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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面 sic可编程
IS43LR32640B-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32640B-6BLI-TR 9.0573
RFQ
ECAD 7096 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-TFBGA sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS43LR32640B-6BLI-TR 2,500 166 MHz 易挥发的 2Gbit 5 ns 德拉姆 64m x 32 平行线 15ns
IS43TR16512B-107MBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512B-107MBL-TR 17.5826
RFQ
ECAD 3610 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA(10x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS43TR16512B-107MBL-TR 2,000 933 MHz 易挥发的 8Gbit 20 ns 德拉姆 512m x 16 平行线 15ns
IS62WV20488EBLL-55BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV20488EBLL-55BLI-TR -
RFQ
ECAD 7588 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-TFBGA IS62WV20488 sram-异步 2.2v〜3.6V 48-TFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 易挥发的 16mbit 55 ns SRAM 2m x 8 平行线 55ns
IS46TR16256B-125KBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16256B-125KBLA1-TR 7.7038
RFQ
ECAD 3832 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS46TR16256 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS46TR16256B-125KBLA1-TR Ear99 8542.32.0036 1,500 800 MHz 易挥发的 4Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 16 平行线 15ns
IS43DR16640B-25DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16640B-25DBL-TR 4.2171
RFQ
ECAD 7060 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 0°C〜70°C(TA) 表面安装 84-TFBGA IS43DR16640 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA(8x12.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 2,500 400 MHz 易挥发的 1Gbit 400 ps 德拉姆 64m x 16 平行线 15ns
IS46LD32320A-25BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32320A-25BLA2-TR -
RFQ
ECAD 6813 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 134-TFBGA IS46LD32320 sdram- lpddr2 -S4 1.14v〜1.95v 134-TFBGA(10x11.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 1200 400 MHz 易挥发的 1Gbit 德拉姆 32m x 32 平行线 15ns
IS61LV12824-10TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV12824-10TQLI-TR -
RFQ
ECAD 7913 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP IS61LV12824 sram-异步 3.135v〜3.6V 100-LQFP(14x20) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 800 易挥发的 3Mbit 10 ns SRAM 128K x 24 平行线 10NS
IS42S16100F-7BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100F-7BL-TR -
RFQ
ECAD 1704年 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 60-TFBGA IS42S16100 Sdram 3v〜3.6V 60-TFBGA(6.4x10.1) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,000 143 MHz 易挥发的 16mbit 5.5 ns 德拉姆 1m x 16 平行线 -
IS61NLP51236B-200B3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP51236B-200B3LI 20.7400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 165-TBGA IS61NLP51236 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 165-TFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 144 200 MHz 易挥发的 18mbit 3 ns SRAM 512k x 36 平行线 -
IS61WV51232BLL-10BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV51232BLL-10BLI 18.6794
RFQ
ECAD 2691 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-TFBGA IS61WV51232 sram-异步 1.65V〜3.6V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 240 易挥发的 16mbit 10 ns SRAM 512K x 32 平行线 10NS
IS42RM32400H-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32400H-6BLI 5.0466
RFQ
ECAD 1951年 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-TFBGA IS42RM32400 sdram-移动 2.3v〜2.7V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 240 166 MHz 易挥发的 128mbit 5.5 ns 德拉姆 4m x 32 平行线 -
IS42S32800B-7BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800B-7BL -
RFQ
ECAD 9231 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 90-LFBGA IS42S32800 Sdram 3v〜3.6V 90-LFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 240 143 MHz 易挥发的 256Mbit 5.5 ns 德拉姆 8m x 32 平行线 -
IS62WV5128DBLL-45BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128DBLL-45BI-TR -
RFQ
ECAD 3407 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 36-TFBGA IS62WV5128 sram-异步 2.3v〜3.6V 36-TFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1 易挥发的 4Mbit 45 ns SRAM 512k x 8 平行线 45ns
IS42SM16400K-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM16400K-6BLI-TR -
RFQ
ECAD 9882 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-TFBGA IS42SM16400 sdram-移动 3v〜3.6V 54-tfbga(8x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 2,500 166 MHz 易挥发的 64mbit 5.5 ns 德拉姆 4m x 16 平行线 -
IS42S16400D-7TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400D-7TLI-TR -
RFQ
ECAD 2596 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) IS42S16400 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,500 143 MHz 易挥发的 64mbit 5.4 ns 德拉姆 4m x 16 平行线 -
IS43TR16512A-15HBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512A-15HBLI-TR -
RFQ
ECAD 7719 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-LFBGA IS43TR16512 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-LFBGA(10x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 667 MHz 易挥发的 8Gbit 20 ns 德拉姆 512m x 16 平行线 15ns 未行业行业经验证
IS62WV5128BLL-55BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128BLL-55BI-TR -
RFQ
ECAD 2830 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 36-TFBGA IS62WV5128 sram-异步 2.5V〜3.6V 36-TFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 易挥发的 4Mbit 55 ns SRAM 512k x 8 平行线 55ns
IS43TR81280BL-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81280BL-125KBLI-TR 5.2371
RFQ
ECAD 9706 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA IS43TR81280 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-TWBGA (8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 2,000 800 MHz 易挥发的 1Gbit 20 ns 德拉姆 128m x 8 平行线 15ns
IS62WV6416ALL-55BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV6416ALL-55BLI-TR 2.8153
RFQ
ECAD 6179 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-TFBGA IS62WV6416 sram-异步 1.7V〜2.2V 48-TFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0041 2,500 易挥发的 1Mbit 55 ns SRAM 64k x 16 平行线 55ns
IS61LP6432A-133TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LP6432A-133TQLI-TR 5.4170
RFQ
ECAD 3617 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP IS61LP6432 sram-同步,sdr 3.135v〜3.6V 100-LQFP(14x20) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 800 133 MHz 易挥发的 2Mbit 4 ns SRAM 64k x 32 平行线 -
IS62WV5128EALL-55TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128EALL-55TLI-TR 4.0112
RFQ
ECAD 7838 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 32-tfsop (0.724英寸,宽度18.40mm) IS62WV5128 sram-异步 1.65V〜2.2V 32-tsop i 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1,500 易挥发的 4Mbit 55 ns SRAM 512k x 8 平行线 55ns
IS64LPS12832EC-200TQLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64LPS12832EC-200TQLA3 10.6794
RFQ
ECAD 4101 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 100-LQFP IS64LPS12832 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 100-LQFP(14x20) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 72 200 MHz 易挥发的 4Mbit 3.1 ns SRAM 128K x 32 平行线 -
IS46DR16128C-3DBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16128C-3DBLA1 13.1702
RFQ
ECAD 4168 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 84-TFBGA IS46DR16128 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA(8x12.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 209 333 MHz 易挥发的 2Gbit 450 ps 德拉姆 128m x 16 平行线 15ns
IS61NLP51236-200B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP51236-200B3I -
RFQ
ECAD 8877 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 165-TBGA IS61NLP51236 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 165-TFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 144 200 MHz 易挥发的 18mbit 3.1 ns SRAM 512k x 36 平行线 -
IS42S32160A-75B-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160A-75B-Tr -
RFQ
ECAD 4180 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 90-LFBGA IS42S32160 Sdram 3v〜3.6V 90-LFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 2,500 133 MHz 易挥发的 512Mbit 6 ns 德拉姆 16m x 32 平行线 -
IS42SM16320E-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM16320E-75BLI-TR 10.0800
RFQ
ECAD 1616年 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-TFBGA IS42SM16320 sdram-移动 3v〜3.6V 54-tfbga(8x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 2,500 133 MHz 易挥发的 512Mbit 6 ns 德拉姆 32m x 16 平行线 -
IS43R16320D-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320D-6BLI 8.9966
RFQ
ECAD 2640 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 60-TFBGA IS43R16320 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 60-tfbga(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 190 166 MHz 易挥发的 512Mbit 700 ps 德拉姆 32m x 16 平行线 15ns
IS62C256AL-45TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62C256AL-45TLI-TR 1.0839
RFQ
ECAD 2770 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 28-tssop (0.465英寸,11.80mm宽度) IS62C256 sram-异步 4.5V〜5.5V 28-tsop i 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0041 2,000 易挥发的 256kbit 45 ns SRAM 32K x 8 平行线 45ns
IS42S32800J-75EBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800J-75EBLI 6.8011
RFQ
ECAD 4969 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-TFBGA IS42S32800 Sdram 3v〜3.6V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 240 133 MHz 易挥发的 256Mbit 6 ns 德拉姆 8m x 32 平行线 -
IS25LP064D-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP064D-JBLE 1.3102
RFQ
ECAD 8623 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 大部分 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) 闪存-SLC) 2.3v〜3.6V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS25LP064D-JBLE 90 166 MHz 非易失性 64mbit 闪光 8m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 40µs,800µs
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库