SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 类型 特征 基本产品编号 输入类型 频率 技术 电压 -输入(最大) 输出类型 电路数 比率-输入:输出 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 其他名称 ECCN htsus 标准包 逻辑类型 元素数量 每个元素的位数 电流 -输出高,低,低 功能 电流 -静止(最大) -3dB带宽 电流 -输出 /通道 输入数量 i/o的数量 核心处理器 核心大小 速度 连接性 外围设备 程序内存大小 程序内存类型 EEPROM大小 ram大小 电压 -电源( -vcc/vdd) 数据转换器 振荡器类型 开关电路 多路复用器/弹能电路 ((() (Δron)) 电压 -电源,单个(,v+) 电压 -电源,双( v±) ((toff)(toff))(toff)) 电荷注入 (cs(),(cd()(cd)) (((( 相声 界面 时钟频率 输出数量 电压源 触发类型 最大传播延迟 @ v,max cl 当前-iq(iq) 输入电容 输入逻辑级别 -低 输入逻辑级别 -高 电路 独立电路 t -t -传播 内部开关 拓扑 故障保护 控制功能 电压 -电源(最大) 输出配置 电流 -输出 RDS(类型) 电压 -负载 电机类型 -步进 电机类型-AC,DC 步骤分辨率 昏暗 电压 -电源(最小) 电压 -输出 开关类型 电流 -输出(最大) 电压 -输出(最小/固定) 电压 -输出(最大) 监管机构数量 ((() PSRR 保护功能
TB62214AFTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62214AFTG,8,El -
RFQ
ECAD 9704 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -20°C〜150°C(TJ) 通用目的 表面安装 48-VFQFN暴露垫 TB62214 DMO 4.75V〜5.25V 48-qfn (7x7) 下载 3(168)) Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成,控制和权力阶段,控制和权力阶段 平行线 (4) 2a 10v〜38V 双极 - 1、1/2、1/4
TC7SZ07FE,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ07FE,LJ(ct 0.3700
RFQ
ECAD 4153 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7SZ 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 SOT-553 TC7SZ07 - 打开排水 1.65V〜5.5V ESV 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 4,000 缓冲,无变形 1 1 - ,32mA
74VHC573FT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHC573FT 0.5800
RFQ
ECAD 9316 0.00000000 东芝半导体和存储 74VHC 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 20-tssop (0.173“,4.40mm宽度) 74VHC573 三州 2v〜5.5V 20-tssop 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 2,500 D 8mA,8mA 8:8 1 6.5NS
TC4S69F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TC4S69F te85l,f) -
RFQ
ECAD 9435 0.00000000 东芝半导体和存储 TC4S 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A,SOT-753 - TC4S69 1 3v〜18V SMV - (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 3,000 逆变器 3.4mA,3.4mA 1 µA 1 80ns @ 15v,50pf 1.5V〜4V 3.5V〜11V
TC74VHC138F(EL,K,F Toshiba Semiconductor and Storage tc74vhc138f(埃尔,k,f 0.6300
RFQ
ECAD 7413 0.00000000 东芝半导体和存储 TC74VHC 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 16-Soic(0.209英寸,宽度为5.30mm) 解码器 74VHC138 2v〜5.5V 16 SOP - Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 2,000 8mA,8mA 单供应 1 x 3:8 1
74HC374D Toshiba Semiconductor and Storage 74HC374D 0.5800
RFQ
ECAD 8464 0.00000000 东芝半导体和存储 74HC 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 20-SOIC (0.295英寸,7.50mm宽度) D 74HC374 三态,无向世 2v〜6V 20-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 2,000 1 8 7.8mA,7.8mA 标准 90 MHz 正优势 32ns @ 6v,150pf 4 µA 3 pf
74HC573D Toshiba Semiconductor and Storage 74HC573D 0.7600
RFQ
ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 74HC 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 20-SOIC (0.295英寸,7.50mm宽度) 74HC573 三州 2v〜6V 20-SOIC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 2,000 D 7.8mA,7.8mA 8:8 1 26ns
TC62D722CFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC62D722CFG,El -
RFQ
ECAD 8068 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) - 表面安装 24-sop (0.236英寸,6.00mm宽度) 线性 TC62D722 - 24 SSOP 下载 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 2,000 90mA 16 是的 换档 5.5V - 3V 17V
TC74HC00AFELF Toshiba Semiconductor and Storage TC74HC00AFF 0.1932
RFQ
ECAD 2039 0.00000000 东芝半导体和存储 74HC 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜85°C 表面安装 14- 材料(0.209英寸,宽度为5.30mm) - 74hc00 4 2v〜6V 14分 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 2,000 nand 5.2mA,5.2mA 1 µA 2 13ns @ 6v,50pf 0.5V〜1.8V 1.5V〜4.2V
TB67H451FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H451FNG,El 1.5300
RFQ
ECAD 48 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 不适合新设计 -40°C〜85°C(TA) 通用目的 表面安装 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) TB67H451 - 2v〜5.5V 8-hsop 下载 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 3,500 司机 - 半桥 3.5a 4.5V〜44V - DC -
TCR3UF18A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UF18A,LM(ct 0.4100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3UF 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A,SOT-753 TCR3UF18 5.5V 固定的 SMV - rohs3符合条件 (1 (无限) 264-TCR3UF18ALM(ct Ear99 8542.39.0001 3,000 680 NA - 积极的 300mA 1.8V - 1 0.464V @ 300mA 70dB(1KHz) 在电流上超过温度
TCR8BM12A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM12A,L3F 0.4900
RFQ
ECAD 2328 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR8BM 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR8BM12 5.5V 固定的 5-DFNB(1.2x1.2) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 5,000 36 µA 当前限制,启用 积极的 800mA 1.2V - 1 0.26V @ 800mA 98dB (1KHz) 在电流,温度下,电压锁定( uvlo)
TCR3UG08A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG08A,LF 0.4700
RFQ
ECAD 4143 0.00000000 东芝半导体和存储 tcr3ug 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C 〜85°C(TJ) 表面安装 4-XFBGA,WLCSP TCR3UG08 5.5V 固定的 4-WCSP-F(0.65x0.65) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 5,000 580 NA 使能够 积极的 300mA 0.8V - 1 1.257V @ 300mA 70dB(1KHz) 电流电流,超过电流的热关机
TA76431S(T6PSETEMF Toshiba Semiconductor and Storage TA76431S(t6psetemf -
RFQ
ECAD 3306 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 TA76431 - 可调节的 LSTM 下载 (1 (无限) TA76431ST6PSETEMF Ear99 8542.39.0001 1 - 积极的 - 2.495V 36V 1 - - -
TC7SB67CFU,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SB67CFU,LF(ct 0.3700
RFQ
ECAD 7144 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 TC7SB67 1 5-SSOP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 3,000 - spst-不 1:1 12ohm - 1.65V〜5.5V - 4NS,4.5NS - 5pf 1µA -
TC7SHU04FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage TC7SHU04FE,LM -
RFQ
ECAD 8952 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7SHU 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 - 7shu04 1 2v〜5.5V ESV - (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 4,000 逆变器 8mA,8mA 2 µA 1 7NS @ 5V,50pf 0.3V 1.7V
TC74VHC32FK(EL,K) Toshiba Semiconductor and Storage TC74VHC32FK(K) 0.5100
RFQ
ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 TC74VHC 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 14-vfsop(0.118英寸,3.00mm) - 74VHC32 4 2v〜5.5V 14-VSSOP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 2,500 或门 8mA,8mA 2 µA 2 7.5NS @ 5V,50pf 0.1V〜36V 2v〜4.5V
TC78H653FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H653FTG,El 1.5600
RFQ
ECAD 35 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜105°C 通用目的 表面安装 16-VFQFN暴露垫 TC78H653 DMO 1.8V〜7V 16-vqfn (3x3) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成,控制和权力阶段,控制和权力阶段 - (4) 4a 1.8V〜7V 双极 DC -
TCR3DF27,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF27,LM(ct 0.0906
RFQ
ECAD 6228 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A,SOT-753 TCR3DF27 5.5V 固定的 SMV 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 3,000 使能够 积极的 300mA 2.7V - 1 0.31V @ 300mA 70dB(1KHz) 电流,高度,温度
TMPM3HQFDFG(DBB) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM3HQFDFG(DBB) 9.1600
RFQ
ECAD 375 0.00000000 东芝半导体和存储 TX03 托盘 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 144-FQFP TMPM3 144-LQFP(20x20) 下载 Rohs符合条件 3(168)) 3A991A2 8542.31.0001 60 134 ARM®Cortex®-M4 32位单核 80MHz i²c,spi,uart/usart DMA,LVD,POR,WDT 512KB (512K x 8) 闪光 32K x 8 64k x 8 2.7V〜5.5V A/D 21x12b; D/A 2x8b 内部的
TB67H400AFTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H400AFTG,El 3.4100
RFQ
ECAD 11 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -20°C〜150°C(TJ) 通用目的 表面安装 48-WFQFN暴露垫 TB67H400 动力mosfet 4.75V〜5.25V 48-WQFN(7x7) 下载 rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成,控制和权力阶段,控制和权力阶段 平行,PWM (4) 6a 10v〜47V - DC -
74LCX273FT Toshiba Semiconductor and Storage 74LCX273FT 0.4000
RFQ
ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 74lcx 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 20-tssop (0.173“,4.40mm宽度) D 74LCX273 无向世 1.65V〜3.6V 20-TSSOPB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 2,500 1 8 24mA,24mA 重置 135 MHz 正优势 9.5NS @ 3.3V,50pf 40 µA 7 pf
TC7MB3125CFK-EL(M) Toshiba Semiconductor and Storage TC7MB3125CFK-EL(M) -
RFQ
ECAD 3659 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7MB 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 14-vfsop(0.118英寸,3.00mm) 巴士开关 TC7MB3125 4v〜5.5V 14-VSSOP - (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 2,500 - 单供应 1 x 1:1 4
TC74ACT00P(F) Toshiba Semiconductor and Storage TC74ACT00P(f) 0.5844
RFQ
ECAD 1541年 0.00000000 东芝半导体和存储 TC74ACT 管子 不适合新设计 -40°C〜85°C 通过洞 14 浸(0.300英寸,7.62mm) - 74ACT00 4 4.5V〜5.5V 14浸 - Rohs符合条件 不适用 Ear99 8542.39.0001 1 nand 24mA,24mA 4 µA 2 7.9NS @ 5V,50pf 0.8V 2V
TC74VHCT245AFTEL Toshiba Semiconductor and Storage TC74VHCT245Aftel -
RFQ
ECAD 7968 0.00000000 东芝半导体和存储 TC74VHCT 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 20-tssop (0.173“,4.40mm宽度) 74VHCT245 - 三州 4.5V〜5.5V 20-tssop 下载 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 2,000 收发器,无变形 1 8 8mA,8mA
TCK22921G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22921G,LF 0.1675
RFQ
ECAD 7646 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 6-ufbga,WLCSP 负载排放,控制率 TCK22921 不转变 P通道 1:1 6-WCSPE(0.80x1.2) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 反向电流 高侧 25mohm 1.1V〜5.5V 通用目的 2a
TLP7830(D4KWJTLE Toshiba Semiconductor and Storage TLP7830(d4kwjtle -
RFQ
ECAD 9915 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP7830 - (1 (无限) 264-TLP7830(d4kwjtle 过时的 50
TCR3DM18,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM18,lf(Se 0.4800
RFQ
ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 5.5V 固定的 4-DFN(1x1) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 10,000 使能够 积极的 300mA 1.8V - 1 0.38V @ 300mA - 在电流上超过温度
TC7SH125FSTPL3 Toshiba Semiconductor and Storage TC7SH125FSTPL3 -
RFQ
ECAD 6140 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7SH 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 SOT-953 TC7SH125 - 三州 2v〜5.5V FSV - (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 10,000 缓冲,无变形 1 1 8mA,8mA
TCR3DG11,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG11,LF 0.3900
RFQ
ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DG 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-XFBGA,CSPBGA TCR3DG11 5.5V 固定的 4-WCSPE(0.65x0.65) 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 5,000 使能够 积极的 300mA 1.1V - 1 0.65V @ 300mA 70dB(1KHz) 电流,高度,温度
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库