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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
IS42S32800B-6BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800B-6BI-Tr -
RFQ
ECAD 1691年 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-TFBGA IS42S32800 Sdram 3v〜3.6V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 2,500 166 MHz 易挥发的 256Mbit 5.5 ns 德拉姆 8m x 32 平行线 -
IS42S16320F-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320F-6BL 10.8395
RFQ
ECAD 6368 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 54-TFBGA IS42S16320 Sdram 3v〜3.6V 54-TW-BGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 240 167 MHz 易挥发的 512Mbit 5.4 ns 德拉姆 32m x 16 平行线 -
IS43DR16160B-25DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16160B-25DBL-TR 2.3989
RFQ
ECAD 6040 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 84-TFBGA IS43DR16160 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA(8x12.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 2,500 400 MHz 易挥发的 256Mbit 400 ps 德拉姆 16m x 16 平行线 15ns
IS42S32160C-75BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160C-75BL-TR -
RFQ
ECAD 4678 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 90-LFBGA IS42S32160 Sdram 3v〜3.6V 90-WBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 2,500 133 MHz 易挥发的 512Mbit 6 ns 德拉姆 16m x 32 平行线 -
IS42S32160F-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160F-7TL 11.5000
RFQ
ECAD 6215 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 管子 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 86-tfsop(0.400英寸,10.16毫米宽) IS42S32160 Sdram 3v〜3.6V 86-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 108 143 MHz 易挥发的 512Mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 32 平行线 -
IS61VPS102436B-250TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS102436B-250TQLI 102.5711
RFQ
ECAD 2161 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP IS61VPS102436 sram-同步,sdr 2.375V〜2.625V 100-LQFP(14x20) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 72 250 MHz 易挥发的 36mbit 2.8 ns SRAM 1m x 36 平行线 -
IS42S16100C1-7B-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16100C1-7B-Tr -
RFQ
ECAD 9733 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 60-TFBGA IS42S16100 Sdram 3v〜3.6V 60-TFBGA(6.4x10.1) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 2,500 143 MHz 易挥发的 16mbit 5.5 ns 德拉姆 1m x 16 平行线 -
IS61LPS102418A-200B3I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS102418A-200B3I -
RFQ
ECAD 1131 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 165-TBGA IS61LPS102418 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 165-TFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 144 200 MHz 易挥发的 18mbit 3.1 ns SRAM 1m x 18 平行线 -
IS45S16160D-7BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16160D-7BLA2 -
RFQ
ECAD 8453 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 54-TFBGA IS45S16160 Sdram 3v〜3.6V 54-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 240 143 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 16 平行线 -
IS42S32160B-75ETLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160B-75ETLI -
RFQ
ECAD 2550 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 86-tfsop(0.400英寸,10.16毫米宽) IS42S32160 Sdram 3v〜3.6V 86-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 108 133 MHz 易挥发的 512Mbit 5.5 ns 德拉姆 16m x 32 平行线 -
IS45S16800E-7TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16800E-7TLA1 -
RFQ
ECAD 8483 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) IS45S16800 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 108 143 MHz 易挥发的 128mbit 5.4 ns 德拉姆 8m x 16 平行线 -
IS62WV25616BLL-55TI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616BLL-55TI -
RFQ
ECAD 6349 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) IS62WV25616 sram-异步 2.5V〜3.6V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 135 易挥发的 4Mbit 55 ns SRAM 256K x 16 平行线 55ns
IS43TR85120A-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR85120A-125KBLI -
RFQ
ECAD 1771年 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA IS43TR85120 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-TWBGA(9x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 220 800 MHz 易挥发的 4Gbit 20 ns 德拉姆 512m x 8 平行线 15ns
IS46TR16128C-15HBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128C-15HBLA2-Tr 6.4006
RFQ
ECAD 5602 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,500 667 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 128m x 16 平行线 15ns
IS61NLP51218B-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP51218B-200TQLI 13.7940
RFQ
ECAD 5585 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP IS61NLP51218 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 100-LQFP(14x20) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 72 200 MHz 易挥发的 9Mbit 3.1 ns SRAM 512k x 18 平行线 -
IS61WV102416BLL-10MI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416BLL-10MI-TR -
RFQ
ECAD 1911 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-TFBGA IS61WV102416 sram-异步 2.4v〜3.6V 48-Minibga(9x11) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 易挥发的 16mbit 10 ns SRAM 1m x 16 平行线 10NS
IS61QDB24M18A-250B4LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDB24M18A-250B4LI 74.4172
RFQ
ECAD 2689 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 165-LBGA IS61QDB24 sram-同步,四边形 1.71V〜1.89V 165-LFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 144 250 MHz 易挥发的 72Mbit 1.8 ns SRAM 4m x 18 平行线 -
IS42S16160J-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160J-7TL 2.8177
RFQ
ECAD 7738 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 管子 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) IS42S16160 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 108 143 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 16 平行线 -
IS46TR16640BL-125JBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640BL-125JBLA2 -
RFQ
ECAD 4451 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Q9835646 Ear99 8542.32.0032 190 800 MHz 易挥发的 1Gbit 20 ns 德拉姆 64m x 16 平行线 15ns
IS43R16160F-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160F-6TL-Tr 2.4388
RFQ
ECAD 3033 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) IS43R16160 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 66-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,500 166 MHz 易挥发的 256Mbit 700 ps 德拉姆 16m x 16 平行线 15ns
IS61QDP2B42M36A-400M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDP2B42M36A-400M3L 100.1770
RFQ
ECAD 7088 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-LBGA IS61QDP2 sram-同步,Quadp 1.71V〜1.89V 165-LFBGA(15x17) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 105 400 MHz 易挥发的 72Mbit 8.4 ns SRAM 2m x 36 平行线 -
IS25LQ016B-JKLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LQ016B-JKLE-TR -
RFQ
ECAD 7761 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-WDFN暴露垫 IS25LQ016 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-wson(6x5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 3,000 104 MHz 非易失性 16mbit 闪光 2m x 8 Spi -Quad I/O。 1ms
IS61C632A-7TQ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C632A-7TQ -
RFQ
ECAD 6986 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP IS61C632 sram-异步 3.135v〜3.6V 100-LQFP(14x20) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2B 8542.32.0041 72 75 MHz 易挥发的 1Mbit 7 ns SRAM 32K x 32 平行线 -
IS43LR16640A-5BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16640A-5BL-Tr 9.2850
RFQ
ECAD 5760 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 60-TFBGA IS43LR16640 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-twbga(8x10) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 2,000 200 MHz 易挥发的 1Gbit 5 ns 德拉姆 64m x 16 平行线 15ns
IS42S32800J-75EBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800J-75EBL 6.1375
RFQ
ECAD 4218 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 90-TFBGA IS42S32800 Sdram 3v〜3.6V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 240 133 MHz 易挥发的 256Mbit 6 ns 德拉姆 8m x 32 平行线 -
IS45S32200E-7BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32200E-7BLA2-TR -
RFQ
ECAD 8274 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 90-TFBGA IS45S32200 Sdram 3v〜3.6V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 2,500 143 MHz 易挥发的 64mbit 5.5 ns 德拉姆 2m x 32 平行线 -
IS43DR81280A-3DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR81280A-3DBLI -
RFQ
ECAD 1787年 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 60-TFBGA IS43DR81280 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-TWBGA(8x13.65) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-1140 Ear99 8542.32.0032 190 333 MHz 易挥发的 1Gbit 450 ps 德拉姆 128m x 8 平行线 15ns
IS43TR82560CL-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560CL-125KBLI-TR 6.3257
RFQ
ECAD 2978 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA IS43TR82560 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-TWBGA (8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 800 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 8 平行线 15ns
IS43DR81280B-25EBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR81280B-25EBLI-TR -
RFQ
ECAD 1053 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 60-TFBGA IS43DR81280 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-TWBGA(8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 2,000 400 MHz 易挥发的 1Gbit 450 ps 德拉姆 128m x 8 平行线 15ns
IS45S16160J-6CTLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16160J-6CTLA1 5.2943
RFQ
ECAD 3916 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 管子 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) IS45S16160 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 108 166 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 16 平行线 -
  • Daily average RFQ Volume

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    每日平均RFQ量

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    30,000,000

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