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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 基本产品编号 | 频率 | 技术 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 电流 -输出 /通道 | 时钟频率 | 输出数量 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | 内部开关 | 拓扑 | 电压 -电源(最大) | 昏暗 | 电压 -电源(最小) | 电压 -输出 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS61NLP25636A-200TQLI | 16.0200 | ![]() | 447 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | IS61NLP25636 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 100-LQFP(14x20) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | 易挥发的 | 9Mbit | 3.1 ns | SRAM | 256K x 36 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS42S16800E-7TL | - | ![]() | 5426 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS42S16800 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 MHz | 易挥发的 | 128mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 8m x 16 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS62WV25616EBLL-45B2LI-TR | 3.7090 | ![]() | 2591 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-VFBGA | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 48-VFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS62WV25616EBLL-45B2LI-TR | 2,500 | 易挥发的 | 4Mbit | 45 ns | SRAM | 256K x 16 | 平行线 | 45ns | |||||||||||||||||
![]() | IS61NLP102436B-200B3LI | 75.4190 | ![]() | 3328 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | IS61NLP102436 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 165-TFBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 200 MHz | 易挥发的 | 36mbit | 3.1 ns | SRAM | 1m x 36 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS43TR16128C-107MBL | - | ![]() | 9271 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | IS43TR16128 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA(9x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 190 | 933 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 195 PS | 德拉姆 | 128m x 16 | 平行线 | 15ns | |||||||||||||
IS43DR16160A-37CBLI | - | ![]() | 3887 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 84-TFBGA | IS43DR16160 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TWBGA(8x12.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 209 | 266 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 500 ps | 德拉姆 | 16m x 16 | 平行线 | 15ns | ||||||||||||||
![]() | IS61NLP25636A-200B2I-Tr | - | ![]() | 6041 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 119-BBGA | IS61NLP25636 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 119-PBGA(14x22) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 200 MHz | 易挥发的 | 9Mbit | 3.1 ns | SRAM | 256K x 36 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS25LQ016-JKLE | - | ![]() | 4408 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | IS25LQ016 | 闪光灯 -也不 | 2.3v〜3.6V | 8-wson(6x5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0071 | 100 | 104 MHz | 非易失性 | 16mbit | 闪光 | 2m x 8 | Spi -Quad I/O。 | 2ms | ||||||||||||||
![]() | IS61LPS204818B-200TQLI | 80.9126 | ![]() | 5428 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | IS61LPS204818 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 100-LQFP(14x20) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | 易挥发的 | 36mbit | 3.1 ns | SRAM | 2m x 18 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS42S16160D-75EBL | - | ![]() | 4943 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 54-TFBGA | IS42S16160 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-TW-BGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 240 | 133 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 16m x 16 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS43R16320D-5BL | 8.4157 | ![]() | 5348 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 不适合新设计 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 60-TFBGA | IS43R16320 | sdram -ddr | 2.5v〜2.7V | 60-tfbga(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 190 | 200 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 32m x 16 | 平行线 | 15ns | |||||||||||||
![]() | IS61WV5128BLL-10KLI | 3.6124 | ![]() | 1180 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 管子 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 36-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) | IS61WV5128 | sram-异步 | 1.65V〜3.6V | 36-SOJ | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 19 | 易挥发的 | 4Mbit | 10 ns | SRAM | 512k x 8 | 平行线 | 10NS | ||||||||||||||
![]() | IS42SM32200M-75BLI | 3.3412 | ![]() | 1910 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 90-TFBGA | IS42SM32200 | sdram-移动 | 2.7V〜3.6V | 90-TFBGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 240 | 133 MHz | 易挥发的 | 64mbit | 6 ns | 德拉姆 | 2m x 32 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS42S16160B-7TLI-TR | - | ![]() | 8953 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS42S16160 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 1,500 | 143 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 16m x 16 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS43TR16512AL-125KBL | - | ![]() | 8568 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 过时的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-LFBGA | IS43TR16512 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-LFBGA(10x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-1461 | Ear99 | 8542.32.0036 | 136 | 800 MHz | 易挥发的 | 8Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 512m x 16 | 平行线 | 15ns | ||||||||||||
IS64WV6416DBLL-10CTLA3 | 4.5034 | ![]() | 6583 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS64WV6416 | sram-异步 | 2.4v〜3.6V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 135 | 易挥发的 | 1Mbit | 10 ns | SRAM | 64k x 16 | 平行线 | 10NS | |||||||||||||||
![]() | IS42S32400B-6BL-TR | - | ![]() | 8597 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 90-TFBGA | IS42S32400 | Sdram | 3v〜3.6V | 90-TFBGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 2,500 | 166 MHz | 易挥发的 | 128mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 4m x 32 | 平行线 | - | |||||||||||||
IS61C6416AL-12TI | - | ![]() | 5518 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS61C6416 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 44-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 135 | 易挥发的 | 1Mbit | 12 ns | SRAM | 64k x 16 | 平行线 | 12ns | |||||||||||||||
![]() | IS43LD32800B-25BLI | 5.9261 | ![]() | 5156 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 134-TFBGA | sdram- lpddr2 -S4 | 1.14v〜1.3v,1.7v〜1.95v | 134-TFBGA(10x11.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS43LD32800B-25BLI | 171 | 400 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 8m x 32 | HSUL_12 | 15ns | ||||||||||||||||
![]() | IS42S32400E-6TLI | - | ![]() | 3477 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 86-tfsop(0.400英寸,10.16毫米宽) | IS42S32400 | Sdram | 3v〜3.6V | 86-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 108 | 166 MHz | 易挥发的 | 128mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 4m x 32 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS61NLP12832A-200TQLI-TR | 7.5837 | ![]() | 6702 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | IS61NLP12832 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 100-LQFP(14x20) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 200 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 3.1 ns | SRAM | 128K x 36 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS43TR16128CL-125KBL | 4.2661 | ![]() | 2378 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 大部分 | 积极的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 96-TWBGA(9x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS43TR16128CL-125KBL | 190 | 800 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 128m x 16 | 平行线 | 15ns | ||||||||||||||||
![]() | IS62WV1288DBLL-45QLI | - | ![]() | 7442 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-SOIC (0.445“,11.30mm宽度) | IS62WV1288 | sram-异步 | 2.3v〜3.6V | 32 SOP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 84 | 易挥发的 | 1Mbit | 45 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 45ns | ||||||||||||||
![]() | IS45S16160G-6TLA1 | 6.1407 | ![]() | 6657 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 不适合新设计 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS45S16160 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 108 | 166 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 16m x 16 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS64LF12832A-7.5TQLA3 | 13.3403 | ![]() | 3723 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | IS64LF12832 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 100-LQFP(14x20) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 117 MHz | 易挥发的 | 4Mbit | 7.5 ns | SRAM | 128K x 32 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS31FL3196-QFLS2-TR | - | ![]() | 6936 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 背光 | 表面安装 | 20-WFQFN暴露垫 | 线性 | IS31FL3196 | - | 20-qfn (3x3) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 40mA | 6 | 是的 | - | 5.5V | i²c | 2.7V | - | ||||||||||||
![]() | IS63LV1024L-10JLI | - | ![]() | 5142 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 管子 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) | IS63LV1024 | sram-异步 | 3.15V〜3.45V | 32-soj | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 22 | 易挥发的 | 1Mbit | 10 ns | SRAM | 128K x 8 | 平行线 | 10NS | ||||||||||||||
![]() | IS49NLS18320-25Bli | - | ![]() | 5540 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 144-TFBGA | IS49NLS18320 | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-FCBGA (11x18.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0032 | 104 | 400 MHz | 易挥发的 | 576Mbit | 20 ns | 德拉姆 | 32m x 18 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS61NLF25618A-7.5TQLI | 8.3815 | ![]() | 2088 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | IS61NLF25618 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 100-LQFP(14x20) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 117 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 7.5 ns | SRAM | 256K x 18 | 平行线 | - | |||||||||||||
![]() | IS43DR16128A-3DBL-TR | - | ![]() | 9628 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 84-LFBGA | IS43DR16128 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-LFBGA(10.5x13.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 333 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 450 ps | 德拉姆 | 128m x 16 | 平行线 | 15ns |
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