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![]() | IS62WV20488EBLL-55BLI-TR | - | ![]() | 7588 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | IS62WV20488 | sram-异步 | 2.2v〜3.6V | 48-TFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,500 | 易挥发的 | 16mbit | 55 ns | SRAM | 2m x 8 | 平行线 | 55ns | ||||
![]() | IS46TR16256B-125KBLA1-TR | 7.7038 | ![]() | 3832 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-TFBGA | IS46TR16256 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-TWBGA(9x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 706-IS46TR16256B-125KBLA1-TR | Ear99 | 8542.32.0036 | 1,500 | 800 MHz | 易挥发的 | 4Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 256m x 16 | 平行线 | 15ns | ||
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![]() | IS46LD32320A-25BLA2-TR | - | ![]() | 6813 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 在sic中停产 | -40°C〜105°C(TC) | 表面安装 | 134-TFBGA | IS46LD32320 | sdram- lpddr2 -S4 | 1.14v〜1.95v | 134-TFBGA(10x11.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 1200 | 400 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 德拉姆 | 32m x 32 | 平行线 | 15ns | ||||
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![]() | IS42S16100F-7BL-TR | - | ![]() | 1704年 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 60-TFBGA | IS42S16100 | Sdram | 3v〜3.6V | 60-TFBGA(6.4x10.1) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 143 MHz | 易挥发的 | 16mbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 1m x 16 | 平行线 | - | |||
![]() | IS61NLP51236B-200B3LI | 20.7400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | IS61NLP51236 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 165-TFBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 200 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 3 ns | SRAM | 512k x 36 | 平行线 | - | |||
![]() | IS61WV51232BLL-10BLI | 18.6794 | ![]() | 2691 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 90-TFBGA | IS61WV51232 | sram-异步 | 1.65V〜3.6V | 90-TFBGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 240 | 易挥发的 | 16mbit | 10 ns | SRAM | 512K x 32 | 平行线 | 10NS | ||||
![]() | IS42RM32400H-6BLI | 5.0466 | ![]() | 1951年 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 90-TFBGA | IS42RM32400 | sdram-移动 | 2.3v〜2.7V | 90-TFBGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 240 | 166 MHz | 易挥发的 | 128mbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 4m x 32 | 平行线 | - | |||
![]() | IS42S32800B-7BL | - | ![]() | 9231 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 90-LFBGA | IS42S32800 | Sdram | 3v〜3.6V | 90-LFBGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 240 | 143 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 5.5 ns | 德拉姆 | 8m x 32 | 平行线 | - | |||
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![]() | IS42S16400D-7TLI-TR | - | ![]() | 2596 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) | IS42S16400 | Sdram | 3v〜3.6V | 54-TSOP II | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0002 | 1,500 | 143 MHz | 易挥发的 | 64mbit | 5.4 ns | 德拉姆 | 4m x 16 | 平行线 | - | |||
![]() | IS43TR16512A-15HBLI-TR | - | ![]() | 7719 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 96-LFBGA | IS43TR16512 | SDRAM -DDR3 | 1.425V〜1.575V | 96-LFBGA(10x14) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 667 MHz | 易挥发的 | 8Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 512m x 16 | 平行线 | 15ns | 未行业行业经验证 | ||
IS62WV5128BLL-55BI-TR | - | ![]() | 2830 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 36-TFBGA | IS62WV5128 | sram-异步 | 2.5V〜3.6V | 36-TFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,500 | 易挥发的 | 4Mbit | 55 ns | SRAM | 512k x 8 | 平行线 | 55ns | |||||
![]() | IS43TR81280BL-125KBLI-TR | 5.2371 | ![]() | 9706 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 不适合新设计 | -40°C〜95°C(TC) | 表面安装 | 78-TFBGA | IS43TR81280 | SDRAM -DDR3L | 1.283V〜1.45V | 78-TWBGA (8x10.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0032 | 2,000 | 800 MHz | 易挥发的 | 1Gbit | 20 ns | 德拉姆 | 128m x 8 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | IS62WV6416ALL-55BLI-TR | 2.8153 | ![]() | 6179 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 48-TFBGA | IS62WV6416 | sram-异步 | 1.7V〜2.2V | 48-TFBGA(6x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 2,500 | 易挥发的 | 1Mbit | 55 ns | SRAM | 64k x 16 | 平行线 | 55ns | ||||
![]() | IS61LP6432A-133TQLI-TR | 5.4170 | ![]() | 3617 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | IS61LP6432 | sram-同步,sdr | 3.135v〜3.6V | 100-LQFP(14x20) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 133 MHz | 易挥发的 | 2Mbit | 4 ns | SRAM | 64k x 32 | 平行线 | - | |||
![]() | IS62WV5128EALL-55TLI-TR | 4.0112 | ![]() | 7838 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 32-tfsop (0.724英寸,宽度18.40mm) | IS62WV5128 | sram-异步 | 1.65V〜2.2V | 32-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,500 | 易挥发的 | 4Mbit | 55 ns | SRAM | 512k x 8 | 平行线 | 55ns | ||||
![]() | IS64LPS12832EC-200TQLA3 | 10.6794 | ![]() | 4101 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜125°C(TA) | 表面安装 | 100-LQFP | IS64LPS12832 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 100-LQFP(14x20) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 200 MHz | 易挥发的 | 4Mbit | 3.1 ns | SRAM | 128K x 32 | 平行线 | - | |||
IS46DR16128C-3DBLA1 | 13.1702 | ![]() | 4168 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 84-TFBGA | IS46DR16128 | SDRAM -DDR2 | 1.7V〜1.9V | 84-TWBGA(8x12.5) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0036 | 209 | 333 MHz | 易挥发的 | 2Gbit | 450 ps | 德拉姆 | 128m x 16 | 平行线 | 15ns | ||||
![]() | IS61NLP51236-200B3I | - | ![]() | 8877 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 过时的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 165-TBGA | IS61NLP51236 | sram-同步,sdr | 3.135V〜3.465V | 165-TFBGA(13x15) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 200 MHz | 易挥发的 | 18mbit | 3.1 ns | SRAM | 512k x 36 | 平行线 | - | |||
![]() | IS42S32160A-75B-Tr | - | ![]() | 4180 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 0°C〜70°C(TA) | 表面安装 | 90-LFBGA | IS42S32160 | Sdram | 3v〜3.6V | 90-LFBGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 2,500 | 133 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 6 ns | 德拉姆 | 16m x 32 | 平行线 | - | |||
![]() | IS42SM16320E-75BLI-TR | 10.0800 | ![]() | 1616年 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 54-TFBGA | IS42SM16320 | sdram-移动 | 3v〜3.6V | 54-tfbga(8x8) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 2,500 | 133 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 6 ns | 德拉姆 | 32m x 16 | 平行线 | - | |||
![]() | IS43R16320D-6BLI | 8.9966 | ![]() | 2640 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 不适合新设计 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 60-TFBGA | IS43R16320 | sdram -ddr | 2.3v〜2.7V | 60-tfbga(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0028 | 190 | 166 MHz | 易挥发的 | 512Mbit | 700 ps | 德拉姆 | 32m x 16 | 平行线 | 15ns | |||
![]() | IS62C256AL-45TLI-TR | 1.0839 | ![]() | 2770 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 28-tssop (0.465英寸,11.80mm宽度) | IS62C256 | sram-异步 | 4.5V〜5.5V | 28-tsop i | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0041 | 2,000 | 易挥发的 | 256kbit | 45 ns | SRAM | 32K x 8 | 平行线 | 45ns | ||||
![]() | IS42S32800J-75EBLI | 6.8011 | ![]() | 4969 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | - | 托盘 | 积极的 | -40°C〜85°C(TA) | 表面安装 | 90-TFBGA | IS42S32800 | Sdram | 3v〜3.6V | 90-TFBGA(8x13) | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 到达不受影响 | Ear99 | 8542.32.0024 | 240 | 133 MHz | 易挥发的 | 256Mbit | 6 ns | 德拉姆 | 8m x 32 | 平行线 | - | |||
![]() | IS25LP064D-JBLE | 1.3102 | ![]() | 8623 | 0.00000000 | ISSI,综合硅解决方案 | 汽车,AEC-Q100 | 大部分 | 积极的 | -40°C〜105°C(TA) | 表面安装 | 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) | 闪存-SLC) | 2.3v〜3.6V | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | 706-IS25LP064D-JBLE | 90 | 166 MHz | 非易失性 | 64mbit | 闪光 | 8m x 8 | Spi -Quad I/O,QPI,Dtr | 40µs,800µs |
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