SIC
close
参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
IS63WV1024BLL-12JLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63WV1024BLL-12JLI 1.8965
RFQ
ECAD 1098 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 管子 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 32-bsoj(0.300英寸,7.62mm宽度) IS63WV1024 sram-异步 3v〜3.6V 32-soj 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2B 8542.32.0041 22 易挥发的 1Mbit 12 ns SRAM 128K x 8 平行线 12ns
IS43TR16128C-15HBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128C-15HBL-Tr 5.0226
RFQ
ECAD 6541 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,500 667 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 128m x 16 平行线 15ns
IS61LPS102436A-166TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS102436A-166TQLI -
RFQ
ECAD 9980 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP IS61LPS102436 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 100-LQFP(14x20) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 72 166 MHz 易挥发的 36mbit 3.5 ns SRAM 1m x 36 平行线 -
IS43R16160B-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160B-6TLI -
RFQ
ECAD 2943 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) IS43R16160 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 66-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 108 166 MHz 易挥发的 256Mbit 700 ps 德拉姆 16m x 16 平行线 15ns
IS45S16100H-7TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16100H-7TLA1 2.1855
RFQ
ECAD 8654 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 50-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽) IS45S16100 Sdram 3v〜3.6V 50-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 117 143 MHz 易挥发的 16mbit 5.5 ns 德拉姆 1m x 16 平行线 -
IS61C5128AS-25HLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61C5128AS-25HLI-Tr 3.4373
RFQ
ECAD 1775年 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 32-tfsop (0.465英寸,11.80mm((11.80mm)) IS61C5128 sram-异步 4.5V〜5.5V 32-Stsop i 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 易挥发的 4Mbit 25 ns SRAM 512k x 8 平行线 25ns
IS67WVC4M16EALL-7010BLIA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS67WVC4M16EALL-7010BLIA1-TR -
RFQ
ECAD 7016 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C 〜85°C(TC) IS67WVC4M16 PSRAM (伪 SRAM) 1.7V〜1.95V 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 104 MHz 易挥发的 64mbit 70 ns PSRAM 4m x 16 平行线 70NS
IS46LD32320A-3BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32320A-3BLA2-TR -
RFQ
ECAD 2751 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 134-TFBGA IS46LD32320 sdram- lpddr2 -S4 1.14v〜1.95v 134-TFBGA(10x11.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 1200 333 MHz 易挥发的 1Gbit 德拉姆 32m x 32 平行线 15ns
IS45S16400J-6BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16400J-6BLA2-TR 4.6585
RFQ
ECAD 8867 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 54-TFBGA IS45S16400 Sdram 3v〜3.6V 54-tfbga(8x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 2,500 166 MHz 易挥发的 64mbit 5.4 ns 德拉姆 4m x 16 平行线 -
IS43R83200B-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R83200B-6TL-Tr -
RFQ
ECAD 2669 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 66-TSSOP (0.400英寸,10.16毫米宽) IS43R83200 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 66-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 1,500 166 MHz 易挥发的 256Mbit 700 ps 德拉姆 32m x 8 平行线 15ns
IS25LP512MH-RMLE-TY ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP512MH-RMLE-TY 7.7635
RFQ
ECAD 1821年 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 16-Soic - rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS25LP512MH-RMLE-TY 176 133 MHz 非易失性 512Mbit 闪光 64m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 50µs,1ms
IS61WV25616BLL-10KLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616BLL-10KLI-TR 3.9525
RFQ
ECAD 8603 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 44-bsoj(0.400英寸,10.16mm宽度) IS61WV25616 sram-异步 2.4v〜3.6V 44-SOJ 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 800 易挥发的 4Mbit 10 ns SRAM 256K x 16 平行线 10NS
IS66WV51216EBLL-55BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WV51216EBLL-55BLI -
RFQ
ECAD 5004 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-TFBGA IS66WV51216 PSRAM (伪 SRAM) 2.5V〜3.6V 48-TFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 480 易挥发的 8mbit 55 ns PSRAM 512k x 16 平行线 55ns
IS42S16800E-7TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800E-7TLI-TR -
RFQ
ECAD 7698 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) IS42S16800 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,500 143 MHz 易挥发的 128mbit 5.4 ns 德拉姆 8m x 16 平行线 -
IS43DR86400C-3DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR86400C-3DBL 3.9375
RFQ
ECAD 9319 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 不适合新设计 0°C〜70°C(TA) 表面安装 60-TFBGA IS43DR86400 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-TWBGA(8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 242 333 MHz 易挥发的 512Mbit 450 ps 德拉姆 64m x 8 平行线 15ns
IS43QR16256A-093PBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR16256A-093PBL-TR -
RFQ
ECAD 6617 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS43QR16256 SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,500 1.066 GHz 易挥发的 4Gbit 德拉姆 256m x 16 平行线 15ns
IS61LF12836A-6.5TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF12836A-6.5TQLI-Tr 7.5837
RFQ
ECAD 4556 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP IS61LF12836 sram-同步,sdr 3.135v〜3.6V 100-LQFP(14x20) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 800 133 MHz 易挥发的 4.5mbit 6.5 ns SRAM 128K x 36 平行线 -
IS42SM32800K-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM32800K-6BLI-TR 5.6400
RFQ
ECAD 1767年 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 90-TFBGA IS42SM32800 sdram-移动 2.7V〜3.6V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 2,500 166 MHz 易挥发的 256Mbit 5.5 ns 德拉姆 8m x 32 平行线 -
IS42S16320B-7BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320B-7BL-TR -
RFQ
ECAD 4115 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 54-TFBGA IS42S16320 Sdram 3v〜3.6V 54-WBGA(11x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 2,000 143 MHz 易挥发的 512Mbit 5.4 ns 德拉姆 32m x 16 平行线 -
IS46TR16128A-125KBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128A-125KBLA1 -
RFQ
ECAD 2642 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 190 800 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 128m x 16 平行线 15ns
IS42S16400J-7TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16400J-7TLI-Tr 1.6078
RFQ
ECAD 5855 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-tsop(0.400英寸,10.16毫米宽度) IS42S16400 Sdram 3v〜3.6V 54-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,500 143 MHz 易挥发的 64mbit 5.4 ns 德拉姆 4m x 16 平行线 -
IS62WV102416EBLL-45BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV102416EBLL-45BLI 10.3200
RFQ
ECAD 480 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-VFBGA IS62WV102416 sram-异步 2.2v〜3.6V 48-VFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 480 易挥发的 16mbit 45 ns SRAM 1m x 16 平行线 45ns
IS42S32200E-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200E-6BL -
RFQ
ECAD 4246 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 90-TFBGA IS42S32200 Sdram 3v〜3.6V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 240 166 MHz 易挥发的 64mbit 5.5 ns 德拉姆 2m x 32 平行线 -
IS43LD32320A-3BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32320A-3BLI -
RFQ
ECAD 7166 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 在sic中停产 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 134-TFBGA IS43LD32320 sdram- lpddr2 1.14v〜1.95v 134-TFBGA(10x11.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 171 333 MHz 易挥发的 1Gbit 德拉姆 32m x 32 平行线 15ns
IS25WP032A-JMLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP032A-JMLE-TR -
RFQ
ECAD 6452 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.295英寸,宽度为,7.50mm) IS25WP032 闪光灯 -也不 1.65V〜1.95V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 133 MHz 非易失性 32Mbit 闪光 4m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 800µs
IS61VPS204836B-200TQLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS204836B-200TQLI-TR 109.2000
RFQ
ECAD 4174 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP IS61VPS204836 sram-同步,sdr 2.375V〜2.625V 100-LQFP(14x20) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 800 200 MHz 易挥发的 72Mbit 3.1 ns SRAM 2m x 36 平行线 -
IS43R16160F-5BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16160F-5BLI 4.3807
RFQ
ECAD 8470 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 60-TFBGA IS43R16160 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 60-tfbga(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 190 200 MHz 易挥发的 256Mbit 700 ps 德拉姆 16m x 16 平行线 15ns
IS45S32400E-7BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32400E-7BLA2 -
RFQ
ECAD 8632 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 90-TFBGA IS45S32400 Sdram 3v〜3.6V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 240 143 MHz 易挥发的 128mbit 5.4 ns 德拉姆 4m x 32 平行线 -
IS62C256AL-25ULI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62C256AL-25ULI 1.2315
RFQ
ECAD 4702 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 28-SOIC (0.330英寸,8.38毫米宽) IS62C256 sram-异步 4.5V〜5.5V 28 SOP 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0041 120 易挥发的 256kbit 25 ns SRAM 32K x 8 平行线 25ns
IS46TR16128B-125KBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128B-125KBLA2-TR -
RFQ
ECAD 6754 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,500 800 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 128m x 16 平行线 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库