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（IC）（2120）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 类型 基本产品编号 技术 电流 -供应 电压 -输入（最大） 输出类型 电路数 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 元素数量 功能 电压 -电源，单/双（±） 电压 -输入偏移（最大） 电流 -输入偏差（最大） 电流 -输出（典型） 电流 -静止（最大） CMRR，PSRR（类型） （（（） 滞后 杀伤率 电流 -输出 /通道 放大器类型 获得带宽产品 电流 -输入偏差 电压 -输入偏移 电压 -供应跨度（最小） 电压 -供应跨度（最大） 界面 输出数量 当前-iq（iq） 电流 -供应（最大） 拓扑 频率 -切换 控制功能 输出配置 同步整流器 电流 -输出 电压 -负载 电机类型 -步进 电机类型-AC，DC 步骤分辨率 电压 -输出（最小/固定） 电压 -输出（最大） 电压 -输入（最小） 监管机构数量 （（（） PSRR 保护功能
TA58M10F(TE16L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TA58M10F （TE16L1，NQ -
RFQ
 ECAD 2343 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜105°C 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TA58M10 29V 固定的 PW-MOLD - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 1.2 ma 80 ma - 积极的 500mA 10V - 1 0.65V @ 500mA - 在电流上超过温度，反向极性
TCR3DF17,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF17，LM（ct 0.0906
RFQ
 ECAD 8478 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3DF17 5.5V 固定的 SMV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 使能够 积极的 300mA 1.7V - 1 0.47V @ 300mA 70dB（1KHz） 电流，高度，温度
TCR5BM105,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR5BM105，L3F 0.4100
RFQ
 ECAD 333 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5BM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR5BM105 5.5V 固定的 5-DFNB（1.2x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 36 µA 使能够 积极的 500mA 1.05V - 1 0.14V @ 500mA 98dB （1KHz） 在电流上超过温度
TCR3DM33,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM33，LF 0.3600
RFQ
 ECAD 3246 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 TCR3DM33 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 65 µA 78 µA 使能够 积极的 300mA 3.3V - 1 0.23V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TB7101AF(T5L3.3,F) Toshiba Semiconductor and Storage tb7101af（t5l3.3，f） -
RFQ
 ECAD 3163 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 TB7101 5.5V 固定的 PS-8（2.9x2.4） - （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 降压 1 巴克 1MHz 积极的 是的 1a 3.3V - 4.3V
TCR3RM09A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM09A，LF （SE 0.4600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3RM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR3RM09 5.5V 固定的 4-DFNC（1x1） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 12 µA 当前限制，启用 积极的 300mA 0.9V - 1 - - 在电流上超过温度
TA78L005AP,6FNCF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L005AP，6fncf（j -
RFQ
 ECAD 8175 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78L005 35V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 6 ma - 积极的 150mA 5V - 1 1.7V @ 40mA ty（typ） 49dB（120Hz） -
TA58L05S,L2SUMIQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S，L2SUMIQ （M -
RFQ
 ECAD 5073 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58L05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 50 mA - 积极的 250mA 5V - 1 0.4V @ 200mA - 在电流上超过温度
TCR8BM08A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM08A，L3F 0.4600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR8BM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xdfn暴露垫 5.5V 固定的 5-DFNB（1.2x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 36 µA 当前限制，启用 积极的 800mA 0.8V - 1 0.21V @ 800mA 98dB （1KHz） 在电流，温度下，电压锁定（ uvlo）
TCR2EN19,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN19，LF -
RFQ
 ECAD 2624 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2en 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2EN19 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.9V - 1 0.29V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR3DF125,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF125，LM（ct 0.0906
RFQ
 ECAD 8844 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3DF125 5.5V 固定的 SMV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 使能够 积极的 300mA 1.25V - 1 0.62V @ 300mA 70dB（1KHz） 电流，高度，温度
TCR2EN30,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN30，LF 0.0896
RFQ
 ECAD 9513 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2en 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2EN30 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 3V - 1 0.18V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR2DG32,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG32，LF 0.1394
RFQ
 ECAD 4709 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-ufbga，WLCSP 5.5V 固定的 4-WCSP（0.79x0.79） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 3,000 70 µA 使能够 积极的 200mA 3.2V - 1 0.11V @ 100mA - 在电流上超过温度
TCR3UF105A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UF105A，LM （CT 0.4100
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3UF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3UF105 5.5V 固定的 SMV - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 580 NA 使能够 积极的 300mA 1.05V - 1 1.057V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TCR3UM28A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage tcr3um28a，lf（Se 0.4700
RFQ
 ECAD 9199 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 680 NA 当前限制，启用 积极的 300mA 2.8V - 1 0.327V @ 300mA - 在电流上超过温度
TCR3DF285,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF285，LM（ct 0.0906
RFQ
 ECAD 9633 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3DF285 5.5V 固定的 SMV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 使能够 积极的 300mA 2.85V - 1 0.27V @ 300mA 70dB（1KHz） 电流，高度，温度
TCR2LN105,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN105，lf（Se 0.3800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xfdfn暴露垫 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 1.05V - 1 1.38V @ 150mA - 超过电流
TB62213AHQ Toshiba Semiconductor and Storage TB62213AHQ -
RFQ
 ECAD 3279 0.00000000 东芝半导体和存储 - 托盘 过时的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 通过洞 25-SIP形成的铅 TB62213 动力mosfet 4.75V〜5.25V 25-Hzip 下载 （1 （无限） TB62213AHQ（O） Ear99 8542.39.0001 504 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 2.4a 10v〜38V 双极 - 1、1/2、1/4
TC75W56FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC75W56FU，LF 0.5100
RFQ
 ECAD 6044 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 8-tssop，8-msop （0.110英寸，2.80mm） 通用目的 TC75W56 推扣 8-SSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 2 1.8V〜7V，±0.9V〜3.5V 7MV @ 5V 1PA @ 5V 25mA 40µA - 680NS -
TCR3DF105,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF105，LM（ct 0.4900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3DF105 5.5V 固定的 SMV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 使能够 积极的 300mA 1.05V - 1 0.77V @ 300mA 70dB（1KHz） 电流，高度，温度
TCR3DG11,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG11，LF 0.3900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-XFBGA，CSPBGA TCR3DG11 5.5V 固定的 4-WCSPE（0.65x0.65） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 使能够 积极的 300mA 1.1V - 1 0.65V @ 300mA 70dB（1KHz） 电流，高度，温度
TAR5S35U(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S35U（TE85L，F） 0.4700
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 6-SMD（5条线），平坦的铅 TAR5S35 15V 固定的 UFV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 850 µA 使能够 积极的 200mA 3.5V - 1 0.2V @ 50mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TCR2EN11,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN11，LF 0.0798
RFQ
 ECAD 3856 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2en 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2EN11 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.1V - 1 0.65V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR2LE085,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE085，LM（ct 0.0742
RFQ
 ECAD 7723 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SOT-553 5.5V 固定的 ESV 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 4,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 0.85V - 1 1.58V @ 150mA - 超过电流
TB67S149AFTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S149AFTG，El 1.7809
RFQ
 ECAD 6157 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 通用目的 表面安装 48-WFQFN暴露垫 NMOS 4.75V〜5.25V 48-WQFN（7x7） 下载 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 打开/关 - - 10v〜40V 单极 - -
TCR2LE18,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE18，LM（ct 0.4400
RFQ
 ECAD 7508 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SOT-553 TCR2LE18 5.5V 固定的 ESV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 1.8V - 1 0.62V @ 150mA - 超过电流
TB67S539SFTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S539SFTG，El 0.8343
RFQ
 ECAD 1329 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 通用目的 表面安装 32-VFQFN暴露垫 DMO 4.5V〜33V 32-VQFN （5x5） 下载 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 逻辑 （4） 1.8a 4.5V〜33V 双极 - 1、1/2、1/4、1/8、1/16、1/32
TC75S67TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC75S67TU，LF 0.4700
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 6-SMD（5条线），平坦的铅 TC75S67 430µA - 1 UFV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.33.0001 3,000 1V/µs 4 mA CMOS 3.5 MHz 1 PA 500 µV 2.2 v 5.5 v
TCR2LF13,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF13，LM（ct 0.3800
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR2LF13 5.5V 固定的 SMV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 1.3V - 1 1.13V @ 150mA - 超过电流
TCR3RM29A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM29A，LF 0.4600
RFQ
 ECAD 105 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3RM 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR3RM29 5.5V 固定的 4-DFNC（1x1） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 - 积极的 300mA 2.9V - 1 0.13V @ 300mA 100dB （1KHz） 在电流上超过温度
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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