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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 类型 | 特征 | 基本产品编号 | 频率 | 技术 | 输出类型 | 电压 -电源 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 电流 -输出 /通道 | 最大输出电源x @ @负载 | 时钟频率 | 输出数量 | 内存类型 | 内存大小 | 访QT | 内存格式 | 内存组织 | 内存界面 | 写周期t-单词,页面,页面 | 内部开关 | 拓扑 | 电压 -电源(最大) | 昏暗 | 电压 -电源(最小) | 电压 -输出 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IS25LP512MH-RMLE-TR | 6.7142 | ![]() | 2549 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) | 闪存-SLC) | 2.7V〜3.6V | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS25LP512MH-RMLE-TR | 1,000 | 166 MHz | 非易失性 | 512Mbit | 闪光 | 64m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 50µs,1ms | ||||||||||||||||||||
![]() | IS61WV204816ALL-12BLI-TR | 18.7929 | ![]() | 7769 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | sram-异步 | 1.65V〜2.2V | 48-TFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS61WV204816ALL-12BLI-TR | 2,500 | 易挥发的 | 32Mbit | 12 ns | SRAM | 2m x 16 | 平行线 | 12ns | ||||||||||||||||||||
![]() | IS49NLC18320-25EBL | - | ![]() | 9973 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 144-TFBGA | IS49NLC18320 | rldram 2 | 1.7V〜1.9V | 144-FCBGA (11x18.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0032 | 104 | 400 MHz | 易挥发的 | 576Mbit | 15 ns | 德拉姆 | 32m x 18 | 平行线 | - | ||||||||||||||||
![]() | IS45S16160G-7BLA2-Tr | 8.9700 | ![]() | 6657 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 54-TFBGA | IS45S16160 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-tfbga(8x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 2,500 | 143 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 16m x 16 | 平行线 | - | ||||||||||||||||
![]() | IS61NLP102436B-200B-200B-200B-200B3LI-Tr | 79.0500 | ![]() | 3208 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | IS61NLP102436 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 165-TFBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 200 MHz | 易挥发的 | 36mbit | 3.1 ns | SRAM | 1m x 36 | 平行线 | - | ||||||||||||||||
![]() | IS42S16400J-5BL | 1.8604 | ![]() | 9554 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 54-TFBGA | IS42S16400 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-tfbga(8x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 348 | 200 MHz | 易挥发的 | 64mbit | 4.8 ns | 德拉姆 | 4m x 16 | 平行线 | - | ||||||||||||||||
![]() | IS61C256AL-12TLI | 1.5200 | ![]() | 860 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 28-tssop (0.465英寸,11.80mm宽度) | IS61C256 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 234 | 易挥发的 | 256kbit | 12 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 12ns | |||||||||||||||||
![]() | IS25LP064A-JLLE-TR | 1.2907 | ![]() | 1376 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-WDFN暴露垫 | IS25LP064 | 闪光灯 -也不 | 2.3v〜3.6V | 8-wson(8x6) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4,000 | 133 MHz | 非易失性 | 64mbit | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI | 800µs | |||||||||||||||||
IS46DR16640B-3DBLA1-Tr | 7.9950 | ![]() | 3092 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 84-TFBGA | IS46DR16640 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TWBGA(8x12.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0032 | 2,500 | 333 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 450 ps | 德拉姆 | 64m x 16 | 平行线 | 15ns | |||||||||||||||||
![]() | IS43LD16128B-25BL-TR | 9.3750 | ![]() | 4030 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C 〜85°C(TC) | 表面安装 | 134-TFBGA | IS43LD16128 | sdram- lpddr2 -S4 | 1.14v〜1.95v | 134-TFBGA(10x11.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 400 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 德拉姆 | 128m x 16 | 平行线 | 15ns | |||||||||||||||||
![]() | IS46LQ32640AL-062BLA2-TR | - | ![]() | 6028 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 200-VFBGA | sdram- lpddr4x | 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V | 200-VFBGA(10x14.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS46LQ32640AL-062BLA2-TR | 2,500 | 1.6 GHz | 易挥发的 | 2Gbit | 3.5 ns | 德拉姆 | 64m x 32 | lvstl | 18NS | |||||||||||||||||||
![]() | IS61NLP25618A-200B3I | - | ![]() | 6157 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | IS61NLP25618 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 165-PBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 200 MHz | 易挥发的 | 4.5mbit | 3.1 ns | SRAM | 256K x 18 | 平行线 | - | ||||||||||||||||
![]() | IS42VM16800H-6BLI-TR | 4.0039 | ![]() | 5920 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-TFBGA | IS42VM16800 | sdram-移动 | 1.7V〜1.95V | 54-tfbga(8x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0002 | 2,500 | 166 MHz | 易挥发的 | 128mbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 8m x 16 | 平行线 | - | ||||||||||||||||
![]() | IS43DR86400E-25DBLI-TR | 4.9630 | ![]() | 4800 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 60-TFBGA | IS43DR86400 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-TWBGA(8x10.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 2,000 | 400 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 400 ps | 德拉姆 | 64m x 8 | 平行线 | 15ns | ||||||||||||||||
![]() | IS43TR81280CL-125JBLI-TR | 3.5251 | ![]() | 8781 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | IS43TR81280 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-TWBGA (8x10.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS43TR81280CL-125JBLI-TR | Ear99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 800 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 128m x 8 | 平行线 | 15ns | |||||||||||||||
![]() | IS42S16100E-6TLI | - | ![]() | 1787年 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 50-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽) | IS42S16100 | Sdram | 3v〜3.6V | 50-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 117 | 166 MHz | 易挥发的 | 16mbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 1m x 16 | 平行线 | - | ||||||||||||||||
![]() | IS32LT3172-GRLA3-TR | - | ![]() | 1808年 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜125°C(TA) | 汽车,照明 | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | 线性 | IS32LT3172 | - | 8-SOP-EP | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 2,500 | 200mA | 1 | 是的 | - | 42V | - | 5V | 42V | |||||||||||||||
![]() | IS31AP2010F-UTLS2-Tr | - | ![]() | 3002 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 9-Ufbga | d | depop,关机 | IS31AP2010 | (1 通道(单声道) | 2.7V〜5.5V | 9-UTQFN(1.5x1.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.33.0001 | 3,000 | 2.8W x 1 @ 4ohm | |||||||||||||||||||||
![]() | IS32LT3171-STLA3-TR | - | ![]() | 8734 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜125°C(TA) | 汽车,照明 | 表面安装 | SOT-23-6 | 线性 | IS32LT3171 | - | SOT-23-6 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 150mA | 1 | 是的 | - | 5.5V | PWM | 2.5V | 42V | |||||||||||||||
![]() | IS42S16100F-7BL-TR | - | ![]() | 1704年 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 60-TFBGA | IS42S16100 | Sdram | 3v〜3.6V | 60-TFBGA(6.4x10.1) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 143 MHz | 易挥发的 | 16mbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 1m x 16 | 平行线 | - | ||||||||||||||||
IS43DR16640B-25DBL-TR | 4.2171 | ![]() | 7060 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 84-TFBGA | IS43DR16640 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TWBGA(8x12.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0032 | 2,500 | 400 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 400 ps | 德拉姆 | 64m x 16 | 平行线 | 15ns | |||||||||||||||||
![]() | IS42S16400J-7BL | 1.8062 | ![]() | 9524 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 54-TFBGA | IS42S16400 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-tfbga(8x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 348 | 143 MHz | 易挥发的 | 64mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 4m x 16 | 平行线 | - | ||||||||||||||||
![]() | IS61LPS25636B-200TQLI | 15.3000 | ![]() | 3300 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | IS61LPS25636 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 100-LQFP(14x20) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-1538 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | 易挥发的 | 9Mbit | 3.1 ns | SRAM | 256K x 36 | 平行线 | - | |||||||||||||||
![]() | IS42S16400D-7TI-TR | - | ![]() | 8242 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS42S16400 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 1,500 | 143 MHz | 易挥发的 | 64mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 4m x 16 | 平行线 | - | ||||||||||||||||
![]() | IS43TR16512B-107MBL-TR | 17.5826 | ![]() | 3610 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA(10x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS43TR16512B-107MBL-TR | 2,000 | 933 MHz | 易挥发的 | 8Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 512m x 16 | 平行线 | 15ns | |||||||||||||||||||
![]() | IS43DR81280C-3DBL-TR | 3.0653 | ![]() | 3081 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜85°C(TC) | 表面安装 | 60-TFBGA | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 60-TWBGA(8x10.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS43DR81280C-3DBL-TR | 2,000 | 333 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 450 ps | 德拉姆 | 128m x 8 | SSTL_18 | 15ns | |||||||||||||||||||
![]() | IS43LR16640C-6BL-TR | 6.7805 | ![]() | 8290 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 60-TFBGA | sdram- lpddr | 1.7V〜1.95V | 60-tfbga(8x10) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS43LR16640C-6BL-TR | 2,000 | 166 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 5 ns | 德拉姆 | 64m x 16 | 平行线 | 15ns | |||||||||||||||||||
![]() | IS62WV51216HBLL-45B2LI-TR | 3.8489 | ![]() | 8743 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-VFBGA | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 48-VFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS62WV51216HBLL-45B2LI-TR | 2,500 | 易挥发的 | 8mbit | 45 ns | SRAM | 512k x 16 | 平行线 | 45ns | ||||||||||||||||||||
![]() | IS61NLP51236B-200B3LI | 20.7400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | IS61NLP51236 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 165-TFBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 200 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 3 ns | SRAM | 512k x 36 | 平行线 | - | ||||||||||||||||
![]() | IS61WV51232BLL-10BLI | 18.6794 | ![]() | 2691 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 90-TFBGA | IS61WV51232 | sram-异步 | 1.65V〜3.6V | 90-TFBGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 240 | 易挥发的 | 16mbit | 10 ns | SRAM | 512K x 32 | 平行线 | 10NS |
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