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（IC）（2120）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 类型 特征 基本产品编号 输入类型 频率 技术 电压 -输入（最大） 输出类型 sic可编程 电路数 比率-输入：输出 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 逻辑类型 元素数量 每个元素的位数 电流 -输出高，低，低 功能 电压-电源，单/双（±） 电压 -输入偏移（最大） 电流 -输入偏差（最大） 电流 -输出（典型） 电流 -静止（最大） CMRR，PSRR（类型） （（（） 滞后 -3dB带宽 电流 -输出 /通道 输入数量 i/o的数量 核心处理器 核心大小 速度 连接性 外围设备 程序内存大小 程序内存类型 EEPROM大小 ram大小 电压 -电源（ -vcc/vdd） 数据转换器 振荡器类型 开关电路 多路复用器/弹能电路 （（（） （Δron）） 电压 -电源，单个（，v+） 电压 -电源，双（ v±） （（toff）（toff））（toff）） 电荷注入 （cs（），（cd（）（cd）） （（（（ 相声 界面 时钟频率 输出数量 电压源 触发类型 最大传播延迟 @ v，max cl 当前-iq（iq） 电流 -供应（最大） 输入电容 输入逻辑级别 -低 输入逻辑级别 -高 电路 独立电路 频道类型 内部开关 拓扑 频率 -切换 故障保护 控制功能 电压 -电源（最大） 输出配置 电流 -输出 RDS（类型） 电压 -负载 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil，vih 电流 -峰值输出（源，水槽，水槽） 上升 /秋季t （典型） 电机类型 -步进 电机类型-AC，DC 步骤分辨率 昏暗 电压 -电源（最小） 电压 -输出 模式 当前 -启动 开关类型 电流 -输出（最大） 电压 -输出（最小/固定） 电压 -输出（最大） 监管机构数量 （（（） PSRR 保护功能
TA78L15F(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TA78L15F（TE12L，F） -
RFQ
 ECAD 7159 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -30°C 〜85°C 表面安装 TO-243AA TA78L15 35V 固定的 PW-Mini（SOT-89） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1,000 6 ma 6.5 MA - 积极的 150mA 15V - 1 - 40dB （120Hz） 在电流上超过温度
TCR2EE45,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE45，LM（ct 0.3700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE45 5.5V 固定的 ESV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 4.5V - 1 0.2V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TB67B054FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67B054FTG，El 3.2800
RFQ
 ECAD 3489 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -30°C〜115°C（TA） 通用目的 表面安装 32-VFQFN暴露垫 TB67B054 Bi-Cmos 6v〜16.5V 32-VQFN （5x5） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM - 2mA - 多相 DC（BLDC） -
7UL1T00FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage 7ul1t00fu，lf 0.4100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 - 7ul1t00 1 2.3v〜3.6V USV - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 nand 8mA，8mA 1 µA 2 3.3ns @ 3.3V，15pf 2v〜2.48V 0.1V〜0.4V
TCR2LN095,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN095，LF -
RFQ
 ECAD 8775 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2LN095 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 0.95V - 1 1.46V @ 150mA - 超过电流
TC74HC165AP(F) Toshiba Semiconductor and Storage TC74HC165AP（F） 0.6384
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 ECAD 5224 0.00000000 东芝半导体和存储 74HC 管子 积极的 -40°C〜85°C 通过洞 16 浸（0.300英寸，7.62mm） 74HC165 补充 2v〜6V 16二滴 下载 Rohs符合条件 不适用 Ear99 8542.39.0001 1 换档 1 8 平行或连续
TCK22892G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22892G，LF 0.1643
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 ECAD 2432 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 6-ufbga，WLCSP 负载排放 TCK22892 不转变 P通道 1：1 6-WCSPE（0.80x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 （（），温度 高侧 31mohm 1.4V〜5.5V 通用目的 740mA
74LCX273FT(AJ) Toshiba Semiconductor and Storage 74LCX273FT（AJ） 0.4000
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 74lcx 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 20-tssop （0.173“，4.40mm宽度） D 74LCX273 无向世 1.65V〜3.6V 20-tssop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,500 1 8 24mA，24mA 重置 135 MHz 正优势 9.5NS @ 3.3V，50pf 40 µA 7 pf
TC62D749CFNAG Toshiba Semiconductor and Storage TC62D749CFNAG -
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 ECAD 3866 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） - 表面安装 24ssop （0.154英寸，宽度为3.90mm） 线性 TC62D749 - 24 SSOP - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 90mA 16 是的 换档 5.5V - 3V 17V
74HCT04D Toshiba Semiconductor and Storage 74HCT04D 0.5700
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 ECAD 1822年 0.00000000 东芝半导体和存储 74HCT 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm） - 74HCT04 6 4.5V〜5.5V 14-Soic 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,500 逆变器 4mA，4mA 1 µA 1 16ns @ 5.5V，50pf 0.8V 2V
TAR5S50TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S50TE85LF 0.4400
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 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TAR5S50 15V 固定的 SMV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 850 µA 打开/关 积极的 200mA 5V - 1 0.2V @ 50mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TC4066BFELNF Toshiba Semiconductor and Storage TC4066BFELNF 0.2107
RFQ
 ECAD 4928 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜85°C 表面安装 14- 材料（0.209英寸，宽度为5.30mm） 双边，fet TC4066 3v〜18V 14分 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 - 双供应 1 x 1：1 4
TC75S70L6X,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC75S70L6X，LF 0.5400
RFQ
 ECAD 2075 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 6-UFDFN 通用目的 TC75S70 推扣 6-MP6C（1.45x1.0） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.33.0001 5,000 1 1.3V〜5.5V 6MV @ 3V 1Pa @ 3V 18mA @ 3V 35µA - 800NS -
TA48018BF(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA48018BF （T6L1，NQ） -
RFQ
 ECAD 5230 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜150°C 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TA48018 16V 固定的 PW-MOLD - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 1.7 ma 20 ma - 积极的 1a 1.8V - 1 1.6V @ 1A（typ） 66dB（120Hz） 在电流上超过温度
TB6586BFG,EL,DRY Toshiba Semiconductor and Storage TB6586BFG，El，干燥 -
RFQ
 ECAD 6909 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -30°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 24-sop （0.236英寸，6.00mm宽度） TB6586 Bi-Cmos 6.5v〜16.5V 24 SSOP 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 控制器 -换向，指导管理，指导管理 平行线 前驾驶员 -3） - - - DC（BLDC） -
TC62D776CFNAG,CEBH Toshiba Semiconductor and Storage TC62D776CFNAG，CEBH -
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 ECAD 9002 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 积极的 -40°C〜85°C LED照明 表面安装 24ssop （0.154英寸，宽度为3.90mm） 线性 - 24 SSOP 下载 1 90mA 1 不 换档 5.5V 不 3V 17V
TCK424G,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCK424G，L3F 0.8500
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 6-XFBGA，WLCSP TCK424 不转变 未行业行业经验证 2.7V〜28V 6-WCSPG（0.8x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 264-TCK424GL3FCT Ear99 8542.39.0001 5,000 单身的 高方向 1 n通道MOSFET 0.4V，1.2V - -
74VHC32FT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHC32FT 0.4800
RFQ
 ECAD 2554 0.00000000 东芝半导体和存储 TC74VHC 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 14-TSSOP （0.173“，4.40mm宽度） - 74VHC32 4 2v〜5.5V 14-TSSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,500 或门 8mA，8mA 2 µA 2 7.5NS @ 5V，50pf 0.5V 1.5V
TB67S522FTAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S522FTAG，El 1.4384
RFQ
 ECAD 8048 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 36-WFQFN暴露垫 TB67S522 - 2v〜5.5V 36-WQFN （6x6） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM 2（2） 2.8a 10v〜35V 双极 DC 1、1/2、1/4
TC7WBL3305CFK,L(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7WBL3305CFK，L（ct 0.4400
RFQ
 ECAD 4377 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 8-VFSOP （0.091英寸，2.30mm） TC7WBL3305 2 8-SSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 - spst 1：1 19ohm - 1.65V〜3.6V - 6ns，6ns - 3.5pf 1µA -
TC78B006FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78B006FTG，El 1.3600
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 通用目的 表面安装 16-WFQFN暴露垫 TC78B006 动力mosfet 3.5V〜16V 16-WQFN （3x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 控制器 -换向，指导管理，指导管理 PWM 前驾驶员 -半桥（ -2） - - - DC（BLDC） -
TMPM4G8F10FG(DBB) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM4G8F10FG（DBB） 12.7000
RFQ
 ECAD 9925 0.00000000 东芝半导体和存储 TX04 托盘 积极的 -40°C〜70°C（TA） 表面安装 100-LQFP TMPM4G8 100-LQFP（14x14） 下载 Rohs符合条件 3（168）） 3A991A2 8542.31.0001 60 122 ARM®Cortex®-M4F 32位单核 160MHz CEC，EBI/EMI，I²C，IRDA，SIO，SPI，SMIF，UART/USART DMA，LVD，POR，WDT 1MB （1m x 8） 闪光 32K x 8 192K x 8 2.7V〜3.6V A/D 16x12b; D/A 2x8b 内部的
TC62D748CFG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TC62D748CFG（o，El） -
RFQ
 ECAD 3869 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 24-sop （0.236英寸，6.00mm宽度） 线性 TC62D748 - 24 SSOP - 264-TC62D748CFG（OEL）TR 1 90mA 16 不 换档 5.5V 不 3V 17V
TB6818FG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6818FG，El -
RFQ
 ECAD 3311 0.00000000 东芝半导体和存储 - （CT） 过时的 -25°C〜85°C 表面安装 16 台（0.181英寸，4.60mm宽度） TB6818 8.4V〜26V 16ssop 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 20KHz〜150kHz CCM） 30 µA
TA58L05S,LS2TOKQ(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S，LS2TOKQ（j -
RFQ
 ECAD 3958 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58L05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 50 mA - 积极的 250mA 5V - 1 0.4V @ 200mA - 在电流上超过温度
TB62261FTAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62261FTAG，El 2.2800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 器具 表面安装 36-WFQFN暴露垫 TB62261 动力mosfet 4.75V〜5.25V 36-WQFN （6x6） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 800mA 10v〜35V 双极 DC 1、1/2、1/4
TC7SH125FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage TC7SH125FE，LM -
RFQ
 ECAD 1743年 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7SH 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 SOT-553 TC7SH125 - 三州 2v〜5.5V ESV - （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 缓冲，无变形 1 1 8mA，8mA
KIA78L06BP Toshiba Semiconductor and Storage KIA78L06BP -
RFQ
 ECAD 4285 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 积极的 Kia78 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1
TB62262FTAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62262FTAG，El 2.1700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 器具 表面安装 36-WFQFN暴露垫 TB62262 动力mosfet 4.75V〜5.25V 36-WQFN （6x6） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM （4） 800mA 10v〜35V 双极 DC 1、1/2、1/4
TA58L06S,HY-ATQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58L06S，HY-ATQ （M -
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 ECAD 8673 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58L06 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 50 mA - 积极的 250mA 6V - 1 0.4V @ 200mA - 在电流上超过温度
  • Daily average RFQ Volume

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    每日平均RFQ量

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    30,000,000

    标准产品单位

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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