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（IC）（2120）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 类型 特征 基本产品编号 输入类型 技术 电压 -输入（最大） 输出类型 电路数 比率-输入：输出 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 逻辑类型 元素数量 每个元素的位数 电流 -输出高，低，低 功能 电压 -电源，单/双（±） 电压 -输入偏移（最大） 电流 -输入偏差（最大） 电流 -输出（典型） 电流 -静止（最大） CMRR，PSRR（类型） （（（） 滞后 输入数量 i/o的数量 核心处理器 核心大小 速度 连接性 外围设备 程序内存大小 程序内存类型 EEPROM大小 ram大小 电压 -电源（ -vcc/vdd） 数据转换器 振荡器类型 界面 输出数量 电压源 最大传播延迟 @ v，max cl 当前-iq（iq） 电流 -供应（最大） 输入逻辑级别 -低 输入逻辑级别 -高 电路 独立电路 拓扑 频率 -切换 故障保护 控制功能 输出配置 同步整流器 电流 -输出 RDS（类型） 电压 -负载 电机类型 -步进 电机类型-AC，DC 步骤分辨率 开关类型 电流 -输出（最大） 电压 -输出（最小/固定） 电压-输出（最大） 电压 -输入（最小） 监管机构数量 （（（） PSRR 保护功能
TB67H451AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H451AFNG，El 1.5300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 通用目的 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） TB67H451 Bicdmos - 8-hsop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 264-TB67H451FNGELCT Ear99 8542.39.0001 3,500 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM 前驾驶员 -半桥 3.5a 4.5V〜44V 双极 DC -
TC75W70L8X,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC75W70L8X，LF -
RFQ
 ECAD 6745 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 8-UFQFN暴露垫 通用目的 TC75W70 推扣 SOT-902 下载 （1 （无限） Ear99 8542.33.0001 5,000 2 1.3V〜5.5V 6MV @ 3V 1Pa @ 3V 18mA @ 3V 47µA - 800NS -
TCR3DM105,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM105，LF 0.4500
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 TCR3DM105 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 65 µA 78 µA 使能够 积极的 300mA 1.05V - 1 0.75V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TA78L015AP,6MURF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78L015AP，6Murf （m -
RFQ
 ECAD 9977 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78L015 35V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 6.5 MA - 积极的 150mA 15V - 1 1.7V @ 40mA ty（typ） 40dB （120Hz） 在电流上超过温度
TB67S103AFTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S103AFTG，El 1.6439
RFQ
 ECAD 3309 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-WFQFN暴露垫 TB67S103 动力mosfet 4.75V〜5.25V 48-WQFN（7x7） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 spi （4） 3a 10v〜47V 双极 - 1〜1/32
TCK107AG,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK107AG，LF 0.4800
RFQ
 ECAD 277 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 4-ufbga，WLCSP 负载排放，控制率 TCK107 不转变 P通道 1：1 4-WCSPD（0.79x0.79） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 - 高侧 34mohm 1.1V〜5.5V 通用目的 1a
TCR2LN31,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN31，lf（Se 0.3800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xfdfn暴露垫 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 3.1V - 1 0.28V @ 150mA - 超过电流
TBD62083AFG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62083AFG -
RFQ
 ECAD 3773 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 18-SOIC（0.276英寸，7.00mm宽度） - TBD62083 反转 n通道 1：1 18 SOP 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 40 不需要 打开/关 8 - 低侧 - （50V）） 通用目的 500mA
TMP86PM47AUG(C,JZ) Toshiba Semiconductor and Storage TMP86pm47aug（c，JZ） -
RFQ
 ECAD 5896 0.00000000 东芝半导体和存储 TLCS-870/c 托盘 过时的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 44-LQFP TMP86 44-LQFP（10x10） 下载 3（168）） TMP86PM47AUG（CJZ） Ear99 8542.31.0001 1 35 - 8位 16MHz Sio，UART/USART PWM，WDT 32KB （32K x 8） OTP - 1k x 8 1.8V〜5.5V A/D 8x10b 外部的
TCR3DM33,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM33，lf（Se 0.4800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 使能够 积极的 300mA 3.3V - 1 0.23V @ 300mA - 在电流上超过温度
TA78DS05BP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS05BP，f（j -
RFQ
 ECAD 3395 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78DS 33V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 1 MA - 积极的 30mA 5V - 1 0.3V @ 10mA - 在电流上超过温度，超过电压，瞬态电压
TC75W59FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC75W59FU，LF 0.5800
RFQ
 ECAD 330 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 8-tssop，8-msop （0.110英寸，2.80mm） 通用目的 TC75W59 打开排水 8-SSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 2 1.8V〜7V，±0.9V〜3.5V 7MV @ 5V 1PA @ 5V 25mA 220µA - 200NS -
TA78L007AP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L007AP，f（j。 -
RFQ
 ECAD 6232 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78L007 35V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 6.5 MA - 积极的 150mA 7V - 1 1.7V @ 40mA ty（typ） 46dB（120Hz） 超过电流
TC7WPB9306FK,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7WPB9306FK，LF -
RFQ
 ECAD 4676 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7WP 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 8-VFSOP （0.091英寸，2.30mm） 巴士开关 TC7WPB9306 1.65V〜5V，2.3V〜5.5V 8-SSOP 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 - 双供应 2 x 1：1 1
TCV7100AF(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TCV7100AF （TE12L，Q） -
RFQ
 ECAD 4873 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN TCV71 5.5V 可调节的 8（5x5） 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 降压 1 巴克 800kHz 积极的 是的 2.5a 0.8V 5.5V 2.7V
TCR2EE11,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE11，LM（ct 0.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE11 5.5V 固定的 ESV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.1V - 1 0.67V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TA58M05S,KDQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58M05S，KDQ （M -
RFQ
 ECAD 2978 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58M05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 80 ma - 积极的 500µA 5V - 1 0.65V @ 500mA - 在电流上超过温度，反向极性
TA58M05S(YNS,AQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA58M05 YNS，AQ） -
RFQ
 ECAD 2248 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58M05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 80 ma - 积极的 500µA 5V - 1 0.65V @ 500mA - 在电流上超过温度，反向极性
TB6551FAG,C,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6551FAG，C，8，El 3.2800
RFQ
 ECAD 9582 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -30°C〜115°C（TA） 风扇控制器 表面安装 24-sop （0.236英寸，6.00mm宽度） TB6551 Bi-Cmos 6v〜10V 24 SSOP 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 2,000 控制器 -换向，指导管理，指导管理 平行线 前驾驶员 -3） - - - DC（BLDC） -
TCR2EE32,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE32，LM（ct 0.3500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE32 5.5V 固定的 ESV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 3.2V - 1 0.2V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR3DF27,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF27，LM（ct 0.0906
RFQ
 ECAD 6228 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3DF27 5.5V 固定的 SMV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 使能够 积极的 300mA 2.7V - 1 0.31V @ 300mA 70dB（1KHz） 电流，高度，温度
TCR5RG12A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5RG12A，LF 0.5300
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5RG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-XFBGA，WLCSP TCR5RG12 5.5V 固定的 4-WCSPF（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 13 µA - 积极的 500mA 1.2V - 1 - 100dB〜59dB （1KHz〜1MHz） 在电流上超过温度
TC7S04FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7S04FU，LF 0.4400
RFQ
 ECAD 992 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 - 7S04 1 2v〜6V 5-SSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 逆变器 2.6mA，2.6mA 1 µA 1 17ns @ 6v，50pf 0.5V〜1.8V 1.5V〜4.2V
TCR15AGADJ,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR15AGADJ，LF 0.7000
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR15AG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 6-XFBGA，WLCSP TCR15 5.5V 可调节的 6-WCSPF（0.80x1.2） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 40 µA 使能够 积极的 1.5a 0.6V 3.6V 1 0.216V @ 1.5A 95dB （1KHz） 在电流，温度下，电压锁定（ uvlo）
TBD62089APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62089APG 1.6600
RFQ
 ECAD 9502 0.00000000 东芝半导体和存储 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 通过洞 20 DIP（0.300英寸，7.62mm） - TBD62089 不转变 n通道 1：1 20浸 下载 rohs3符合条件 不适用 Ear99 8542.39.0001 800 3v〜5.5V - 8 - 低侧 1.6OHM （50V）） 通用目的 500mA
TA58M06S,MTDQ(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58M06S，MTDQ（j -
RFQ
 ECAD 5672 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58M06 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 80 ma - 积极的 500mA 6V - 1 0.65V @ 500mA - 在电流上超过温度，反向极性
TBD62084APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62084APG 1.4900
RFQ
 ECAD 517 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜85°C（TA） 通过洞 18 浸（0.300英寸，7.62mm） - TBD62084 反转 n通道 1：1 18浸 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 25 不需要 打开/关 8 - 低侧 - （50V）） 通用目的 500mA
TC7SZ34F(T5L,JF,T) Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ34F （T5L，JF，T） -
RFQ
 ECAD 4750 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7SZ （CT） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 SC-74A，SOT-753 TC7SZ34 - 推扣 1.65V〜5.5V SMV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 缓冲，无变形 1 1 32mA，32mA
TA78L12PF(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TA78L12PF（TE85L，F） -
RFQ
 ECAD 9901 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -30°C 〜85°C 表面安装 8-SMD，平坦的铅 TA78L12 35V 固定的 PS-8（2.9x2.4） - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 6 ma 6.5 MA - 积极的 150mA 12V - 1 2V @ 150ma（typ（typ） 41dB（120Hz） 在电流上超过温度
TA76431S,F(J Toshiba Semiconductor and Storage ta76431s，f（j -
RFQ
 ECAD 3997 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA76431 - 可调节的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 - 积极的 - 2.495V 36V 1 - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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