SIC
close
参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 时钟频率 内存类型 内存大小 访QT 内存格式 内存组织 内存界面 写周期t-单词,页面,页面
IS42SM16400M-75BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM16400M-75BLI-TR 2.8808
RFQ
ECAD 6709 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 54-TFBGA IS42SM16400 sdram-移动 3v〜3.6V 54-tfbga(8x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0002 2,500 133 MHz 易挥发的 64mbit 6 ns 德拉姆 4m x 16 平行线 -
IS46TR16256AL-125KBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16256AL-125KBLA1 -
RFQ
ECAD 9893 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS46TR16256 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 190 800 MHz 易挥发的 4Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 16 平行线 15ns
IS43QR81024A-075VBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43QR81024A-075VBL 18.1892
RFQ
ECAD 7487 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA SDRAM -DDR4 1.14v〜1.26v 78-TWBGA(10x14) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 706-IS43QR81024A-075VBL 136 1.333 GHz 易挥发的 8Gbit 18 ns 德拉姆 1G x 8 平行线 15ns
IS43TR16128CL-125KBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16128CL-125KBLI-TR 5.7449
RFQ
ECAD 1777年 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS43TR16128 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 1,500 800 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 128m x 16 平行线 15ns
IS43DR81280C-3DBI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR81280C-3DBI-Tr -
RFQ
ECAD 5866 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 60-TFBGA IS43DR81280 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 60-TWBGA(8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 2,000 333 MHz 易挥发的 1Gbit 450 ps 德拉姆 128m x 8 平行线 15ns
IS64WV20488BLL-10CTLA3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64WV20488BLL-10CTLA3-TR 23.8000
RFQ
ECAD 7646 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 44-tsop (0.400英寸,10.16毫米宽度) IS64WV20488 sram-异步 2.4v〜3.6V 44-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 易挥发的 16mbit 10 ns SRAM 2m x 8 平行线 10NS
IS25LP080D-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP080D-JBLE 0.8200
RFQ
ECAD 7 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) IS25LP080 闪光灯 -也不 2.3v〜3.6V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-1578 Ear99 8542.32.0071 90 133 MHz 非易失性 8mbit 闪光 1m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 800µs
IS49NLC18320A-33WBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC18320A-33WBL -
RFQ
ECAD 4292 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 0°C〜95°C(TC) 表面安装 144-TFBGA IS49NLC18320 rldram 2 1.7V〜1.9V 144-twbga(11x18.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 104 300 MHz 易挥发的 576Mbit 20 ns 德拉姆 32m x 18 平行线 -
IS61WV5128EDBLL-10BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV5128EDBLL-10BLI-TR 3.0281
RFQ
ECAD 6308 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 36-TFBGA IS61WV5128 sram-异步 2.4v〜3.6V 36-TFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 2,500 易挥发的 4Mbit 10 ns SRAM 512k x 8 平行线 10NS
IS46TR16128BL-15HBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128BL-15HBLA2 -
RFQ
ECAD 4300 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 190 667 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 128m x 16 平行线 15ns
IS61WV102416DALL-10TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV102416DALL-10TLI-TR -
RFQ
ECAD 9528 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-tfsop (0.724英寸,18.40mm) IS61WV102416 sram-异步 1.65V〜2.2V 48-tsop i 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 1,500 易挥发的 16mbit 10 ns SRAM 1m x 16 平行线 10NS
IS66WV51216BLL-55BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WV51216BLL-55BLI -
RFQ
ECAD 1690年 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 48-TFBGA IS66WV51216 PSRAM (伪 SRAM) 2.5V〜3.6V 48-TFBGA(6x8) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 312 易挥发的 8mbit 55 ns PSRAM 512k x 16 平行线 55ns
IS46DR16320C-25DBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16320C-25DBLA1-Tr 7.2600
RFQ
ECAD 3841 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 84-TFBGA IS46DR16320 SDRAM -DDR2 1.7V〜1.9V 84-TWBGA(8x12.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 2,500 400 MHz 易挥发的 512Mbit 400 ps 德拉姆 32m x 16 平行线 15ns
IS41LV16100C-50KLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16100C-50KLI-TR -
RFQ
ECAD 9629 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 42-BSOJ(0.400英寸,10.16mm宽度) IS41LV16100 戏剧性 3v〜3.6V 42-soj 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,000 易挥发的 16mbit 25 ns 德拉姆 1m x 16 平行线 -
IS39LV040-70JCE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS39LV040-70JCE -
RFQ
ECAD 8043 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 管子 过时的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 32-lcc(j-lead) IS39LV040 闪光灯 -也不 2.7V〜3.6V 32-PLCC (11.43x13.97) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0071 32 非易失性 4Mbit 70 ns 闪光 512k x 8 平行线 70NS
IS61NVP51236-250B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NVP51236-250B3-Tr -
RFQ
ECAD 7559 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 165-TBGA IS61NVP51236 sram-同步,sdr 2.375V〜2.625V 165-TFBGA(13x15) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 250 MHz 易挥发的 18mbit 2.6 ns SRAM 512k x 36 平行线 -
IS61LV12824-8TQ-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV12824-8TQ-TR -
RFQ
ECAD 5904 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 100-LQFP IS61LV12824 sram-异步 3.135v〜3.6V 100-LQFP(14x20) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 800 易挥发的 3Mbit 8 ns SRAM 128K x 24 平行线 8ns
IS43LR32320B-5BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32320B-5BL-TR -
RFQ
ECAD 5458 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 90-LFBGA IS43LR32320 sdram- lpddr 1.7V〜1.95V 90-LFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0032 2,500 200 MHz 易挥发的 1Gbit 德拉姆 32m x 32 平行线 15ns
IS61NLP25672-250B1I ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP25672-250B1I -
RFQ
ECAD 3107 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 209-BGA IS61NLP25672 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 209-LFBGA(14x22) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 84 250 MHz 易挥发的 18mbit 2.6 ns SRAM 256K x 72 平行线 -
IS25WP128-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP128-JBLE 2.6300
RFQ
ECAD 27 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 积极的 -40°C〜105°C(TA) 表面安装 8-SOIC(0.209英寸,5.30mm) IS25WP128 闪光 1.65V〜1.95V 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-1443 3A991B1A 8542.32.0071 90 133 MHz 非易失性 128mbit 闪光 16m x 8 Spi -Quad I/O,QPI,Dtr 800µs
IS42S32200C1-55TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32200C1-55TL-Tr -
RFQ
ECAD 8928 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 86-tfsop(0.400英寸,10.16毫米宽) IS42S32200 Sdram 3.15V〜3.45V 86-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 1,500 183 MHz 易挥发的 64mbit 5 ns 德拉姆 2m x 32 平行线 -
IS43TR82560D-125KBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560D-125KBLI 4.8403
RFQ
ECAD 7160 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 78-TFBGA IS43TR82560 SDRAM -DDR3 1.425V〜1.575V 78-TWBGA (8x10.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS43TR82560D-125KBLI Ear99 8542.32.0036 242 800 MHz 易挥发的 2Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 8 平行线 15ns
IS46LD32640B-25BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LD32640B-25BLA2-TR -
RFQ
ECAD 5061 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 大部分 上次购买 -40°C〜105°C(TC) 表面安装 134-TFBGA sdram- lpddr2 -S4 1.14v〜1.3v,1.7v〜1.95v 134-TFBGA(10x11.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 706-IS46LD32640B-25BLA2-TR 1 400 MHz 易挥发的 2Gbit 5.5 ns 德拉姆 64m x 32 HSUL_12 15ns
IS43R16320D-5BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R16320D-5BL-TR 7.5000
RFQ
ECAD 5575 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 0°C〜70°C(TA) 表面安装 60-TFBGA IS43R16320 sdram -ddr 2.5v〜2.7V 60-tfbga(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 2,500 200 MHz 易挥发的 512Mbit 700 ps 德拉姆 32m x 16 平行线 15ns
IS42S32800D-7B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800D-7B -
RFQ
ECAD 7843 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 90-TFBGA IS42S32800 Sdram 3v〜3.6V 90-TFBGA(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0024 240 143 MHz 易挥发的 256Mbit 5.4 ns 德拉姆 8m x 32 平行线 -
IS61LF102418B-7.5TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF102418B-7.5TQLI 17.2425
RFQ
ECAD 8483 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 100-LQFP IS61LF102418 sram-同步,sdr 3.135V〜3.465V 100-LQFP(14x20) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 3A991B2A 8542.32.0041 72 117 MHz 易挥发的 18mbit 7.5 ns SRAM 1m x 18 平行线 -
IS43TR16256AL-15HBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16256AL-15HBLI -
RFQ
ECAD 5204 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 -40°C〜95°C(TC) 表面安装 96-TFBGA IS43TR16256 SDRAM -DDR3L 1.283V〜1.45V 96-TWBGA(9x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0036 190 667 MHz 易挥发的 4Gbit 20 ns 德拉姆 256m x 16 平行线 15ns
IS49NLS93200-25B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLS93200-25B -
RFQ
ECAD 8248 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 过时的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 144-TFBGA IS49NLS93200 rldram 2 1.7V〜1.9V 144-FCBGA (11x18.5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 104 400 MHz 易挥发的 288Mbit 20 ns 德拉姆 32m x 9 平行线 -
IS43R86400E-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400E-6BL -
RFQ
ECAD 5225 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 0°C〜70°C(TA) 表面安装 60-TFBGA IS43R86400 sdram -ddr 2.3v〜2.7V 60-tfbga(8x13) 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0028 190 166 MHz 易挥发的 512Mbit 700 ps 德拉姆 64m x 8 平行线 15ns
IS45S32400F-7TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32400F-7TLA1 5.7340
RFQ
ECAD 2238 0.00000000 ISSI,综合硅解决方案 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 86-tfsop(0.400英寸,10.16毫米宽) IS45S32400 Sdram 3v〜3.6V 86-TSOP II 下载 rohs3符合条件 3(168)) 到达不受影响 Ear99 8542.32.0002 108 143 MHz 易挥发的 128mbit 5.4 ns 德拉姆 4m x 32 平行线 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库