SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 类型 特征 基本产品编号 输入类型 频率 电流 -供应 电压 -输入 电压 -输入(最大) 输出类型 温度系数 sic可编程 电路数 比率-输入:输出 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 其他名称 ECCN htsus 标准包 逻辑类型 元素数量 每个元素的位数 电流 -输出高,低,低 电压 -电源,单/双(±) 电压 -输入偏移(最大) 电流 -输入偏差(最大) 电流 -输出(典型) 电流 -静止(最大) CMRR,PSRR(类型) ((() 滞后 电流 -输出 /通道 输入数量 参考类型 电压 -电源( -vcc/vdd) 数据速率 界面 输入信号 输出信号 输出数量 电压源 最大传播延迟 @ v,max cl 当前-iq(iq) 电流 -供应(最大) 输入逻辑级别 -低 输入逻辑级别 -高 电路 独立电路 翻译类型 频道类型 每个电路通道 电压-V​​ CCA 电压-V​​ CCB 内部开关 拓扑 故障保护 控制功能 电压 -电源(最大) 输出配置 电流 -输出 RDS(类型) 电压 -负载 昏暗 电压 -电源(最小) 电压 -输出 开关类型 电流 -输出(最大) 电压 -输出(最小/固定) 噪声-0.1Hz至10Hz 噪声-10Hz至10KHz 电压-输出(最大) 监管机构数量 ((() PSRR 保护功能
TC9594XBG(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TC9594XBG(EL) 4.1715
RFQ
ECAD 9714 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 表面安装 80-VFBGA 未行业行业经验证 80-vfbga(7x7) 下载 3(168)) 264-TC9594XBG(EL)TR 1,000
TBD62084APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62084APG 1.4900
RFQ
ECAD 517 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜85°C(TA) 通过洞 18 浸(0.300英寸,7.62mm) - TBD62084 反转 n通道 1:1 18浸 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 25 不需要 打开/关 8 - 低侧 - (50V)) 通用目的 500mA
TA58M06S,MTDQ(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58M06S,MTDQ(j -
RFQ
ECAD 5672 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58M06 29V 固定的 TO-220NIS 下载 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 80 ma - 积极的 500mA 6V - 1 0.65V @ 500mA - 在电流上超过温度,反向极性
TCR15AGADJ,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR15AGADJ,LF 0.7000
RFQ
ECAD 18 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR15AG 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C 〜85°C(TJ) 表面安装 6-XFBGA,WLCSP TCR15 5.5V 可调节的 6-WCSPF(0.80x1.2) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 5,000 40 µA 使能够 积极的 1.5a 0.6V 3.6V 1 0.216V @ 1.5A 95dB (1KHz) 在电流,温度下,电压锁定( uvlo)
TC7SZ34F(T5L,JF,T) Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ34F (T5L,JF,T) -
RFQ
ECAD 4750 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7SZ (CT) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 SC-74A,SOT-753 TC7SZ34 - 推扣 1.65V〜5.5V SMV 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 3,000 缓冲,无变形 1 1 32mA,32mA
TBD62089APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62089APG 1.6600
RFQ
ECAD 9502 0.00000000 东芝半导体和存储 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 通过洞 20 DIP(0.300英寸,7.62mm) - TBD62089 不转变 n通道 1:1 20浸 下载 rohs3符合条件 不适用 Ear99 8542.39.0001 800 3v〜5.5V - 8 - 低侧 1.6OHM (50V)) 通用目的 500mA
TA78L12PF(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TA78L12PF(TE85L,F) -
RFQ
ECAD 9901 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -30°C 〜85°C 表面安装 8-SMD,平坦的铅 TA78L12 35V 固定的 PS-8(2.9x2.4) - Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 3,000 6 ma 6.5 MA - 积极的 150mA 12V - 1 2V @ 150ma(typ(typ) 41dB(120Hz) 在电流上超过温度
TA76431S,F(J Toshiba Semiconductor and Storage ta76431s,f(j -
RFQ
ECAD 3997 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 TA76431 - 可调节的 LSTM 下载 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 1 - 积极的 - 2.495V 36V 1 - - -
74LCX157FT Toshiba Semiconductor and Storage 74LCX157FT 0.1020
RFQ
ECAD 8155 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 16-TSSOP (0.173“,4.40mm宽度) 复用器 74LCX157 1.65V〜3.6V 16-TSSOPB 下载 rohs3符合条件 2,500 24mA,24mA 单供应 4 x 2:1 1
TC7WP3125FK,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7WP3125FK,LF(ct 0.4700
RFQ
ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7WP 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-VFSOP (0.091英寸,2.30mm) 巴士开关 TC7WP3125 1.1V〜2.7V,1.65V〜3.6V 8-SSOP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 3,000 12mA,12mA 双供应 2 x 1:1 1
TC7LX1108WBG(EL,AH Toshiba Semiconductor and Storage tc7lx1108wbg(埃尔,啊 0.8600
RFQ
ECAD 967 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7LX 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 24-ufbga,WLCSP 自动方向传感 7LX1108 三态,无向世 1 24-WCSPC(2.05x2.05) - Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 3,000 200Mbps - - 电压水平 双向 8 1.2 v〜3.6 v 1.2 v〜3.6 v
TC74LCX14FK(EL,K) Toshiba Semiconductor and Storage TC74LCX14FK(K) 0.4500
RFQ
ECAD 7899 0.00000000 东芝半导体和存储 74lcx 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 14-vfsop(0.118英寸,3.00mm) 施密特触发 74LCX14 6 1.65V〜3.6V 14-VSSOP 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 2,500 逆变器 24mA,24mA 10 µA 1 6.5NS @ 3.3V,50pf 0.3V〜0.6V 1.35V〜2.2V
TC7SH04FU,LJ Toshiba Semiconductor and Storage TC7SH04FU,LJ -
RFQ
ECAD 6045 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7SH 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 - 7SH04 1 2v〜5.5V 5-SSOP 下载 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 3,000 逆变器 8mA,8mA 2 µA 1 7.5NS @ 5V,50pf 0.5V 1.5V
TA76431AS(T6SOY,FM Toshiba Semiconductor and Storage TA76431AS (T6SOY,FM -
RFQ
ECAD 4208 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 - -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 TA76431 - - - - LSTM 下载 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 1 - - - -
TB62779FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62779FNG,El -
RFQ
ECAD 7769 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) - 表面安装 20-lssop (0.173“,4.40mm宽度) 线性 TB62779 - 20ssop 下载 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 2,000 40mA 9 是的 - 5.5V PWM 3V 4V
TBD62064APG,HZ Toshiba Semiconductor and Storage TBD62064APG,Hz 1.4900
RFQ
ECAD 37 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜85°C(TA) 通过洞 16 浸(0.300英寸,7.62mm) - TBD62064 反转 n通道 1:1 16二滴 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 25 不需要 打开/关 4 - 低侧 430MOHM (50V)) 通用目的 1.25a
TCR2EF41,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF41,LM(ct 0.3300
RFQ
ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EF 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A,SOT-753 TCR2EF41 5.5V 固定的 SMV 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 3,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 4.1V - 1 0.2V @ 150mA 73dB (1KHz) 超过电流
TB6613FTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6613FTG,8,El 1.2236
RFQ
ECAD 2740 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴((tr) 积极的 TB6613 下载 rohs3符合条件 3(168)) TB6613FTG8EL Ear99 8542.39.0001 2,000
TCK22971G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22971G,LF 0.5500
RFQ
ECAD 6777 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 6-ufbga,WLCSP 控制率控制 TCK22971 不转变 P通道 1:1 6-WCSPE(0.80x1.2) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 反向电流 高侧 25mohm 1.1V〜5.5V 通用目的 2a
TCR13AGADJ,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR13AGADJ,LF 0.4500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR13AG 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C 〜85°C(TJ) 表面安装 6-XFBGA,WLCSP TCR13 6V 可调节的 6-WCSP(1.2x0.80) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 5,000 92 µA 使能够 积极的 1.3a 0.55V 3.6V 1 0.163V @ 1A 90dB(1KHz) 电流电流,超过电流,热关闭,uvlo
TC75W59FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC75W59FU,LF 0.5800
RFQ
ECAD 330 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 8-tssop,8-msop (0.110英寸,2.80mm) 通用目的 TC75W59 打开排水 8-SSOP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 3,000 2 1.8V〜7V,±0.9V〜3.5V 7MV @ 5V 1PA @ 5V 25mA 220µA - 200NS -
TBD62064AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62064AFG,El 1.6700
RFQ
ECAD 31 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 16-bsop (0.252英寸,6.40mm +) + 2热标签 - TBD62064 反转 n通道 1:1 16-HSOP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 1,500 不需要 打开/关 4 - 低侧 430MOHM (50V)) 通用目的 1.25a
TCK128BG,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK128BG,LF 0.4800
RFQ
ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 4-XFBGA,CSPBGA 负载排放,控制率 TCK128 不转变 P通道 1:1 4-WCSPG(0.65x0.65) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 - 高侧 343mohm 1V〜5.5V 通用目的 1a
TA76431S,T6MURAF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76431,T6Muraf(j。 -
RFQ
ECAD 3381 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 TA76431 - 可调节的 LSTM 下载 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 1 - 积极的 - 2.495V 36V 1 - - -
TA78DS05BP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS05BP,f(j -
RFQ
ECAD 3395 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 TA78DS 33V 固定的 LSTM 下载 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 1 MA - 积极的 30mA 5V - 1 0.3V @ 10mA - 在电流上超过温度,超过电压,瞬态电压
TC74HC4050AFTEL Toshiba Semiconductor and Storage TC74HC4050AFTEL 0.1724
RFQ
ECAD 3934 0.00000000 东芝半导体和存储 74HC 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 16-TSSOP (0.173“,4.40mm宽度) 74HC4050 - 推扣 2v〜6V 16-TSSOP 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 2,000 缓冲,无变形 6 1 7.8mA,7.8mA
TC7WH34FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7WH34FU,LJ(ct 0.3900
RFQ
ECAD 6062 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7WH 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 8-tssop,8-msop (0.110英寸,2.80mm) TC7WH34 - 推扣 2v〜5.5V 8-SSOP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 3,000 缓冲,无变形 3 1 8mA,8mA
TCR2LN32,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN32,LF 0.0896
RFQ
ECAD 9032 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C 〜85°C(TJ) 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2LN32 5.5V 固定的 4-SDFN(0.8x0.8) 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 3.2V - 1 0.28V @ 150mA - 超过电流
TA58L05S(SUMIS,AQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S(SUMIS,AQ) -
RFQ
ECAD 7219 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58L05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 50 mA - 积极的 250mA 5V - 1 0.4V @ 200mA - 在电流上超过温度
TA76431AS(T6SOY,AF Toshiba Semiconductor and Storage TA76431AS (T6SOY,AF -
RFQ
ECAD 6330 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 - -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 TA76431 - - - - LSTM 下载 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 1 - - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库