SIC
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（IC）（2120）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 类型 特征 基本产品编号 输入类型 技术 电流 -供应 电压 -输入 电压 -输入（最大） 输出类型 温度系数 sic可编程 电路数 比率-输入：输出 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 逻辑类型 元素数量 每个元素的位数 电流 -输出高，低，低 功能 电流 -静止（最大） -3dB带宽 输入数量 参考类型 电压 -电源（ -vcc/vdd） 开关电路 多路复用器/弹能电路 （（（） （Δron）） 电压 -电源，单个（，v+） 电压 -电源，双（ v±） （（toff）（toff））（toff）） 电荷注入 （cs（），（cd（）（cd）） （（（（ 相声 协议 驱动程序/接收器的数量 双工 数据速率 界面 时钟频率 输出数量 触发类型 最大传播延迟 @ v，max cl 当前-iq（iq） 电流 -供应（最大） 输入电容 输入逻辑级别 -低 输入逻辑级别 -高 频道类型 故障保护 控制功能 输出配置 电流 -输出 RDS（类型） 电压 -负载 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil，vih 电流 -峰值输出（源，水槽，水槽） 上升 /秋季t （典型） 电机类型 -步进 电机类型-AC，DC 步骤分辨率 开关类型 电流 -输出（最大） 电压 -输出（最小/固定） 噪声-0.1Hz至10Hz 噪声-10Hz至10KHz 电压 -输出（最大） 监管机构数量 （（（） PSRR 保护功能
TCK420G,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCK420G，L3F 0.8500
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 6-XFBGA，WLCSP TCK420 不转变 未行业行业经验证 2.7V〜28V 6-WCSPG（0.8x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 单身的 高方向 1 n通道MOSFET 0.4V，1.2V - -
TC78B015FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78B015FTG，El 1.6758
RFQ
 ECAD 1800 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 36-VFQFN暴露垫 TC78B015 CMOS 6v〜22v 36-VQFN（5x5） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 5,000 司机 PWM 3（3） 3a - 多相 DC（BLDC） -
TCR2LE33,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE33，LM（ct 0.4100
RFQ
 ECAD 120 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SOT-553 TCR2LE33 5.5V 固定的 ESV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 3.3V - 1 0.3V @ 150mA - 超过电流
TD62003AFG,N,EL Toshiba Semiconductor and Storage TD62003AFG，N，El -
RFQ
 ECAD 9483 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 16-SOIC （0.173“，4.40mm宽度） 司机 TD62003 0v〜50V 16 SOP - （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 - 7/0 - -
TCR3DF275,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF275，LM（ct 0.0906
RFQ
 ECAD 1612 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3DF275 5.5V 固定的 SMV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 使能够 积极的 300mA 2.75V - 1 0.31V @ 300mA 70dB（1KHz） 电流，高度，温度
TCR3RM10A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM10A，LF （Se 0.4600
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3RM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR3RM10 5.5V 固定的 4-DFNC（1x1） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 12 µA 当前限制，启用 积极的 300mA 1V - 1 - - 在电流上超过温度
TB62213AHQ,8 Toshiba Semiconductor and Storage TB62213AHQ，8 5.9794
RFQ
 ECAD 4342 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 通过洞 25-SIP形成的铅 TB62213 动力mosfet 4.75V〜5.25V 25-Hzip 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 17 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 2.4a 10v〜38V 双极 - 1、1/2、1/4
TC7SET125FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SET125FU，LJ（ct 0.3400
RFQ
 ECAD 5611 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7SET 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 TC7SET125 - 三州 4.5V〜5.5V 5-SSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 缓冲，无变形 1 1 8mA，8mA
TB6588FG,8,EL,JU Toshiba Semiconductor and Storage TB6588FG，8，El，Ju 5.3500
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -30°C〜105°C（TA） 通用目的 表面安装 36-BESSOP （0.346“，8.80mm宽度） + 2个热标签 TB6588 动力mosfet 7v〜42v 36-hsop 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 3（3） 1.5a 7v〜42v - DC（BLDC） -
74LCX07FT Toshiba Semiconductor and Storage 74LCX07FT 0.4800
RFQ
 ECAD 4136 0.00000000 东芝半导体和存储 74lcx 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 14-TSSOP （0.173“，4.40mm宽度） 74LCX07 - 打开排水 1.65V〜5.5V 14-TSSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,500 缓冲，无变形 6 1 - ，32mA
TC7SH32F,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SH32F，LJ（ct 0.3800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7SH 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 - 7SH32 1 2v〜5.5V SMV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 或门 8mA，8mA 2 µA 2 7.5NS @ 5V，50pf 0.5V 1.5V
74VHC540FT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHC540FT 0.5100
RFQ
 ECAD 107 0.00000000 东芝半导体和存储 74VHC 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 20-tssop （0.173“，4.40mm宽度） 74VHC540 - 三州 2v〜5.5V 20-tssop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,500 缓冲，反转 1 8 8mA，8mA
TC4013BP(N,F) Toshiba Semiconductor and Storage TC4013bp（n，f） 0.6300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜85°C（TA） 通过洞 14 浸（0.300英寸，7.62mm） D TC4013 补充 3v〜18V 14浸 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 25 2 1 3.4mA，3.4mA 重置 20 MHz 正优势 90NS @ 15V，50pf 120 µA 5 pf
TCK127BG,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK127BG，LF 0.4800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 4-XFBGA，CSPBGA 负载排放，控制率 TCK127 不转变 P通道 1：1 4-WCSPG（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 - 高侧 343mohm 1V〜5.5V 通用目的 1a
TC74LCX00FN(F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TC74LCX00FN（f，m） -
RFQ
 ECAD 9949 0.00000000 东芝半导体和存储 74lcx 管子 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm） - 74LCX00 4 2v〜3.6V 14-SOL 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1,000 nand 24mA，24mA 10 µA 2 5.2NS @ 3.3V，50pf 0.8V 2V
TB9052FNG(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB9052FNG（El） 3.6153
RFQ
 ECAD 4372 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q100 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 汽车 表面安装 48-TFSOP （0.240英寸，6.10mm宽） TB9052 Bi-Cmos 6v〜18V 48-htssop 下载 3（168）） Ear99 8542.39.0001 1,000 控制器 -速度 PWM 前驾驶员 -半桥（ -2） 100mA - - DC -
TC74HC4066AF-ELF Toshiba Semiconductor and Storage TC74HC4066AF-ELF 0.1932
RFQ
 ECAD 7410 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 14- 材料（0.209英寸，宽度为5.30mm） TC74HC4066 4 14分 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 200MHz spst-不 1：1 80ohm 5欧姆 2v〜12v - 12NS，18NS - 10pf 1µA -60dB @ 1MHz
TA76431AS(TE6,F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TA76431AS （TE6，F，M） -
RFQ
 ECAD 8436 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 - -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA76431 - - - - LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 - - - -
TC7SHU04F,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage tc7shu04f，lj（ct 0.3900
RFQ
 ECAD 349 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7SHU 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 - 7shu04 1 2v〜5.5V SMV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 逆变器 8mA，8mA 2 µA 1 7NS @ 5V，50pf 0.3V 1.7V
TCR3DM35,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM35，lf（Se 0.4800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 264-TCR3DM35LF（setr Ear99 8542.39.0001 10,000 使能够 积极的 300mA 3.5V - 1 0.23V @ 300mA - 在电流上超过温度
TB62213AFG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62213AFG，C8，El 1.8494
RFQ
 ECAD 7821 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 28-bsop（0.346英寸，8.80mm +） + 2个热标签 TB62213 动力mosfet 4.75V〜5.25V 28-hsop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 2.4a 10v〜38V 双极 - 1、1/2、1/4
TAR5S33TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S33TE85LF 0.1496
RFQ
 ECAD 1444 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TAR5S33 15V 固定的 SMV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 850 µA 打开/关 积极的 200mA 3.3V - 1 0.2V @ 50mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
7UL1T04FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage 7ul1t04fu，lf 0.4100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 - 7ul1t04 1 2.3v〜3.6V USV - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 逆变器 8mA，8mA 1 µA 1 3.3ns @ 3.3V，15pf 2v〜2.48V 0.1V〜0.4V
TCR2EE335,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE335，LM（ct 0.0680
RFQ
 ECAD 2297 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE335 5.5V 固定的 ESV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 3.35V - 1 0.2V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TB62208FNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62208FNG，C8，El 1.4997
RFQ
 ECAD 7801 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-TFSOP （0.240英寸，6.10mm宽） TB62208 DMO 4.5V〜5.5V 48-htssop 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 1.8a 10v〜38V 双极 - 1，1/2
TA76431S(T6MURATFM Toshiba Semiconductor and Storage TA76431S（t6muratfm -
RFQ
 ECAD 7643 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA76431 - 可调节的 LSTM 下载 （1 （无限） TA76431ST6MURATFM Ear99 8542.39.0001 1 - 积极的 - 2.495V 36V 1 - - -
TCR2EN34,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage tcr2en34，lf（Se 0.3800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 3.4V - 1 0.18V @ 150mA - 超过电流
TB67S213FTAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S213FTAG，El 1.3699
RFQ
 ECAD 2068 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 36-WFQFN暴露垫 TB67S213 Bicdmos 4.75V〜5.25V 36-WQFN （6x6） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 2a 10v〜35V 双极 - 1、1/2、1/4
7UL1T00FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage 7ul1t00fu，lf 0.4100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 - 7ul1t00 1 2.3v〜3.6V USV - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 nand 8mA，8mA 1 µA 2 3.3ns @ 3.3V，15pf 2v〜2.48V 0.1V〜0.4V
74LCX32FT(AJ) Toshiba Semiconductor and Storage 74LCX32FT（AJ） 0.0906
RFQ
 ECAD 7873 0.00000000 东芝半导体和存储 74lcx 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 14-TSSOP （0.173“，4.40mm宽度） - 74LCX32 4 1.65V〜3.6V 14-TSSOPB 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,500 或门 24mA，24mA 10 µA 2 6.5NS @ 3.3V，50pf 0.7V〜0.8V 1.7V〜2V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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