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（ICS）（5782）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
IS42S32200C1-7BLI-TR	-	RFQ	4228	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-LFBGA	IS42S32200	Sdram	3.15V〜3.45V	90-BGA（13x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,500	143 MHz	易挥发的	64mbit	5.5 ns	德拉姆	2m x 32	平行线	-
IS43LR32640A-6BLI-TR	12.4800	RFQ	8436	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-LFBGA	IS43LR32640	sdram -ddr	1.7V〜1.95V	90-WBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,500	166 MHz	易挥发的	2Gbit	5 ns	德拉姆	64m x 32	平行线	15ns
IS61LV12816L-10TLI	-	RFQ	6376	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS61LV12816	sram-异步	3.135v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	135		易挥发的	2Mbit	10 ns	SRAM	128K x 16	平行线	10NS
IS61DDB21M36-275M3	-	RFQ	2785	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	在sic中停产	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-LBGA	IS61DDB21	Sram-同步，DDR II	1.71V〜1.89V	165-LFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0002	105	275 MHz	易挥发的	36mbit		SRAM	1m x 36	平行线	-
IS42S32200C1-6TL-TR	-	RFQ	5133	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	86-tfsop（0.400英寸，10.16毫米宽）	IS42S32200	Sdram	3.15V〜3.45V	86-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,500	166 MHz	易挥发的	64mbit	5.5 ns	德拉姆	2m x 32	平行线	-
IS66WVH16M8BLL-100B1LI-TR	-	RFQ	1083	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-TBGA	IS66WVH16M8	PSRAM （伪 SRAM）	2.7V〜3.6V	24-tfbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,500	100 MHz	易挥发的	128mbit	40 ns	PSRAM	16m x 8	平行线	40ns
IS46TR16128BL-125KBLA2-TR	-	RFQ	2214	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS46TR16128	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,500	800 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
IS61WV51216EDBLL-10BLI	2000年12月12日	RFQ	5	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS61WV51216	sram-异步	2.4v〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	480		易挥发的	8mbit	10 ns	SRAM	512k x 16	平行线	10NS
IS45S16160J-6CTLA1-Tr	4.8134	RFQ	9183	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS45S16160	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,500	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	-
IS61VF51236A-7.5B3-Tr	-	RFQ	4653	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA	IS61VF51236	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000	117 MHz	易挥发的	18mbit	7.5 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
IS25LQ016B-JBLE-TR	-	RFQ	2591	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	IS25LQ016	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	2,000	104 MHz	非易失性	16mbit		闪光	2m x 8	Spi -Quad I/O。	1ms
IS42S86400D-6TL-Tr	12.9150	RFQ	6534	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS42S86400	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	1,500	166 MHz	易挥发的	512Mbit	5.4 ns	德拉姆	64m x 8	平行线	-
IS49NLS93200A-18WBLI	33.5439	RFQ	8996	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	144-TFBGA	IS49NLS93200	rldram 2	1.7V〜1.9V	144-twbga（11x18.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS49NLS93200A-18WBLI			104	533 MHz	易挥发的	288Mbit	15 ns	德拉姆	32m x 9	HSTL	-
IS43LR16800G-6BLI	4.5560	RFQ	7324	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS43LR16800	sdram- lpddr	1.7V〜1.95V	60-tfbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	300	166 MHz	易挥发的	128mbit	5.5 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	15ns
IS43TR16640CL-125JBLI	4.5200	RFQ	2	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS43TR16640	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43TR16640CL-125JBLI	Ear99	8542.32.0032	190	800 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS66WVS1M8ALL-104NLI-TR	1.8392	RFQ	9495	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		PSRAM （伪 SRAM）	1.65V〜1.95V	8-sop	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS66WVS1M8ALL-104NLI-TR			3,000	104 MHz	易挥发的	8mbit	7 ns	PSRAM	1m x 8	spi -octal I/o	-
IS46LD32640C-18BLA1	-	RFQ	1270	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	134-TFBGA		sdram- lpddr2 -S4	1.14v〜1.3v，1.7v〜1.95v	134-TFBGA（10x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS46LD32640C-18BLA1			1	533 MHz	易挥发的	2Gbit	5.5 ns	德拉姆	64m x 32	HSUL_12	15ns
IS42S16160B-6TL	-	RFQ	6528	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	54-tsop（0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS42S16160	Sdram	3v〜3.6V	54-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	108	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5.4 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	-
IS29GL128-70FLET	7.2900	RFQ	288	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	64-LBGA	IS29GL128	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	64-LFBGA（11x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS29GL128-70FLET	3A991B1A	8542.32.0071	144		非易失性	128mbit	70 ns	闪光	16m x 8	平行线	200µs
IS64WV51216EEBLL-10CT2LA3	12.6597	RFQ	5771	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜125°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）		sram-异步	2.4v〜3.6V	48-tsop i	-	rohs3符合条件	3（168））		706-IS64WV51216EEBLL-10CT2LA3			96		易挥发的	8mbit	10 ns	SRAM	512k x 16	平行线	10NS
IS42S32200L-7TL	3.4900	RFQ	13	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	86-tfsop（0.400英寸，10.16毫米宽）	IS42S32200	Sdram	3v〜3.6V	86-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-1271	Ear99	8542.32.0002	108	143 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	德拉姆	2m x 32	平行线	-
IS43LD16128C-18Bli-Tr	9.8250	RFQ	4995	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	134-TFBGA		sdram- lpddr2 -S4	1.14v〜1.3v，1.7v〜1.95v	134-TFBGA（10x11.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43LD16128C-18BLI-TR			2,000	533 MHz	易挥发的	2Gbit	5.5 ns	德拉姆	128m x 16	HSUL_12	15ns
IS49RL18640-107EBLI	120.0345	RFQ	7896	ISSI，综合硅解决方案	-	大部分	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	168-LBGA		rldram 3	1.28V〜1.42V	168-FBGA（（13.5x13.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS49RL18640-107EBLI			119	933 MHz	易挥发的	1.152Gbit	8 ns	德拉姆	64m x 18	平行线	-
IS29GL064-70TTT	2.9898	RFQ	4459	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）		闪存-SLC）	2.7V〜3.6V	48-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS29GL064-70TTET-TR			1,500		非易失性	64mbit	70 ns	闪光	4m x 16	CFI	70NS
IS66WVE4M16BLL-70BLI	-	RFQ	5183	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS66WVE4M16	PSRAM （伪 SRAM）	2.7V〜3.6V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	480		易挥发的	64mbit	70 ns	PSRAM	4m x 16	平行线	70NS
IS25LQ010B-JDLE-TR	-	RFQ	2223	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	IS25LQ010	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-tssop	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0071	3,500	104 MHz	非易失性	1Mbit		闪光	128K x 8	Spi -Quad I/O。	800µs
IS21TF64G-JQLI	71.0800	RFQ	4123	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LBGA	IS21TF64G	Flash -nand（tlc）	2.7V〜3.6V	100-LFBGA（14x18）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS21TF64G-JQLI	3A991B1A	8542.32.0071	98	200 MHz	非易失性	512Gbit		闪光	64g x 8	MMC	-
IS26KL128S-DABLI00	6.7800	RFQ	2695	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-vbga	IS26KL128	闪光灯 -也不	2.7V〜3.6V	24-vfbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS26KL128S-DABLI00	3A991B1A	8542.32.0071	338	100 MHz	非易失性	128mbit	96 ns	闪光	16m x 8	平行线	-
IS42SM16160K-6BLI-TR	5.2523	RFQ	6058	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-TFBGA	IS42SM16160	sdram-移动	2.7V〜3.6V	54-tfbga（8x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	2,500	166 MHz	易挥发的	256Mbit	5.5 ns	德拉姆	16m x 16	平行线	-
IS43QR16256B-083RBLI-TR	9.3100	RFQ	8679	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-BGA		SDRAM -DDR4	1.14v〜1.26v	96-BGA	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43QR16256B-083RBLI-TR			2,500	1.2 GHz	易挥发的	4Gbit	19 ns	德拉姆	256m x 16	荚	15ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（ICS）（5782）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²