SIC
close

（IC）（2120）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 类型 特征 基本产品编号 输入类型 技术 电压 -输入（最大） 输出类型 方向 电路数 比率-输入：输出 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 逻辑类型 元素数量 每个元素的位数 电流 -输出高，低，低 功能 电流 -静止（最大） -3dB带宽 输入数量 i/o的数量 核心处理器 核心大小 速度 连接性 外围设备 程序内存大小 程序内存类型 EEPROM大小 ram大小 电压 -电源（ -vcc/vdd） 数据转换器 振荡器类型 开关电路 多路复用器/弹能电路 （（（） （Δron）） 电压 -电源，单个（，v+） 电压 -电源，双（ v±） （（toff）（toff））（toff）） 电荷注入 （cs（），（cd（）（cd）） （（（（ 相声 界面 输出数量 电压源 重置 定时 计数率 触发类型 最大传播延迟 @ v，max cl 当前-iq（iq） 电流 -供应（最大） 输入逻辑级别 -低 输入逻辑级别 -高 电路 独立电路 拓扑 频率 -切换 故障保护 控制功能 输出配置 同步整流器 电流 -输出 RDS（类型） 电压 -负载 电机类型 -步进 电机类型-AC，DC 步骤分辨率 开关类型 电流 -输出（最大） 电压 -输出（最小/固定） 电压 -输出（最大） 电压 -输入（最小） 监管机构数量 （（（） PSRR 保护功能
TC4052BFELNF Toshiba Semiconductor and Storage TC4052BFELNF 0.2464
RFQ
 ECAD 2285 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.209英寸，宽度为5.30mm） TC4052 2 16 SOP 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 30MHz sp4t 4：1 160ohm 4欧姆 3v〜18V - - - 0.2pf，5pf 100NA -50dB @ 1.5MHz
TC74VHC299FTEL Toshiba Semiconductor and Storage TC74VHC299FTEL -
RFQ
 ECAD 9359 0.00000000 东芝半导体和存储 TC74VHC 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 20-tssop （0.173“，4.40mm宽度） 74VHC299 三州 2v〜5.25V 20-tssop - （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 换档 1 8 普遍的
74LCX00FT Toshiba Semiconductor and Storage 74lcx00ft 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 74lcx 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 14-TSSOP （0.173“，4.40mm宽度） - 74LCX00 4 1.65V〜3.6V 14-TSSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,500 nand 24mA，24mA 10 µA 2 5.2NS @ 3.3V，50pf 0.7V〜0.8V 1.7V〜2V
TB67S141HG Toshiba Semiconductor and Storage TB67S141HG 5.9794
RFQ
 ECAD 6243 0.00000000 东芝半导体和存储 - 托盘 积极的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 通过洞 25-SIP形成的铅 TB67S141 动力mosfet 4.75V〜5.25V 25-Hzip 下载 rohs3符合条件 不适用 Ear99 8542.39.0001 17 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 2（2） 3a 10v〜40V 单极 - 1、1/2、1/4
TB62208FTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62208FTG，8，El -
RFQ
 ECAD 8540 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-VFQFN暴露垫 TB62208 DMO 4.5V〜5.5V 48-qfn （7x7） 下载 3（168）） Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 1.8a 10v〜38V 双极 - 1，1/2
TA58M12F(TE16L1,NQ Toshiba Semiconductor and Storage TA58M12F （TE16L1，NQ -
RFQ
 ECAD 6818 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜105°C 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TA58M12 29V 固定的 PW-MOLD - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 1.2 ma 80 ma - 积极的 500mA 12V - 1 0.65V @ 500mA - 在电流上超过温度，反向极性
TA78L024AP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L024AP，f（j -
RFQ
 ECAD 7020 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78L024 40V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 6.5 MA - 积极的 150mA 24V - 1 1.7V @ 40mA ty（typ） 35DB （120Hz） 超过电流
74HCT541D Toshiba Semiconductor and Storage 74HCT541d 0.7600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 74HCT 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 20-SOIC （0.295英寸，7.50mm宽度） 74HCT541 - 三州 4.5V〜5.5V 20-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 缓冲，无变形 1 8 6mA，6mA
TBD62789APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62789APG 1.7400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 通过洞 20 DIP（0.300英寸，7.62mm） - TBD62789 - P通道 1：1 20浸 下载 rohs3符合条件 不适用 Ear99 8542.39.0001 20 2v〜5.5V 打开/关 8 - 高侧 1.4OHM 4.5V〜50V 通用目的 400mA
TB67S285FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S285FTG，El 4.5900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 48-VFQFN暴露垫 TB67S285 动力mosfet 4.75V〜5.25V 48-VQFN （7x7） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行，串行 （8） 3a 10v〜47V 双极 - 1、1/2、1/4、1/8、1/16、1/32
TC7WH32FK,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7WH32FK，LJ（ct 0.0871
RFQ
 ECAD 3761 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7WH 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 8-VFSOP （0.091英寸，2.30mm） - 7WH32 2 2v〜5.5V US8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 或门 8mA，8mA 2 µA 2 7.5NS @ 5V，50pf - -
TC74LVX157FTEL Toshiba Semiconductor and Storage TC74LVX157FTEL -
RFQ
 ECAD 3341 0.00000000 东芝半导体和存储 TC74LVX 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 16-TSSOP （0.173“，4.40mm宽度） 复用器 74LVX157 2v〜3.6V 16-TSSOP - Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 4mA，4mA 单供应 4 x 2：1 1
TB67H481FTG Toshiba Semiconductor and Storage TB67H481FTG 0.9817
RFQ
 ECAD 6624 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - rohs3符合条件 264-TB67H481FTGTR 4,000
TC7WT125FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7WT125FU，LF 0.4200
RFQ
 ECAD 1696年 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7WT 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-tssop，8-msop （0.110英寸，2.80mm） TC7WT125 - 三州 4.5V〜5.5V 8-SSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 缓冲，无变形 2 1 6mA，6mA
TC74HC139APF Toshiba Semiconductor and Storage TC74HC139APF -
RFQ
 ECAD 7493 0.00000000 东芝半导体和存储 74HC 管子 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 16 浸（0.300英寸，7.62mm） 解码器/解密器 74HC139 2v〜6V 16二滴 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 25 5.2mA，5.2mA 单供应 1 x 2：4 2
TC74LCX00FN(F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TC74LCX00FN（f，m） -
RFQ
 ECAD 9949 0.00000000 东芝半导体和存储 74lcx 管子 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm） - 74LCX00 4 2v〜3.6V 14-SOL 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1,000 nand 24mA，24mA 10 µA 2 5.2NS @ 3.3V，50pf 0.8V 2V
TA78L006AP,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L006AP，WNLF（j -
RFQ
 ECAD 3934 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78L006 35V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 6 ma - 积极的 150mA 6V - 1 1.7V @ 40mA ty（typ） 47dB（120Hz） 超过电流
TMPM36BF10FG(DBB) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM36BF10FG（DBB） 11.5500
RFQ
 ECAD 281 0.00000000 东芝半导体和存储 TX03 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 100-LQFP TMPM36 100-LQFP（14x14） 下载 Rohs符合条件 3（168）） 3A991A2 8542.31.0001 90 72 ARM®Cortex®-M3 32位单核 64MHz EBI/EMI，I²C，IRDA，Microwire，Sio，Spi，SSI，SSP，SSP，UART/USART DMA，LVD，POR，WDT 1MB （1m x 8） 闪光 - 258K x 8 2.7V〜3.6V A/D 16x12b 外部的
TC74AC04FTEL Toshiba Semiconductor and Storage TC74AC04FTEL 0.1377
RFQ
 ECAD 4939 0.00000000 东芝半导体和存储 TC74AC 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜85°C 表面安装 14-TSSOP （0.173“，4.40mm宽度） - 74AC04 6 2v〜5.5V 14-TSSOP - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 逆变器 24mA，24mA 4 µA 1 6.6ns @ 5V，50pf 0.5V〜1.65V 1.5V〜3.85V
TB6568KQ,8 Toshiba Semiconductor and Storage TB6568KQ，8 3.2200
RFQ
 ECAD 7268 0.00000000 东芝半导体和存储 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 通用目的 通过洞 7-sip裸露的选项卡 TB6568 Bi-Cmos 10V〜45V 7-hsip 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 25 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 2（2） 1.5a 10V〜45V - DC -
TB7110F(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TB7110F te12l，Q） -
RFQ
 ECAD 2524 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN TB7110 27V 可调节的 8（5x5） 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 降压 2 巴克 500kHz 积极的 不 1.5A，800mA 1.215V 24V 4.5V
TCR2EE40,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE40，LM（ct 0.3700
RFQ
 ECAD 428 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE40 5.5V 固定的 ESV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 4V - 1 0.2V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TB6608FNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6608FNG，C8，El 2.7300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 20-lssop （0.173“，4.40mm宽度） TB6608 动力mosfet 2.7V〜5.5V 20ssop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 600mA 2.5V〜13.5V 双极 - 1、1/2、1/4、1/8
74VHC4040FT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHC4040FT 0.4100
RFQ
 ECAD 24 0.00000000 东芝半导体和存储 74VHC 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 16-TSSOP （0.173“，4.40mm宽度） 74VHC4040 向上 2 v〜5.5 v 16-TSSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,500 二进制计数器 1 12 异步 - 210 MHz 负边
TC74HC125AFELF Toshiba Semiconductor and Storage TC74HC125 FAFF 0.1932
RFQ
 ECAD 1906年 0.00000000 东芝半导体和存储 74HC 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 14- 材料（0.209英寸，宽度为5.30mm） 74HC125 - 三州 2v〜6V 14分 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 缓冲，无变形 4 1 7.8mA，7.8mA
TCK111G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK111G，LF 0.7700
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 6-ufbga，WLCSP 控制率控制 TCK111 不转变 n通道 1：1 6-WCSPC（1.5x1.0） - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 不需要 打开/关 1 高温，反向电流 高侧 8.3MOHM 1.1V〜5.5V 通用目的 3a
TC74VCX157FTEL Toshiba Semiconductor and Storage TC74VCX157FTEL 0.1462
RFQ
 ECAD 9875 0.00000000 东芝半导体和存储 TC74VCX 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜85°C 表面安装 16-TSSOP （0.173“，4.40mm宽度） 复用器 TC74VCX157 1.2v〜3.6V 16-TSSOP 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 24mA，24mA 单供应 1 x 2：1 4
TCR2LN32,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN32，lf（Se 0.3800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xfdfn暴露垫 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 3.2V - 1 0.28V @ 150mA - 超过电流
TC74VHC08FTELM Toshiba Semiconductor and Storage TC74VHC08FTELM -
RFQ
 ECAD 1128 0.00000000 东芝半导体和存储 TC74VHC 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 14-TSSOP （0.173“，4.40mm宽度） - 74VHC08 4 2v〜5.5V 14-TSSOP 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 和门 8mA，8mA 2 µA 2 7.9NS @ 5V，50pf 0.5V 1.5V
TB62214AFG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62214AFG，C8，El 1.3071
RFQ
 ECAD 3937 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 28-bsop（0.346英寸，8.80mm +） + 2个热标签 TB62214 DMO 4.75V〜5.25V 28-hsop 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 2a 10v〜38V 双极 - 1、1/2、1/4
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

RFQ列表（0项）
购物车列表（0个项目）
Wishlist愿望清单（0个项目）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

比较列表（0项）
点击Enter进行搜索或ESC关闭