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（IC）（2120）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 类型 特征 基本产品编号 输入类型 技术 电流 -供应 电压 -输入 电压 -输入（最大） 输出类型 温度系数 电路数 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） ECCN htsus 标准包 逻辑类型 元素数量 每个元素的位数 电流 -输出高，低，低 功能 杀伤率 -3dB带宽 电流 -输出 /通道 放大器类型 电流 -输入偏差 电压 -输入偏移 电压 -供应跨度（最小） 电压 -供应跨度（最大） 参考类型 开关电路 多路复用器/弹能电路 （（（） （Δron）） 电压 -电源，单个（，v+） 电压 -电源，双（ v±） （（toff）（toff））（toff）） 电荷注入 （cs（），（cd（）（cd）） （（（（ 相声 数据速率 界面 输入信号 输出信号 电压源 当前-iq（iq） 电流 -供应（最大） 电路 独立电路 t -t -传播 翻译类型 频道类型 每个电路通道 电压-VCCA 电压-VCCB 控制功能 输出配置 电流 -输出 电压 -负载 电机类型 -步进 电机类型-AC，DC 步骤分辨率 电压 -输出（最小/固定） 噪声-0.1Hz至10Hz 噪声-10Hz至10KHz 电压 -输出（最大） 监管机构数量 （（（） PSRR 保护功能
TC7WH241FUTE12LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7WH241FUTE12LF -
RFQ
 ECAD 5043 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7WH 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-tssop，8-msop （0.110英寸，2.80mm） TC7WH241 - 三州 2v〜5.5V 8-SSOP 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 缓冲，无变形 2 1 8mA，8mA
TB62213AHQ,8 Toshiba Semiconductor and Storage TB62213AHQ，8 5.9794
RFQ
 ECAD 4342 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 通过洞 25-SIP形成的铅 TB62213 动力mosfet 4.75V〜5.25V 25-Hzip 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 17 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 2.4a 10v〜38V 双极 - 1、1/2、1/4
TB6674PG,C,8 Toshiba Semiconductor and Storage TB6674PG，C，8 -
RFQ
 ECAD 1620年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -30°C〜75°C（TA） 通用目的 通过洞 16 浸（0.300英寸，7.62mm） TB6674 动力mosfet 4.5V〜5.5V 16二滴 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 350mA 2.7V〜22V 双极 - -
TA78L075AP,F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L075AP，f（j -
RFQ
 ECAD 8489 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78L075 35V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 6.5 MA - 积极的 150mA 7.5V - 1 1.7V @ 40mA ty（typ） 45DB （120Hz） 超过电流
TC7USB31FK(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage TC7USB31FK （TE85L，f -
RFQ
 ECAD 9541 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7USB 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 8-VFSOP （0.091英寸，2.30mm） SPST开关 TC7USB31 2.3v〜3.6V 8-SSOP 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 - 单供应 1 x 1：1 2
TB6560AHQ,8 Toshiba Semiconductor and Storage TB6560AHQ，8 7.2800
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -30°C〜85°C（TA） 通用目的 通过洞 25-SSIP形成的铅 TB6560 动力mosfet 4.5V〜5.5V 25-Hzip 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 14 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 3a 4.5V〜34V 双极 - 1、1/2、1/4、1/8、1/16
TB9101FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB9101FNG，El 5.1900
RFQ
 ECAD 7188 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q100 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 汽车 表面安装 24-lssop （0.220英寸，5.60mm宽度） TB9101 Bi-Cmos 7v〜18V 24 SSOP 下载 Rohs符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 打开/关 前驾驶员 -半桥（ -4） 1.5a 0.3V〜40V - DC -
TA76L431S,T6Q(M Toshiba Semiconductor and Storage TA76L431S，T6Q （M -
RFQ
 ECAD 9001 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 - -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA76L431 - - - - LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 - - - -
TC74VCX16841(EL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TC74VCX16841（f），f） -
RFQ
 ECAD 5185 0.00000000 东芝半导体和存储 74VCX 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 56-TFSOP （0.240英寸，6.10mm） 74VCX168 三州 1.8v〜3.6V 56-tssop - Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1,000 D 6mA，6mA 10:10 2 1NS
TB62218AFTG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62218AFTG，C8，El 1.3710
RFQ
 ECAD 2927 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-VFQFN暴露垫 TB62218 DMO 4.75V〜5.25V 48-qfn （7x7） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 2a 10v〜38V 双极 - 1、1/2、1/4
TC7SBL66CFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7SBL66CFU，LF 0.4400
RFQ
 ECAD 524 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 TC7SBL66 1 5-SSOP 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 - SPST -NC 1：1 18ohm - 1.65V〜3.6V - 6ns，6ns - 3.5pf 1µA -
TC7SZ126FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ126FU，LJ（ct 0.3400
RFQ
 ECAD 6067 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7SZ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 TC7SZ126 - 三州 1.8V〜5.5V 5-SSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 缓冲，无变形 1 1 32mA，32mA
TCR3DG28,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG28，LF 0.3900
RFQ
 ECAD 6969 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-XFBGA，CSPBGA 5.5V 固定的 4-WCSPE（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 5,000 使能够 积极的 300mA 2.8V - 1 0.235V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TCR2EN29,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN29，LF 0.0896
RFQ
 ECAD 1548年 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2en 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2EN29 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 2.9V - 1 0.21V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TC75S101FE,LM(T Toshiba Semiconductor and Storage TC75S101FE，LM t -
RFQ
 ECAD 4561 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TC75S101 63µA - 1 ESV 下载 （1 （无限） Ear99 8542.33.0001 3,000 0.15V/µs 1.5 ma 通用目的 0.1 pa 1.2 mv 1.5 v 5.5 v
TC74HC595AF(EL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TC74HC595AF（埃尔（F） 0.6200
RFQ
 ECAD 3743 0.00000000 东芝半导体和存储 74HC 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 16-Soic（0.209英寸，宽度为5.30mm） 74HC595 三州 2v〜6V 16 SOP - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 换档 1 8 串行到平行
TCR3RM18A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM18A，LF （Se 0.4600
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3RM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR3RM18 5.5V 固定的 4-DFNC（1x1） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 12 µA 当前限制，启用 积极的 300mA 1.8V - 1 0.22V @ 300mA - 在电流上超过温度
TB6561FG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6561FG，8，El 3.5800
RFQ
 ECAD 2288 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 30-bsop （0.295英寸，宽度为，7.50mm） TB6561 Bi-Cmos 10v〜36V 30 SSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM （4） 1.5a 10v〜36V - DC -
TA58M15S,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58M15S，Q（j -
RFQ
 ECAD 7560 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58M15 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1.4 MA 80 ma - 积极的 500mA 15V - 1 0.65V @ 500mA - 在电流上超过温度，反向极性
TC7LX1104WBG(LC,AH Toshiba Semiconductor and Storage tc7lx1104wbg lc，ah -
RFQ
 ECAD 9341 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7LX 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 12-WFBGA，WLCSP 自动方向传感 7LX1104 三态，无向世 1 12-WCSP（1.2x1.6） - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 200Mbps - - 电压水平 双向 4 1.2 v〜3.6 v 1.2 v〜3.6 v
TA78L006AP,T6STF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78L006AP，T6STF （M -
RFQ
 ECAD 2822 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78L006 35V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 6 ma - 积极的 150mA 6V - 1 1.7V @ 40mA ty（typ） 47dB（120Hz） 超过电流
TCR2EF32,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF32，LM（ct 0.3300
RFQ
 ECAD 2813 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR2EF32 5.5V 固定的 SMV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 3.2V - 1 0.2V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TC74HC4049AFTEL Toshiba Semiconductor and Storage TC74HC4049Aftel 0.1724
RFQ
 ECAD 1593年 0.00000000 东芝半导体和存储 74HC 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-TSSOP （0.173“，4.40mm宽度） 74HC4049 - 推扣 2v〜6V 16-TSSOP 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 缓冲，反转 6 1 7.8mA，7.8mA
TA78L008AP(TORI,FM Toshiba Semiconductor and Storage ta78l008ap（tori，fm -
RFQ
 ECAD 7522 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78L008 35V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 6.5 MA - 积极的 150mA 8V - 1 1.7V @ 40mA ty（typ） 45DB （120Hz） 超过电流
TC78B042FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78B042FTG，El 2.1300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜115°C 风扇控制器 表面安装 32-VFQFN暴露垫 TC78B042 - 6v〜16.5V 32-VQFN （5x5） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 控制器 -速度 PWM 高侧，低侧 2mA 4.5V〜5.3V 多相 DC（BLDC） -
TC78H600FNG,C,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H600FNG，C，El 1.9100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 20-lssop （0.173“，4.40mm宽度） TC78H600 DMO 2.7V〜5.5V 20ssop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM （4） 800mA 2.5V〜15V - DC -
TCR2LE105,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE105，LM（ct 0.3900
RFQ
 ECAD 125 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SOT-553 TCR2LE105 5.5V 固定的 ESV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 1.05V - 1 1.4V @ 150mA - 超过电流
TB67S128FTG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB67S128FTG（o，El） 7.8400
RFQ
 ECAD 8129 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 64-VFQFN暴露垫 TB67S128 动力mosfet 0v〜5.5V 64-VQFN（9x9） 下载 Rohs符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 5a 6.5V〜44V 双极 - 1/8、1/16、1/32
74VHC9595FT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHC9595FT 0.4900
RFQ
 ECAD 2339 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 16-TSSOP （0.173“，4.40mm宽度） 74VHC9595 推扣 2v〜5.5V 16-TSSOPB 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,500 换档 1 8 串行到平行
TCR3RM10A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM10A，LF （Se 0.4600
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3RM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR3RM10 5.5V 固定的 4-DFNC（1x1） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 12 µA 当前限制，启用 积极的 300mA 1V - 1 - - 在电流上超过温度
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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