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（IC）（2120）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 类型 特征 基本产品编号 输入类型 技术 电流 -供应 电压 -输入 频道数量 电压 -输入（最大） 输出类型 温度系数 电路数 比率-输入：输出 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 逻辑类型 元素数量 每个元素的位数 电流 -输出高，低，低 功能 电流 -静止（最大） -3dB带宽 输入数量 参考类型 i/o的数量 核心处理器 核心大小 速度 连接性 外围设备 程序内存大小 程序内存类型 EEPROM大小 ram大小 电压 -电源（ -vcc/vdd） 数据转换器 振荡器类型 开关电路 多路复用器/弹能电路 （（（） 电压 -电源，单个（，v+） 电压 -电源，双（ v±） 协议 驱动程序/接收器的数量 双工 数据速率 界面 输出数量 最大传播延迟 @ v，max cl 当前-iq（iq） 电流 -供应（最大） 输入逻辑级别 -低 输入逻辑级别 -高 电路 独立电路 t -t -传播 故障保护 控制功能 输出配置 电流 -输出 RDS（类型） 电压 -负载 电机类型 -步进 电机类型-AC，DC 步骤分辨率 开关类型 电流 -输出（最大） 电压 -输出（最小/固定） 噪声-0.1Hz至10Hz 噪声-10Hz至10KHz 电压-输出（最大） 监管机构数量 （（（） PSRR 保护功能
TCK1024G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK1024G，LF 0.5600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 6-ufbga，WLCSP 负载排放 TCK1024 不转变 P通道 1：1 6-WCSPE（0.80x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 - 打开/关 1 （），温度，反向电流 高侧 31mohm 1.4V〜5.5V 通用目的 1.54a
TA76432S(F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TA76432S（f，m） -
RFQ
 ECAD 7801 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 - -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA76432 - - - - LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 - - - -
TC74AC373P(F) Toshiba Semiconductor and Storage TC74AC373P（f） -
RFQ
 ECAD 2207 0.00000000 东芝半导体和存储 TC74AC 管子 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 20 DIP（0.300英寸，7.62mm） 74AC373 三州 2v〜5.5V 20浸 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 20 D 75mA，75mA 8：8 1 5.8ns
TC7SZ126FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ126FE，LM 0.4500
RFQ
 ECAD 645 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7SZ （CT） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 SOT-553 TC7SZ126 - 推扣 1.65V〜5.5V ESV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 缓冲，无变形 1 1 32mA，32mA
TC7WH00FK,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7WH00FK，LJ（ct 0.0871
RFQ
 ECAD 7043 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7WH 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 8-VFSOP （0.091英寸，2.30mm） - 7WH00 2 2v〜5.5V 8-SSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） TC7WH00FKLJ（ct Ear99 8542.39.0001 3,000 nand 8mA，8mA 2 µA 4 7.5NS @ 5V，50pf - -
TC7PCI3215MT,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7PCI3215MT，LF 1.4600
RFQ
 ECAD 2733 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） pciexpress® 表面安装 20-UFQFN暴露垫 - TC7PCI3215 4 20-TQFN（2.5x4.5） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 11.5GHz SPDT 2：1 13.5ohm 3v〜3.6V -
TB9054FTG(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB9054FTG（EL） 4.3700
RFQ
 ECAD 75 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 汽车 表面安装 40-VFQFN暴露垫 TB9054 DMO 4.5V〜28V 40-qfn （6x6） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM，SPI （4） 6a 4.5V〜28V 双极 DC -
TB67S265FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S265FTG，El 1.1819
RFQ
 ECAD 3827 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-WFQFN暴露垫 TB67S265 动力mosfet 4.75V〜5.25V 48-WQFN（7x7） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行，串行 （4） 2a 10v〜47V 双极 - 1，1/2
TB6614FNG,C,EL Toshiba Semiconductor and Storage tb6614fng，c，el -
RFQ
 ECAD 4247 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 16-lssop （0.173英寸，4.40mm） TB6614 动力mosfet 2.7V〜5.5V 16ssop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 1a 2.5V〜13.5V - DC -
TCR2LN32,LSF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN32，LSF （Se 0.3800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xfdfn暴露垫 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 3.2V - 1 0.28V @ 150mA - 超过电流
TB6633AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB66333333，El -
RFQ
 ECAD 8641 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 24-lssop （0.220英寸，5.60mm宽度） TB6633 动力mosfet 5.5V〜22V 24 SSOP 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 类似物 3（3） 1a 5.5V〜22V - DC（BLDC） -
TA76L431S(T6SOY,AQ Toshiba Semiconductor and Storage TA76L431S（t6soy，水溶液 -
RFQ
 ECAD 2963 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 - -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA76L431 - - - - LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 - - - -
TCK126BG,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK126BG，LF 0.4800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 4-XFBGA，CSPBGA 控制率控制 TCK126 不转变 P通道 1：1 4-WCSPG（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 - 高侧 343mohm 1V〜5.5V 通用目的 1a
TCR3UF28A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UF28A，LM（ct 0.4100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3UF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3UF28 5.5V 固定的 SMV - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 680 NA 使能够 积极的 300mA 2.8V - 1 0.342V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TB62213AFTG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62213AFTG，C8，El 1.7398
RFQ
 ECAD 3295 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-VFQFN暴露垫 TB62213 动力mosfet 4.75V〜5.25V 48-qfn （7x7） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 2.4a 10v〜38V 双极 - 1、1/2、1/4
TA78L10F(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TA78L10F（TE12L，F） -
RFQ
 ECAD 2002 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -30°C 〜85°C 表面安装 TO-243AA TA78L10 35V 固定的 PW-Mini（SOT-89） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1,000 6 ma 6.5 MA - 积极的 150mA 10V - 1 - 43dB （120Hz） 在电流上超过温度
TCK22972G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22972G，LF 0.1807
RFQ
 ECAD 7624 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 6-ufbga，WLCSP 控制率控制 TCK22972 不转变 P通道 1：1 6-WCSPE（0.80x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 反向电流 高侧 25mohm 1.1V〜5.5V 通用目的 2a
TD62083AFNG,N Toshiba Semiconductor and Storage TD62083AFNG，n -
RFQ
 ECAD 6864 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 18-lssop （0.173“，4.40mm宽度） 司机 TD62083 5V 18 sop 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 60 - 8/0 - -
KIA78DL06PI Toshiba Semiconductor and Storage KIA78DL06PI -
RFQ
 ECAD 7915 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 积极的 Kia78 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 50
TC7S04FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7S04FU，LF 0.4400
RFQ
 ECAD 992 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 - 7S04 1 2v〜6V 5-SSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 逆变器 2.6mA，2.6mA 1 µA 1 17ns @ 6v，50pf 0.5V〜1.8V 1.5V〜4.2V
TB62269FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62269FTG，El 2.2800
RFQ
 ECAD 2460 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-WFQFN暴露垫 TB62269 动力mosfet 4.75V〜5.25V 48-WQFN（7x7） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 1.8a 10v〜38V 双极 - 1〜1/32
TCR8BM33A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM33A，L3F 0.4600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR8BM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xdfn暴露垫 5.5V 固定的 5-DFNB（1.2x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 36 µA 当前限制，启用 积极的 800mA 3.3V - 1 0.285V @ 800mA - 在电流，温度下，电压锁定（ uvlo）
TCR2DG185,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG185，LF 0.1394
RFQ
 ECAD 7925 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-ufbga，WLCSP 5.5V 固定的 4-WCSP（0.79x0.79） - rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 3,000 70 µA 使能够 积极的 200mA 1.85V - 1 0.19V @ 500mA - 在电流上超过温度
TCR3LM08A,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3LM08A，RF 0.3700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3LM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） - rohs3符合条件 （1 （无限） 5,000 2.2 µA 当前限制，启用 积极的 300mA 0.8V - 1 - 74DB〜43DB （100Hz〜100KHz） 在电流上超过温度
TC74ACT240F(EL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TC74ACT240F（f），f） 0.3966
RFQ
 ECAD 1090 0.00000000 东芝半导体和存储 74ACT 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 20-SOIC （0.209英寸，5.30mm） 74ACT240 - 三州 4.5V〜5.5V 20 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 缓冲，反转 2 4 24mA，24mA
TA76L431S(T6SOY,QM Toshiba Semiconductor and Storage TA76L431S （T6SOY，QM -
RFQ
 ECAD 9027 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 - -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA76L431 - - - - LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 - - - -
TMPM3H2FSQG,A,EL Toshiba Semiconductor and Storage TMPM3H2FSQG，A，El 2.6334
RFQ
 ECAD 5609 0.00000000 东芝半导体和存储 TX03 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 48-VFQFN暴露垫 TMPM3H2 48-VQFN （6x6） 下载 Rohs符合条件 3（168）） 3A991A2 8542.31.0001 4,000 40 ARM®Cortex®-M3 32位单核 40MHz i²c，spi，uart/usart DMA，LVD，POR，WDT 16KB（16k x 8） 闪光 - 8k x 8 2.7V〜5.5V A/D 8x12b; D/A 1x8b 内部的
TCR3UF18A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UF18A，LM（ct 0.4100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3UF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3UF18 5.5V 固定的 SMV - rohs3符合条件 （1 （无限） 264-TCR3UF18ALM（ct Ear99 8542.39.0001 3,000 680 NA - 积极的 300mA 1.8V - 1 0.464V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TA78L018AP,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L018AP，WNLF（j -
RFQ
 ECAD 7079 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78L018 40V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 6.5 MA - 积极的 150mA 18V - 1 1.7V @ 40mA ty（typ） 38dB（120Hz） 超过电流
TA78L005AP,T6NSF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L005AP，T6NSF（j -
RFQ
 ECAD 3616 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78L005 35V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 6 ma - 积极的 150mA 5V - 1 1.7V @ 40mA ty（typ） 49dB（120Hz） -
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    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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