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（IC）（2120）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 类型 特征 基本产品编号 输入类型 频率 技术 电流 -供应 电压 -输入 电压 -输入（最大） 输出类型 温度系数 电路数 比率-输入：输出 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 逻辑类型 元素数量 每个元素的位数 电流 -输出高，低，低 功能 电压 -电源，单/双（±） 电压 -输入偏移（最大） 电流 -输入偏差（最大） 电流 -输出（典型） 电流 -静止（最大） CMRR，PSRR（类型） （（（） 滞后 电流 -输出 /通道 输入数量 参考类型 电压 -电源（ -vcc/vdd） 界面 输出数量 电压源 最大传播延迟 @ v，max cl 当前-iq（iq） 电流 -供应（最大） 输入逻辑级别 -低 输入逻辑级别 -高 电路 独立电路 内部开关 拓扑 故障保护 控制功能 电压 -电源（最大） 输出配置 电流 -输出 RDS（类型） 电压 -负载 电机类型 -步进 电机类型-AC，DC 步骤分辨率 昏暗 电压 -电源（最小） 电压 -输出 开关类型 电流 -输出（最大） 电压 -输出（最小/固定） 噪声-0.1Hz至10Hz 噪声-10Hz至10KHz 电压-输出（最大） 监管机构数量 （（（） PSRR 保护功能
TB67S549FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S549FTG，El 1.9800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 通用目的 表面安装 24-VFQFN暴露垫 TB67S549 DMO 4.5V〜33V 24 QFN （4x4） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM 2（2） 1.2a 4.5V〜33V 双极 DC 1〜1/32
TCR3DG35,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG35，LF 0.1054
RFQ
 ECAD 8756 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-XFBGA，CSPBGA TCR3DG35 5.5V 固定的 4-WCSPE（0.65x0.65） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 使能够 积极的 300mA 3.5V - 1 0.215V @ 300mA 70dB（1KHz） 电流，高度，温度
TC7SB3157DL6X,(S2E Toshiba Semiconductor and Storage TC7SB3157DL6X，（S2E 0.3900
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7SB 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 6-XFDFN 多路复用器/分流器 TC7SB3157 1.65V〜5.5V 6-MP6D（1.45x1） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 - 单供应 1 x 2：1 1
TCR3UM2925A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UM2925A，LF （SE 0.4600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 680 NA 当前限制，启用 积极的 300mA 2.925V - 1 0.327V @ 300mA - 在电流上超过温度
74LCX32FT Toshiba Semiconductor and Storage 74LCX32FT 0.4200
RFQ
 ECAD 524 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q100 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 14-TSSOP （0.173“，4.40mm宽度） - 74LCX32 4 1.65V〜3.6V 14-TSSOPB 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,500 或门 24mA，24mA 10 µA 2 6.5NS @ 3.3V，50pf 0.7V〜0.8V 1.7V〜2V
TC75W58FK,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC75W58FK，LF 0.2228
RFQ
 ECAD 7781 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 8-VFSOP （0.091英寸，2.30mm） 通用目的 TC75W58 打开排水 8-SSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 2 1.8V〜7V，±0.9V〜3.5V 7MV @ 5V 1PA @ 5V 25mA 22µA - 800NS -
TCR2EE41,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE41，LM（ct 0.3500
RFQ
 ECAD 233 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE41 5.5V 固定的 ESV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 4.1V - 1 0.2V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TA58L05S(LS2PEV,AQ Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S（ls2pev，aq -
RFQ
 ECAD 6732 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58L05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 50 mA - 积极的 250mA 5V - 1 0.4V @ 200mA - 在电流上超过温度
TCR2EE50,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE50，LM（ct 0.0680
RFQ
 ECAD 3748 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE50 5.5V 固定的 ESV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 5V - 1 0.2V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TC7SZ07FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ07FU，LJ（ct 0.3200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7SZ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 TC7SZ07 - 打开排水 1.65V〜5.5V 5-SSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 缓冲，无变形 1 1 - ，32mA
TCR2LN32,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN32，LF 0.0896
RFQ
 ECAD 9032 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2LN32 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 3.2V - 1 0.28V @ 150mA - 超过电流
TCR3DF185,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF185，LM（ct 0.0906
RFQ
 ECAD 4999 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3DF185 5.5V 固定的 SMV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 使能够 积极的 300mA 1.85V - 1 0.4V @ 300mA 70dB（1KHz） 电流，高度，温度
TB62215AHQ Toshiba Semiconductor and Storage TB62215AHQ -
RFQ
 ECAD 6418 0.00000000 东芝半导体和存储 - 托盘 过时的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 通过洞 25-SIP形成的铅 TB62215 动力mosfet 4.75V〜5.25V 25-Hzip 下载 （1 （无限） TB62215AHQ（O） Ear99 8542.39.0001 504 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 3a 10v〜38V 双极 - 1、1/2、1/4
TC62D748CFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC62D748CFG，El 1.5800
RFQ
 ECAD 5947 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） LED照明 表面安装 24-sop （0.236英寸，6.00mm宽度） 线性 TC62D748 - 24 SSOP 下载 rohs3符合条件 2,000 90mA 16 不 换档 5.5V 不 3V 17V
TA76431AS(T6SOY,AF Toshiba Semiconductor and Storage TA76431AS （T6SOY，AF -
RFQ
 ECAD 6330 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 - -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA76431 - - - - LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 - - - -
TC62D748CFNAG(ELHB Toshiba Semiconductor and Storage TC62D748CFNAG （ELHB -
RFQ
 ECAD 3127 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C（TA） LED照明 表面安装 24ssop （0.154英寸，宽度为3.90mm） 线性 TC62D748 - 24 SSOP - 264-TC62D748CFNAG （ELHB 过时的 1 90mA 16 不 换档 5.5V 不 3V 17V
TCA62723FMG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TCA62723FMG，El -
RFQ
 ECAD 9743 0.00000000 东芝半导体和存储 - （CT） 过时的 -40°C〜85°C（TA） - 表面安装 10-SMD，平坦的铅 线性 TCA62723 - 10点（3x3） 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 150mA 3 是的 - 5.5V - 2.7V -
TCR2LN28,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN28，LF 0.3500
RFQ
 ECAD 129 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2LN28 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 2.8V - 1 0.36V @ 150mA - 超过电流
TC74HC4050AFTEL Toshiba Semiconductor and Storage TC74HC4050AFTEL 0.1724
RFQ
 ECAD 3934 0.00000000 东芝半导体和存储 74HC 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-TSSOP （0.173“，4.40mm宽度） 74HC4050 - 推扣 2v〜6V 16-TSSOP 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 缓冲，无变形 6 1 7.8mA，7.8mA
TCR2LN105,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN105，LF -
RFQ
 ECAD 9926 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2LN105 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 1.05V - 1 1.38V @ 150mA - 超过电流
TBD62783AFG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62783AFG -
RFQ
 ECAD 4149 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 18-SOIC（0.276英寸，7.00mm宽度） - TBD62783 不转变 P通道 1：1 18 SOP 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1,000 不需要 打开/关 8 - 高侧 - （50V）） 通用目的 500mA
TBD62502AFWG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62502AFWG，El 0.3966
RFQ
 ECAD 5474 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm） - TBD62502 反转 n通道 1：1 16 SOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 不需要 打开/关 7 - 低侧 - （50V）） 通用目的 300mA
TCR5RG18A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5RG18A，LF 0.5300
RFQ
 ECAD 480 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5RG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-XFBGA，WLCSP TCR5RG18 5.5V 固定的 4-WCSPF（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 13 µA - 积极的 500mA 1.8V - 1 0.29V @ 500mA 100dB〜59dB （1KHz〜1MHz） 在电流上超过温度
TLP7830(D4KWJTLE Toshiba Semiconductor and Storage TLP7830（d4kwjtle -
RFQ
 ECAD 9915 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP7830 - （1 （无限） 264-TLP7830（d4kwjtle 过时的 50
TCK128BG,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK128BG，LF 0.4800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 4-XFBGA，CSPBGA 负载排放，控制率 TCK128 不转变 P通道 1：1 4-WCSPG（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 - 高侧 343mohm 1V〜5.5V 通用目的 1a
7UL1T125FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage 7ul1t125fu，lf 0.4400
RFQ
 ECAD 7759 0.00000000 东芝半导体和存储 7ul 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 7ul1t125 - 三州 2.3v〜3.6V USV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 缓冲，无变形 1 1 8mA，8mA
TB62216FNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62216FNG，C8，El 2.8000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-TFSOP （0.240英寸，6.10mm宽） TB62216 动力mosfet 4.75V〜5.25V 48-htssop 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM （4） 2a 10v〜38V - DC -
TBD62064AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62064AFG，El 1.6700
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-bsop （0.252英寸，6.40mm +） + 2热标签 - TBD62064 反转 n通道 1：1 16-HSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1,500 不需要 打开/关 4 - 低侧 430MOHM （50V）） 通用目的 1.25a
TCR2EN115,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage tcr2en115，lf（Se 0.3800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.15V - 1 0.65V @ 150mA - 超过电流
TCR3DF32,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF32，LM（ct 0.0906
RFQ
 ECAD 4668 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 5.5V 固定的 SMV 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 3,000 使能够 积极的 300mA 3.2V - 1 0.25V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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