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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
IS46DR16320D-25DBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16320D-25DBLA2-TR 7.5150
RFQ
ECAD 9997 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 84-TFBGA IS46DR16320 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA(8x12.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 2,500 400 MHz 易挥发的 512Mbit 400 ps 德拉姆 32m x 16 平行线 15ns
IS42S32400D-6B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32400D-6B -
RFQ
ECAD 5793 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 90-TFBGA IS42S32400 Sdram 3v〜3.6V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 240 166 MHz 易挥发的 128mbit 5.4 ns 德拉姆 4m x 32 平行线 -
IS49NLC18320-33BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC18320-33BI -
RFQ
ECAD 3085 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 144-TFBGA IS49NLC18320 rldram 2 1.7V〜1.9V 144-FCBGA (11x18.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 104 300 MHz 易挥发的 576Mbit 20 ns 德拉姆 32m x 18 平行线 -
IS49NLC18320-25BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC18320-25BI -
RFQ
ECAD 3776 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 144-TFBGA IS49NLC18320 rldram 2 1.7V〜1.9V 144-FCBGA (11x18.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 104 400 MHz 易挥发的 576Mbit 20 ns 德拉姆 32m x 18 平行线 -
IS49NLS18320-33BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS18320-33BL -
RFQ
ECAD 9948 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 144-TFBGA IS49NLS18320 rldram 2 1.7V〜1.9V 144-FCBGA (11x18.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 104 300 MHz 易挥发的 576Mbit 20 ns 德拉姆 32m x 18 平行线 -
IS42S16320B-7TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320B-7TL-Tr -
RFQ
ECAD 5583 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) IS42S16320 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,500 143 MHz 易挥发的 512Mbit 5.4 ns 德拉姆 32m x 16 平行线 -
IS42S32160D-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160D-6BL 13.5037
RFQ
ECAD 3860 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 不适合新设计 0°C〜70°C(TA) 表面安装 90-TFBGA IS42S32160 Sdram 3v〜3.6V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 240 166 MHz 易挥发的 512Mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 32 平行线 -
IS43LR32160C-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32160C-6BLI-TR 7.3800
RFQ
ECAD 4041 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-TFBGA IS43LR32160 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 2,500 166 MHz 易挥发的 512Mbit 5.5 ns 德拉姆 16m x 32 平行线 12ns
IS43LD16128C-25BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16128C-25BLI -
RFQ
ECAD 4534 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 积极的 -40°C 〜85°C(TC) 表面安装 134-TFBGA sdram- lpddr2 -S4 1.14v〜1.3v,1.7v〜1.95v 134-TFBGA(10x11.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS43LD16128C-25BLI 171 400 MHz 易挥发的 2Gbit 5.5 ns 德拉姆 128m x 16 HSUL_12 15ns
IS61LP6436A-133TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LP6436A-133TQLI 5.9867
RFQ
ECAD 5415 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP IS61LP6436 sram-同步,sdr 3.135v〜3.6V 100-LQFP(14x20) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 72 133 MHz 易挥发的 2Mbit 4 ns SRAM 64k x 36 平行线 -
IS61LF12836A-7.5TQI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF12836A-7.5TQI-Tr -
RFQ
ECAD 9553 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP IS61LF12836 sram-同步,sdr 3.135v〜3.6V 100-LQFP(14x20) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 800 117 MHz 易挥发的 4.5mbit 7.5 ns SRAM 128K x 36 平行线 -
IS61WV25616BLL-10BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616BLL-10BI -
RFQ
ECAD 5611 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-TFBGA IS61WV25616 sram-异步 2.4v〜3.6V 48-TFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Q7200303 3A991B2A 8542.32.0041 480 易挥发的 4Mbit 10 ns SRAM 256K x 16 平行线 10NS
IS61LF102418A-7.5B3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF102418A-7.5B3 -
RFQ
ECAD 9469 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-TBGA IS61LF102418 sram-同步,sdr 3.135v〜3.6V 165-TFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 144 117 MHz 易挥发的 18mbit 7.5 ns SRAM 1m x 18 平行线 -
IS42S81600F-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S81600F-6TLI-TR 2.6967
RFQ
ECAD 8511 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) IS42S81600 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,500 166 MHz 易挥发的 128mbit 5.4 ns 德拉姆 16m x 8 平行线 -
IS49NLC36800-25BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC36800-25BI -
RFQ
ECAD 8343 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 144-TFBGA IS49NLC36800 rldram 2 1.7V〜1.9V 144-FCBGA (11x18.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 104 400 MHz 易挥发的 288Mbit 20 ns 德拉姆 8m x 36 平行线 -
IS61NLP12836B-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP12836B-200TQLI-TR 7.5837
RFQ
ECAD 6109 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP IS61NLP12836 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 100-LQFP(14x20) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 800 200 MHz 易挥发的 4.5mbit 3.1 ns SRAM 128K x 36 平行线 -
IS64WV51216BLL-10MA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV51216BLL-10MA3-TR -
RFQ
ECAD 8259 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 48-TFBGA IS64WV51216 sram-异步 2.4v〜3.6V 48-Minibga(9x11) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 易挥发的 8mbit 10 ns SRAM 512k x 16 平行线 10NS
IS42S16400D-7T ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400D-7T -
RFQ
ECAD 3257 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 在sic中停产 0°C〜70°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) IS42S16400 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 108 143 MHz 易挥发的 64mbit 5.4 ns 德拉姆 4m x 16 平行线 -
IS42S16400D-7BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400D-7BL-TR -
RFQ
ECAD 9709 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 60-TFBGA IS42S16400 Sdram 3v〜3.6V 60 minibga(6.4x10.1) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 2,500 143 MHz 易挥发的 64mbit 5.4 ns 德拉姆 4m x 16 平行线 -
IS61QDPB42M36A2-550B4L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB42M36A2-550B4L -
RFQ
ECAD 9366 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-LBGA IS61QDPB42 sram-四边形端口,同步 1.71V〜1.89V 165-LFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 105 550 MHz 易挥发的 72Mbit SRAM 2m x 36 平行线 -
IS42S16400J-7B2LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400J-7B2LI-Tr 2.8644
RFQ
ECAD 4580 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 60-TFBGA IS42S16400 Sdram 3v〜3.6V 60-TFBGA(6.4x10.1) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 2,500 143 MHz 易挥发的 64mbit 5.4 ns 德拉姆 4m x 16 平行线 -
IS42S83200B-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S83200B-6TLI-TR -
RFQ
ECAD 9552 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) IS42S83200 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,500 166 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 32m x 8 平行线 -
IS43TR16512B-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16512B-125KBLI 26.1600
RFQ
ECAD 658 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS43TR16512 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA(10x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-1657 Ear99 8542.32.0036 136 800 MHz 易挥发的 8Gbit 20 ns 德拉姆 512m x 16 平行线 -
IS62WV10248HBLL-45TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV10248HBLL-45TLI 5.3900
RFQ
ECAD 6841 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) sram-异步 2.2v〜3.6V 44-TSOP II - rohs3符合条件 3(168)) 706-IS62WV10248HBLL-45TLI 135 易挥发的 8mbit 45 ns SRAM 1m x 8 平行线 45ns
IS61C5128AS-25TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C5128AS-25TLI 4.8100
RFQ
ECAD 225 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 32-SOIC(0.400英寸,10.16毫米宽) IS61C5128 sram-异步 4.5V〜5.5V 32-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 117 易挥发的 4Mbit 25 ns SRAM 512k x 8 平行线 25ns
IS49RL36160-093BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49RL36160-093Bli -
RFQ
ECAD 1398 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 168-LBGA IS49RL36160 德拉姆 1.28V〜1.42V 168-FBGA((13.5x13.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 119 1.066 GHz 易挥发的 576Mbit 10 ns 德拉姆 16m x 36 平行线 -
IS61WV12816DBLL-10BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV12816DBLL-10BLI-TR 2.8644
RFQ
ECAD 7247 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-TFBGA IS61WV12816 sram-异步 3v〜3.6V 48-TFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 易挥发的 2Mbit 10 ns SRAM 128K x 16 平行线 10NS
IS43TR82560CL-15HBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560CL-15HBLI-TR 6.0087
RFQ
ECAD 9140 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA IS43TR82560 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 78-TWBGA (8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 2,000 667 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 8 平行线 15ns
IS43LR16200C-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16200C-6BL-TR -
RFQ
ECAD 4617 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 60-TFBGA IS43LR16200 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 60-tfbga(8x10) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 2,000 166 MHz 易挥发的 32Mbit 5.5 ns 德拉姆 2m x 16 平行线 12ns
IS46LQ16128A-062TBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16128A-062TBLA2 11.6916
RFQ
ECAD 4969 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 汽车,AEC-Q100 大部分 积极的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 200-tfbga sdram- lpddr4 1.06v〜1.17v,1.7V〜1.95V 200-tfbga(10x14.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS46LQ16128A-062TBLA2 136 1.6 GHz 易挥发的 2Gbit 3.5 ns 德拉姆 128m x 16 lvstl 18NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

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