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（IC）（2120）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 类型 特征 基本产品编号 输入类型 频率 技术 电流 -供应 电压 -输入 电压 -输入（最大） 输出类型 电路数 比率-输入：输出 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 逻辑类型 元素数量 每个元素的位数 电流 -输出高，低，低 功能 电流 -静止（最大） -3dB带宽 电流 -输出 /通道 输入数量 电压 -电源（ -vcc/vdd） 开关电路 多路复用器/弹能电路 （（（） （Δron）） 电压 -电源，单个（，v+） 电压 -电源，双（ v±） （（toff）（toff））（toff）） 电荷注入 （cs（），（cd（）（cd）） （（（（ 相声 界面 输出数量 最大传播延迟 @ v，max cl 当前-iq（iq） 电流 -供应（最大） 输入逻辑级别 -低 输入逻辑级别 -高 内部开关 拓扑 故障保护 控制功能 电压 -电源（最大） 输出配置 感应方法 准确性 电流 -输出 RDS（类型） 电压 -负载 电机类型 -步进 电机类型-AC，DC 步骤分辨率 昏暗 电压 -电源（最小） 电压 -输出 开关类型 电流 -输出（最大） 电压 -输出（最小/固定） 电压 -输出（最大） 监管机构数量 （（（） PSRR 保护功能
TCR2EE18,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE18，LM（ct 0.3700
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE18 5.5V 固定的 ESV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.8V - 1 0.31V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TC7WZ08FK,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7WZ08FK，LJ（ct 0.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 7wz 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 8-VFSOP （0.091英寸，2.30mm） - 7wz08 2 1.65V〜5.5V 8-SSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 和门 32mA，32mA 1 µA 4 3.7ns @ 5V，50pf - -
TCR2EN27,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN27，LF 0.3500
RFQ
 ECAD 35 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2en 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2EN27 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 2.7V - 1 0.21V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR2LE36,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE36，LM（ct 0.0762
RFQ
 ECAD 1807年 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SOT-553 TCR2LE36 5.5V 固定的 ESV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 3.6V - 1 0.3V @ 150mA - 超过电流
TC74VHC86FTELM Toshiba Semiconductor and Storage TC74VHC86FTELM -
RFQ
 ECAD 3270 0.00000000 东芝半导体和存储 TC74VHC 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 14-TSSOP （0.173“，4.40mm宽度） - 74VHC86 4 2v〜5.5V 14-TSSOP 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 （XOR）） 8mA，8mA 2 µA 2 8.8NS @ 5V，50pf 0.5V 1.5V
TCR4DG125,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR4DG125，LF 0.5100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR4DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-XFBGA，CSPBGA TCR4DG125 5.5V 固定的 4-WCSPE（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 使能够 积极的 420mA 1.25V - 1 0.781V @ 420mA 70dB（1KHz） 超过温度，短路
TB6585FTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6585FTG，8，El 1.9179
RFQ
 ECAD 5030 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴（（tr） 积极的 TB6585 下载 rohs3符合条件 TB6585FTG8EL Ear99 8542.39.0001 2,000
TB62802AFG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62802AFG，8，El 2.6700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 0°C〜60°C CCD驱动程序 表面安装 16-bsop （0.252英寸，6.40mm +） + 2热标签 TB62802 - 4.7V〜5.5V 16-HSOP 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1,500
7UL1T02FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage 7ul1t02fu，lf 0.4400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 7ul 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 - 7ul1t02 1 2.3v〜3.6V 5-SSOP - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 也不是门 8mA，8mA 1 µA 2 4.4NS @ 3.3V，15pf 0.1V〜0.4V 2.2v〜2.48V
TC7SH08F,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SH08F，LJ（ct 0.3700
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7SH 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 - 7SH08 1 2v〜5.5V SMV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 和门 8mA，8mA 2 µA 2 7.9NS @ 5V，50pf 0.5V 1.5V
TCK22973G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22973G，LF 0.1807
RFQ
 ECAD 8208 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 6-ufbga，WLCSP 控制率控制 TCK22973 不转变 P通道 1：1 6-WCSPE（0.80x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 反向电流 高侧 25mohm 1.1V〜5.5V 通用目的 2a
TC62D722FG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC62D722FG，El -
RFQ
 ECAD 1558年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C（TA） - 表面安装 24-sop （0.236英寸，6.00mm宽度） 线性 TC62D722 - 24 SSOP 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 90mA 16 是的 换档 5.5V - 3V 17V
TCR4DG25,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR4DG25，LF 0.1357
RFQ
 ECAD 2767 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR4DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-XFBGA，CSPBGA TCR4DG25 5.5V 固定的 4-WCSPE（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 使能够 积极的 420mA 2.5V - 1 0.347V @ 420mA 70dB（1KHz） 超过温度，短路
TCR3DM285,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM285，LF -
RFQ
 ECAD 9078 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DM 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 TCR3DM285 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 65 µA 78 µA 使能够 积极的 300mA 2.85V - 1 0.25V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TC7WH34FK,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7WH34FK，LJ（ct 0.3900
RFQ
 ECAD 11 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7WH 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-VFSOP （0.091英寸，2.30mm） TC7WH34 - 推扣 2v〜5.5V 8-SSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 缓冲，无变形 3 1 8mA，8mA
TC78H651AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H651AFNG，El 1.2900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 通用目的 表面安装 16-TSSOP （0.173“，4.40mm宽度） TC78H651 DMO - 16-TSSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 - （4） 2a 1.8v〜7.5V DC -
74VHC540FT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHC540FT 0.5100
RFQ
 ECAD 107 0.00000000 东芝半导体和存储 74VHC 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 20-tssop （0.173“，4.40mm宽度） 74VHC540 - 三州 2v〜5.5V 20-tssop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,500 缓冲，反转 1 8 8mA，8mA
TCR5AM33,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM33，LF 0.1357
RFQ
 ECAD 6086 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5am 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR5AM33 5.5V 固定的 5-DFNB（1.2x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 68 µA 使能够 积极的 500mA 3.3V - 1 0.43V @ 500mA 70DB〜40DB （1KHz〜10Hz） 在电流，温度下，电压锁定（ uvlo）
TC7SZ07AFS,L3J(T Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ07AF，L3J t 0.0593
RFQ
 ECAD 4272 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7SZ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 SOT-953 TC7SZ07 - 打开排水 1.65V〜5.5V FSV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 缓冲，无变形 1 1 - ，32mA
TC74AC02FTEL Toshiba Semiconductor and Storage TC74AC02FTEL 0.1469
RFQ
 ECAD 4753 0.00000000 东芝半导体和存储 TC74AC 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜85°C 表面安装 14-TSSOP （0.173“，4.40mm宽度） - 74AC02 4 2v〜5.5V 14-TSSOP 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 也不是门 24mA，24mA 4 µA 2 7NS @ 5V，50pf 0.5V〜1.65V 1.5V〜3.85V
TB67H303HG Toshiba Semiconductor and Storage TB67H303HG 8.3300
RFQ
 ECAD 306 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -30°C〜85°C（TA） 通用目的 通过洞 25-SIP形成的铅 TB67H303 动力mosfet 8v〜42v 25-Hzip 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） TB67H303HG（O） Ear99 8542.39.0001 17 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行，PWM 2（2） 8a 8v〜42v - DC -
TC4052BFELNF Toshiba Semiconductor and Storage TC4052BFELNF 0.2464
RFQ
 ECAD 2285 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.209英寸，宽度为5.30mm） TC4052 2 16 SOP 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 30MHz sp4t 4：1 160ohm 4欧姆 3v〜18V - - - 0.2pf，5pf 100NA -50dB @ 1.5MHz
TC7SET04F,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SET04F，LJ（ct 0.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7SET 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 - 7Set04 1 4.5V〜5.5V SMV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 逆变器 8mA，8mA 2 µA 1 10.5NS @ 5V，50pf 0.8V 2V
TCR3DM15,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM15，lf（Se 0.4800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 使能够 积极的 300mA 1.5V - 1 0.45V @ 300mA - 在电流上超过温度
TC7WH126FK,LJ Toshiba Semiconductor and Storage TC7WH126FK，LJ 0.0886
RFQ
 ECAD 7263 0.00000000 东芝半导体和存储 7Wh 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 8-VFSOP （0.091英寸，2.30mm） TC7WH126 - 三州 2v〜5.5V US8 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 缓冲，无变形 2 1 8mA，8mA
KIA78DL09PI Toshiba Semiconductor and Storage KIA78DL09PI -
RFQ
 ECAD 8660 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 积极的 Kia78 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 50
TC7S14F,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7S14F，LF 0.4700
RFQ
 ECAD 77 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 施密特触发 7S14 1 2v〜6V SMV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 逆变器 2.6mA，2.6mA 1 µA 1 17ns @ 6v，50pf 0.3V〜1.5V 1.5V〜4.2V
TB62262FTAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62262FTAG，El 2.1700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 器具 表面安装 36-WFQFN暴露垫 TB62262 动力mosfet 4.75V〜5.25V 36-WQFN （6x6） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM （4） 800mA 10v〜35V 双极 DC 1、1/2、1/4
TB67S109AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S109FNG，El 3.6800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-TFSOP （0.240英寸，6.10mm宽） TB67S109 动力mosfet 4.75V〜5.25V 48-htssop 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 3a 10v〜47V 双极 - 1〜1/32
TCKE812NL,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCKE812NL，RF 1.5200
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 10-WFDFN暴露垫 TCKE812 4.4v〜18V 10-wsonb（3x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 电子保险丝 - - 5a
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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