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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
IS43LR16640C-5BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16640C-5BLI 7.9485
RFQ
ECAD 5319 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 60-TFBGA sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-tfbga(8x10) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS43LR16640C-5BLI 300 208 MHz 易挥发的 1Gbit 5 ns 德拉姆 64m x 16 平行线 14.4ns
IS43QR16256B-083RBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR16256B-083RBL-TR 8.4588
RFQ
ECAD 7224 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 96-TWBGA(7.5x13.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS43QR16256B-083RBL-TR 2,500 1.2 GHz 易挥发的 4Gbit 19 ns 德拉姆 256m x 16 15ns
IS46DR81280B-25DBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR81280B-25DBLA1-Tr -
RFQ
ECAD 6590 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 60-TFBGA IS46DR81280 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-TWBGA(8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 2,000 400 MHz 易挥发的 1Gbit 400 ps 德拉姆 128m x 8 平行线 15ns
IS61DDB42M18C-250M3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61DDB42M18C-250M3 -
RFQ
ECAD 4408 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-LBGA IS61DDB42 Sram-同步,DDR II 1.71V〜1.89V 165-LFBGA(15x17) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 105 250 MHz 易挥发的 36mbit 8.4 ns SRAM 2m x 18 平行线 -
IS62WV25616DBLL-45BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616DBLL-45BI -
RFQ
ECAD 1895年 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-TFBGA IS62WV25616 sram-异步 2.3v〜3.6V 48-TFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4Mbit 45 ns SRAM 256K x 16 平行线 45ns
IS62WVS5128FBLL-20NLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WVS5128FBLL-20NLI 4.2821
RFQ
ECAD 7980 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) sram-同步 2.2v〜3.6V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS62WVS5128FBLL-20NLI 100 20 MHz 易挥发的 4Mbit 25 ns SRAM 512k x 8 Spi -Quad I/O,SDI -
IS43TR16128D-093NBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128D-093NBL -
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ECAD 8097 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 托盘 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS43TR16128D-093NBL Ear99 8542.32.0036 190 1.066 GHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 128m x 16 平行线 15ns
IS61WV25632BLL-10BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25632BLL-10BI -
RFQ
ECAD 1194 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-TFBGA IS61WV25632 sram-异步 2.4v〜3.6V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS61WV25632BLL-10BI 过时的 240 易挥发的 8mbit 10 ns SRAM 256K x 32 平行线 10NS
IS45S16320D-6CTLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16320D-6CTLA1 21.1003
RFQ
ECAD 6964 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) IS45S16320 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 108 166 MHz 易挥发的 512Mbit 5.4 ns 德拉姆 32m x 16 平行线 -
IS42S81600E-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S81600E-6TLI-TR -
RFQ
ECAD 7927 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) IS42S81600 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,500 166 MHz 易挥发的 128mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 8 平行线 -
IS62WV5128DALL-55BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128DALL-55BI-TR -
RFQ
ECAD 1736年 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 36-TFBGA IS62WV5128 sram-异步 1.65V〜2.2V 36-TFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4Mbit 55 ns SRAM 512k x 8 平行线 55ns
IS61LV2568L-10TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV2568L-10TL -
RFQ
ECAD 6091 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) IS61LV2568 sram-异步 3.135v〜3.6V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 135 易挥发的 2Mbit 10 ns SRAM 256K x 8 平行线 10NS
IS61VPS25636A-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS25636A-200TQLI 15.4275
RFQ
ECAD 8319 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP IS61VPS25636 sram-同步,sdr 2.375V〜2.625V 100-LQFP(14x20) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 72 200 MHz 易挥发的 9Mbit 3.1 ns SRAM 256K x 36 平行线 -
IS49NLC18160-33BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC18160-33Bli -
RFQ
ECAD 6646 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 144-TFBGA IS49NLC18160 rldram 2 1.7V〜1.9V 144-twbga(11x18.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 104 300 MHz 易挥发的 288Mbit 20 ns 德拉姆 16m x 18 平行线 -
IS61QDPB41M36A-450B4I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB41M36A-450B4I -
RFQ
ECAD 9774 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 165-LBGA IS61QDPB41 sram-同步,Quadp 1.71V〜1.89V 165-LFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 105 450 MHz 易挥发的 36mbit 8.4 ns SRAM 1m x 36 平行线 -
IS62WV51216EFBLL-45TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV51216EFBLL-45TLI-TR 4.4831
RFQ
ECAD 7831 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) IS62WV51216 sram-异步 2.2v〜3.6V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 易挥发的 8mbit 45 ns SRAM 512k x 16 平行线 55ns
IS66WVH16M8BLL-100B1LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVH16M8BLL-100B1LI-TR -
RFQ
ECAD 1083 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 24-TBGA IS66WVH16M8 PSRAM (伪 SRAM) 2.7V〜3.6V 24-tfbga(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 100 MHz 易挥发的 128mbit 40 ns PSRAM 16m x 8 平行线 40ns
IS45S16160J-6CTLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16160J-6CTLA1-Tr 4.8134
RFQ
ECAD 9183 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) IS45S16160 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,500 166 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 16 平行线 -
IS42S32160B-75TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160B-75TL -
RFQ
ECAD 3510 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 86-tfsop(0.400英寸,10.16毫米宽) IS42S32160 Sdram 3v〜3.6V 86-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 144 133 MHz 易挥发的 512Mbit 5.5 ns 德拉姆 16m x 32 平行线 -
IS42S32200C1-7BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200C1-7BLI-TR -
RFQ
ECAD 4228 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-LFBGA IS42S32200 Sdram 3.15V〜3.45V 90-BGA(13x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 2,500 143 MHz 易挥发的 64mbit 5.5 ns 德拉姆 2m x 32 平行线 -
IS42S16320F-7BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320F-7BLI 14.8000
RFQ
ECAD 12 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-TFBGA IS42S16320 Sdram 3v〜3.6V 54-TW-BGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 240 143 MHz 易挥发的 512Mbit 5.4 ns 德拉姆 32m x 16 平行线 -
IS46TR16128BL-125KBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128BL-125KBLA2-TR -
RFQ
ECAD 2214 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,500 800 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 128m x 16 平行线 15ns
IS43TR81280B-125JBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81280B-125JBL -
RFQ
ECAD 6550 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA IS43TR81280 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-TWBGA (8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 242 800 MHz 易挥发的 1Gbit 20 ns 德拉姆 128m x 8 平行线 15ns
IS61WV51216EDBLL-10BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV51216EDBLL-10BLI 2000年12月12日
RFQ
ECAD 5 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-TFBGA IS61WV51216 sram-异步 2.4v〜3.6V 48-TFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 480 易挥发的 8mbit 10 ns SRAM 512k x 16 平行线 10NS
IS42RM32160E-75BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32160E-75BL-Tr 9.6450
RFQ
ECAD 2032 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 90-TFBGA IS42RM32160 sdram-移动 2.3V〜3V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 2,500 133 MHz 易挥发的 512Mbit 6 ns 德拉姆 16m x 32 平行线 -
IS62WV12816BLL-55T-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV12816BLL-55T-TR -
RFQ
ECAD 5465 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) IS62WV12816 sram-异步 2.5V〜3.6V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 易挥发的 2Mbit 55 ns SRAM 128K x 16 平行线 55ns
IS43DR16128B-3DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16128B-3DBL -
RFQ
ECAD 2859 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 0°C〜85°C(TC) 表面安装 84-TFBGA IS43DR16128 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TW-BGA(10.5x13.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 162 333 MHz 易挥发的 2Gbit 450 ps 德拉姆 128m x 16 平行线 15ns
IS61VF51236A-7.5B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VF51236A-7.5B3-Tr -
RFQ
ECAD 4653 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-TBGA IS61VF51236 sram-同步,sdr 2.375V〜2.625V 165-TFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 117 MHz 易挥发的 18mbit 7.5 ns SRAM 512k x 36 平行线 -
IS61NLP25618A-200B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP25618A-200B3I-Tr -
RFQ
ECAD 2676 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 165-TBGA IS61NLP25618 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 165-PBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 200 MHz 易挥发的 4.5mbit 3.1 ns SRAM 256K x 18 平行线 -
IS42S32200C1-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200C1-6TL-TR -
RFQ
ECAD 5133 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 86-tfsop(0.400英寸,10.16毫米宽) IS42S32200 Sdram 3.15V〜3.45V 86-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,500 166 MHz 易挥发的 64mbit 5.5 ns 德拉姆 2m x 32 平行线 -
  • Daily average RFQ Volume

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    每日平均RFQ量

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    30,000,000

    标准产品单位

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