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（ICS）（5782）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
IS46DR81280C-3DBLA2-Tr	-	RFQ	2289	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	60-TFBGA	IS46DR81280	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	60-TWBGA（8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	2,000	333 MHz	易挥发的	1Gbit	450 ps	德拉姆	128m x 8	平行线	15ns
IS25LP064A-JBLE	1.6500	RFQ	477	ISSI，综合硅解决方案	-	管子	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	8-SOIC（0.209英寸，5.30mm）	IS25LP064	闪光灯 -也不	2.3v〜3.6V	8-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B1A	8542.32.0071	90	133 MHz	非易失性	64mbit		闪光	8m x 8	Spi -Quad I/O，QPI	800µs
IS42S16100F-7TLI-TR	-	RFQ	5374	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	50-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽）	IS42S16100	Sdram	3v〜3.6V	50-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0002	1,000	143 MHz	易挥发的	16mbit	5.5 ns	德拉姆	1m x 16	平行线	-
IS43LQ32256A-062BLI	30.9300	RFQ	1	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	200-tfbga	IS43LQ32256	sdram- lpddr4	1.06v〜1.17v，1.7V〜1.95V	200-tfbga（10x14.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43LQ32256A-062BLI	Ear99	8542.32.0036	136	1.6 GHz	易挥发的	8Gbit		德拉姆	256m x 32	平行线	-
IS25WP256E-RHLE	4.0905	RFQ	8791	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	大部分	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	24-TBGA		闪存-SLC）	1.7V〜1.95V	24-tfbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））		706-IS25WP256E-RHLE			480	166 MHz	非易失性	256Mbit		闪光	32m x 8	Spi -Quad I/O，QPI，Dtr	50µs，1ms
IS61WV10248BLL-10TLI-TR	12.3000	RFQ	8398	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）	IS61WV10248	sram-异步	2.4v〜3.6V	44-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000		易挥发的	8mbit	10 ns	SRAM	1m x 8	平行线	10NS
IS46TR16128AL-125KBLA1-TR	-	RFQ	4880	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS46TR16128	SDRAM -DDR3	1.283V〜1.45V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,500	800 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
IS61WV102416ALL-20TLI-TR	19.3241	RFQ	5108	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）	IS61WV102416	sram-异步	1.65V〜2.2V	48-tsop i	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,500		易挥发的	16mbit	20 ns	SRAM	1m x 16	平行线	20NS
IS43TR16128D-093NBL-TR	-	RFQ	5494	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS43TR16128	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43TR16128D-093NBL-TR	Ear99	8542.32.0036	1,500	1.066 GHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
IS42VM32200M-6BLI-TR	3.2736	RFQ	7298	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	90-TFBGA	IS42VM32200	sdram-移动	1.7V〜1.95V	90-TFBGA（8x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0002	2,500	166 MHz	易挥发的	64mbit	5.5 ns	德拉姆	2m x 32	平行线	-
IS61NLF12836EC-7.5TQLI-Tr	6.8099	RFQ	3408	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61NLF12836	sram-同步，sdr	3.135V〜3.465V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	800	117 MHz	易挥发的	4.5mbit	7.5 ns	SRAM	128K x 36	平行线	-
IS43DR16640B-3DBI	-	RFQ	2856	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	84-TFBGA	IS43DR16640	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	209	333 MHz	易挥发的	1Gbit	450 ps	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS61C3216AL-12KLI-TR	2.0882	RFQ	2806	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	44-bsoj（0.400英寸，10.16mm宽度）	IS61C3216	sram-异步	4.5V〜5.5V	44-SOJ	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	800		易挥发的	512kbit	12 ns	SRAM	32k x 16	平行线	12ns
IS61WV51216BLL-10MLI-TR	12.7500	RFQ	4264	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS61WV51216	sram-异步	2.4v〜3.6V	48-Minibga（9x11）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,000		易挥发的	8mbit	10 ns	SRAM	512k x 16	平行线	10NS
IS49NLC93200-33BL	-	RFQ	5371	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	144-TFBGA	IS49NLC93200	rldram 2	1.7V〜1.9V	144-FCBGA （11x18.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0028	104	300 MHz	易挥发的	288Mbit	20 ns	德拉姆	32m x 9	平行线	-
IS46TR16640AL-125JBLA1-TR	-	RFQ	3202	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS46TR16640	SDRAM -DDR3	1.283V〜1.45V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	1,500	800 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	-
IS43DR16128B-25EBL-Tr	-	RFQ	9046	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	0°C〜85°C（TC）	表面安装	84-TFBGA	IS43DR16128	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TW-BGA（10.5x13.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,500	400 MHz	易挥发的	2Gbit	400 ps	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
IS62WV5128EALL-55BI	-	RFQ	6411	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	36-TFBGA	IS62WV5128	sram-异步	1.65V〜2.2V	36-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		过时的		1		易挥发的	4Mbit	55 ns	SRAM	512k x 8	平行线	55ns
IS43DR16640B-25DBLI-TR	6.7050	RFQ	5542	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	84-TFBGA	IS43DR16640	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TWBGA（8x12.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0032	2,500	400 MHz	易挥发的	1Gbit	400 ps	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS43LD32640B-18BPL-Tr	-	RFQ	4950	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	上次购买	-40°C 〜85°C（TC）	表面安装	168-VFBGA	IS43LD32640	sdram- lpddr2 -S4	1.14v〜1.95v	168-VFBGA（12x12）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	1,500	533 MHz	易挥发的	2Gbit		德拉姆	64m x 32	平行线	15ns
IS61NVF51236-6.5TQL	-	RFQ	9742	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61NVF51236	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72	133 MHz	易挥发的	18mbit	6.5 ns	SRAM	512k x 36	平行线	-
IS46TR16128D-125KBLA1	5.4021	RFQ	6156	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	托盘	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS46TR16128	SDRAM -DDR3	1.425V〜1.575V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS46TR16128D-125KBLA1	Ear99	8542.32.0036	190	800 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	128m x 16	平行线	15ns
IS43TR82560DL-125KBLI-TR	4.3478	RFQ	8952	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	IS43TR82560	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-TWBGA （8x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43TR82560DL-125KBLI-TR	Ear99	8542.32.0036	2,000	800 MHz	易挥发的	2Gbit	20 ns	德拉姆	256m x 8	平行线	15ns
IS66WVC4M16ALL-7010BLI-TR	-	RFQ	4320	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	54-VFBGA	IS66WVC4M16	PSRAM （伪 SRAM）	1.7V〜1.95V	54-vfbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	2,500		易挥发的	64mbit	70 ns	PSRAM	4m x 16	平行线	70NS
IS46TR16640BL-125KBLA2-TR	-	RFQ	9746	ISSI，综合硅解决方案	汽车，AEC-Q100	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜105°C（TC）	表面安装	96-TFBGA	IS46TR16640	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	96-TWBGA（9x13）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS46TR16640BL-125KBLA2-TR	Ear99	8542.32.0032	1,500	800 MHz	易挥发的	1Gbit	20 ns	德拉姆	64m x 16	平行线	15ns
IS43DR16320B-3DBI	-	RFQ	8605	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	84-TFBGA	IS43DR16320	SDRAM -DDR2	1.7V〜1.9V	84-TW-BGA（10.5x13.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	706-IS43DR16320B-3DBI	过时的		209	333 MHz	易挥发的	512Mbit	450 ps	德拉姆	32m x 16	平行线	15ns
IS61NVP204818B-200TQLI	81.3214	RFQ	6017	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	100-LQFP	IS61NVP204818	sram-同步，sdr	2.375V〜2.625V	100-LQFP（14x20）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	72	200 MHz	易挥发的	36mbit	3.1 ns	SRAM	2m x 18	平行线	-
IS43R16160B-6TL-Tr	-	RFQ	2974	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	66-TSSOP （0.400英寸，10.16毫米宽）	IS43R16160	sdram -ddr	2.3v〜2.7V	66-TSOP II	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0024	1,500	166 MHz	易挥发的	256Mbit	700 ps	德拉姆	16m x 16	平行线	15ns
IS66WVE4M16EALL-70BLI-TR	4.1105	RFQ	4535	ISSI，综合硅解决方案	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-TFBGA	IS66WVE4M16	PSRAM （伪 SRAM）	1.7V〜1.95V	48-TFBGA（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,500		易挥发的	64mbit	70 ns	PSRAM	4m x 16	平行线	70NS
IS43TR85120AL-125KBLI	-	RFQ	2359	ISSI，综合硅解决方案	-	托盘	过时的	-40°C〜95°C（TC）	表面安装	78-TFBGA	IS43TR85120	SDRAM -DDR3L	1.283V〜1.45V	78-TWBGA（9x10.5）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0036	220	800 MHz	易挥发的	4Gbit	20 ns	德拉姆	512m x 8	平行线	15ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（ICS）（5782）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²