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（ICS）（5782）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	特征	基本产品编号	技术	输出类型	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	最大输出电源x @ @负载	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
IS62WV102416GBLL-45TLI-TR	8.1000	RFQ	4262	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）			IS62WV102416	sram-异步		2.2v〜3.6V	48-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,500			易挥发的	16mbit	45 ns	SRAM	1m x 16	平行线	45ns
IS61VPS102436B-250B3L-Tr	92.1200	RFQ	5794	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA			IS61VPS102436	sram-同步，sdr		2.375V〜2.625V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000		250 MHz	易挥发的	36mbit	2.8 ns	SRAM	1m x 36	平行线	-
IS43R83200B-5TL	-	RFQ	9073	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）			IS43R83200	sdram -ddr		2.3v〜2.7V	66-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	108		200 MHz	易挥发的	256Mbit	700 ps	德拉姆	32m x 8	平行线	15ns
IS43LR32800F-6BLI	-	RFQ	1411	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA			IS43LR32800	sdram- lpddr		1.7V〜1.95V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	240		166 MHz	易挥发的	256Mbit	5.5 ns	德拉姆	8m x 32	平行线	15ns
IS61VF51236A-6.5B3	-	RFQ	5162	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	165-TBGA			IS61VF51236	sram-同步，sdr		2.375V〜2.625V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	144		133 MHz	易挥发的	18mbit	6.5 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
IS43TR81280B-107MBL-TR	5.2371	RFQ	4171	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	0°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA			IS43TR81280	SDRAM -DDR3		1.425V〜1.575V	78-TWBGA （8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	2,000		933 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 8	平行线	15ns
IS42S32200L-6BLI	4.7137	RFQ	3860	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA			IS42S32200	Sdram		3v〜3.6V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	240		166 MHz	易挥发的	64mbit	5.4 ns	德拉姆	2m x 32	平行线	-
IS25LP256D-JMLE	-	RFQ	2458	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）			IS25LP256	闪光灯 -也不		2.3v〜3.6V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	44		133 MHz	非易失性	256Mbit		闪光	32m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	800µs
IS37SML01G1-MLI-TR	3.6841	RFQ	4995	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C	表面安装	16-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm）			IS37SML01	Flash -nand（slc）		2.7V〜3.6V	16-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		104 MHz	非易失性	1Gbit	8 ns	闪光	128m x 8	spi	-
IS61NLF12836EC-7.5TQLI	7.5262	RFQ	6371	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP			IS61NLF12836	sram-同步，sdr		3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72		117 MHz	易挥发的	4.5mbit	7.5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
IS62WV1288DBLL-45HLI-TR	-	RFQ	7847	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-tfsop （0.465英寸，11.80mm（（11.80mm））			IS62WV1288	sram-异步		2.3v〜3.6V	32-Stsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	2,000			易挥发的	1Mbit	45 ns	SRAM	128K x 8	平行线	45ns
IS43LR32640A-6BL-TR	11.3550	RFQ	6458	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	90-LFBGA			IS43LR32640	sdram -ddr		1.7V〜1.95V	90-WBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,500		166 MHz	易挥发的	2Gbit	5 ns	德拉姆	64m x 32	平行线	15ns
IS42S16100H-7BLI-TR	1.4279	RFQ	3694	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA			IS42S16100	Sdram		3v〜3.6V	60-TFBGA（6.4x10.1）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0002	2,500		143 MHz	易挥发的	16mbit	5.5 ns	德拉姆	1m x 16	平行线	-
IS61NLP51218A-200TQLI-TR	12.7500	RFQ	8698	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP			IS61NLP51218	sram-同步，sdr		3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	800		200 MHz	易挥发的	9Mbit	3.1 ns	SRAM	512k x 18	平行线	-
IS61QDB42M18C-333M3LI	-	RFQ	3478	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-LBGA			IS61QDB42	sram-同步，四边形		1.71V〜1.89V	165-LFBGA（15x17）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	105		333 MHz	易挥发的	36mbit	8.4 ns	SRAM	2m x 18	平行线	-
IS43LR16800F-6BLI-TR	-	RFQ	9809	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA			IS43LR16800	sdram- lpddr		1.7V〜1.95V	60-tfbga（8x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	2,000		166 MHz	易挥发的	128mbit	5.5 ns	德拉姆	8m x 16	平行线	15ns
IS42VM32200M-6BLI	3.3934	RFQ	1095	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA			IS42VM32200	sdram-移动		1.7V〜1.95V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0002	240		166 MHz	易挥发的	64mbit	5.5 ns	德拉姆	2m x 32	平行线	-
IS31AP2010F-UTLS2-Tr	-	RFQ	3002	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	9-Ufbga	d	depop，关机	IS31AP2010		（1 通道（单声道）	2.7V〜5.5V	9-UTQFN（1.5x1.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.33.0001	3,000	2.8W x 1 @ 4ohm
IS61LPS51236A-250B3LI	-	RFQ	2556	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA			IS61LPS51236	sram-同步，sdr		3.135V〜3.465V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	144		250 MHz	易挥发的	18mbit	2.6 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
IS43R86400E-6TL-Tr	-	RFQ	8043	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）				sdram -ddr		2.3v〜2.7V	66-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS43R86400E-6TL-Tr			1,500		166 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	德拉姆	64m x 8	sstl_2	15ns
IS43TR16512AL-15HBL-TR	20.1150	RFQ	3258	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-LFBGA			IS43TR16512	SDRAM -DDR3L		1.283V〜1.45V	96-LFBGA（10x14）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	2,000		667 MHz	易挥发的	8Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 16	平行线	15ns
IS61NLF51236-6.5B3I	-	RFQ	3931	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	165-TBGA			IS61NLF51236	sram-同步，sdr		3.135V〜3.465V	165-TFBGA（13x15）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	144		133 MHz	易挥发的	18mbit	6.5 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
IS42S16100E-6TLI	-	RFQ	1787年	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	50-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽）			IS42S16100	Sdram		3v〜3.6V	50-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	117		166 MHz	易挥发的	16mbit	5.5 ns	德拉姆	1m x 16	平行线	-
IS49NLC18160-25B	-	RFQ	7818	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	144-TFBGA			IS49NLC18160	rldram 2		1.7V〜1.9V	144-FCBGA （11x18.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	104		400 MHz	易挥发的	288Mbit	20 ns	德拉姆	16m x 18	平行线	-
IS61WV5128BLL-10TLI	4.2600	RFQ	4	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）			IS61WV5128	sram-异步		2.4v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	135			易挥发的	4Mbit	10 ns	SRAM	512k x 8	平行线	10NS
IS46R16160D-6BLA2-TR	7.2900	RFQ	4693	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	60-TFBGA			IS46R16160	sdram -ddr		2.3v〜2.7V	60-tfbga（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	2,500		166 MHz	易挥发的	256Mbit	700 ps	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
IS43TR16640BL-125KBL	-	RFQ	3130	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	托盘	过时的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA			IS43TR16640	SDRAM -DDR3L		1.283V〜1.45V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43TR16640BL-125KBL	Ear99	8542.32.0032	190		800 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS43R86400E-5BLI-TR	-	RFQ	6797	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	60-TFBGA			IS43R86400	sdram -ddr		2.3v〜2.7V	60-tfbga（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	2,500		200 MHz	易挥发的	512Mbit	700 ps	德拉姆	64m x 8	平行线	15ns
IS43DR16640B-3DBL-TR	4.2171	RFQ	8505	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	0°C〜70°C（TA）	表面安装	84-TFBGA			IS43DR16640	SDRAM -DDR2		1.7V〜1.9V	84-TWBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	2,500		333 MHz	易挥发的	1Gbit	450 ps	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS43DR16128A-3DBLI	-	RFQ	9768	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	84-LFBGA			IS43DR16128	SDRAM -DDR2		1.7V〜1.9V	84-LFBGA（10.5x13.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	162		333 MHz	易挥发的	2Gbit	450 ps	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（ICS）（5782）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²