 136 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 8Gbit | 3.5 ns | 德拉姆 | 256m x 32 | lvstl | 18NS |
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