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（IC）（2120）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 类型 特征 基本产品编号 输入类型 频率 技术 电压 -输入（最大） 输出类型 电路数 比率-输入：输出 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 逻辑类型 元素数量 每个元素的位数 电流 -输出高，低，低 功能 电流 -静止（最大） 电流 -输出 /通道 输入数量 电压 -电源（ -vcc/vdd） 数据速率 界面 输入信号 输出信号 输出数量 电压源 最大传播延迟 @ v，max cl 当前-iq（iq） 电流 -供应（最大） 输入逻辑级别 -低 输入逻辑级别 -高 电路 独立电路 翻译类型 频道类型 每个电路通道 电压-VCCA 电压-VCCB 内部开关 拓扑 故障保护 控制功能 电压 -电源（最大） 输出配置 电流 -输出 RDS（类型） 电压 -负载 电机类型 -步进 电机类型-AC，DC 步骤分辨率 昏暗 电压 -电源（最小） 电压 -输出 开关类型 电流 -输出（最大） 电压 -输出（最小/固定） 电压 -输出（最大） 监管机构数量 （（（） PSRR 保护功能
TC74HC595AF(EL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TC74HC595AF（埃尔（F） 0.6200
RFQ
 ECAD 3743 0.00000000 东芝半导体和存储 74HC 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 16-Soic（0.209英寸，宽度为5.30mm） 74HC595 三州 2v〜6V 16 SOP - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 换档 1 8 串行到平行
TB6561FG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6561FG，8，El 3.5800
RFQ
 ECAD 2288 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 30-bsop （0.295英寸，宽度为，7.50mm） TB6561 Bi-Cmos 10v〜36V 30 SSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM （4） 1.5a 10v〜36V - DC -
TC7LX1104WBG(LC,AH Toshiba Semiconductor and Storage tc7lx1104wbg lc，ah -
RFQ
 ECAD 9341 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7LX 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 12-WFBGA，WLCSP 自动方向传感 7LX1104 三态，无向世 1 12-WCSP（1.2x1.6） - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 200Mbps - - 电压水平 双向 4 1.2 v〜3.6 v 1.2 v〜3.6 v
TCR2EF32,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF32，LM（ct 0.3300
RFQ
 ECAD 2813 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR2EF32 5.5V 固定的 SMV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 3.2V - 1 0.2V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TC74HC4049AFTEL Toshiba Semiconductor and Storage TC74HC4049Aftel 0.1724
RFQ
 ECAD 1593年 0.00000000 东芝半导体和存储 74HC 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-TSSOP （0.173“，4.40mm宽度） 74HC4049 - 推扣 2v〜6V 16-TSSOP 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 缓冲，反转 6 1 7.8mA，7.8mA
TA78L008AP(TORI,FM Toshiba Semiconductor and Storage ta78l008ap（tori，fm -
RFQ
 ECAD 7522 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78L008 35V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 6.5 MA - 积极的 150mA 8V - 1 1.7V @ 40mA ty（typ） 45DB （120Hz） 超过电流
TC78B042FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78B042FTG，El 2.1300
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜115°C 风扇控制器 表面安装 32-VFQFN暴露垫 TC78B042 - 6v〜16.5V 32-VQFN （5x5） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 控制器 -速度 PWM 高侧，低侧 2mA 4.5V〜5.3V 多相 DC（BLDC） -
TC78H600FNG,C,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H600FNG，C，El 1.9100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 20-lssop （0.173“，4.40mm宽度） TC78H600 DMO 2.7V〜5.5V 20ssop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM （4） 800mA 2.5V〜15V - DC -
TCR2LE105,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE105，LM（ct 0.3900
RFQ
 ECAD 125 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SOT-553 TCR2LE105 5.5V 固定的 ESV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 1.05V - 1 1.4V @ 150mA - 超过电流
TB67S128FTG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB67S128FTG（o，El） 7.8400
RFQ
 ECAD 8129 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 64-VFQFN暴露垫 TB67S128 动力mosfet 0v〜5.5V 64-VQFN（9x9） 下载 Rohs符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 5a 6.5V〜44V 双极 - 1/8、1/16、1/32
TCR3RM10A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM10A，LF （Se 0.4600
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3RM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR3RM10 5.5V 固定的 4-DFNC（1x1） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 12 µA 当前限制，启用 积极的 300mA 1V - 1 - - 在电流上超过温度
TB62752BFUG,EL Toshiba Semiconductor and Storage tb62752bfug，el -
RFQ
 ECAD 2895 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C（TA） 背光 表面安装 SOT-23-6 DC DC调节器 TB62752 1MHz SOT-23-6 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 20mA 1 是的 （（（） 5.5V PWM 2.8V -
TB67H302HG Toshiba Semiconductor and Storage TB67H302HG 8.3300
RFQ
 ECAD 8296 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -30°C〜85°C（TA） 通用目的 通过洞 25-SIP形成的铅 TB67H302 动力mosfet 8v〜42v 25-Hzip 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） TB67H302HG（O） Ear99 8542.39.0001 17 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行，PWM （4） 4.5a 8v〜42v - DC -
TCR3DF25,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF25，LM（ct 0.3800
RFQ
 ECAD 8549 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3DF25 5.5V 固定的 SMV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 65 µA 78 µA 使能够 积极的 300mA 2.5V - 1 0.31V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TA58L05S,ALPSAQ(M Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S，阿尔帕克（m -
RFQ
 ECAD 4393 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58L05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 50 mA - 积极的 250mA 5V - 1 0.4V @ 200mA - 在电流上超过温度
TCR2EE14,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE14，LM（ct 0.0680
RFQ
 ECAD 3997 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE14 5.5V 固定的 ESV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.4V - 1 0.42V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TC74AC640F(EL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TC74AC640F（（，f） 0.3966
RFQ
 ECAD 3330 0.00000000 东芝半导体和存储 TC74AC 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 20-SOIC （0.209英寸，5.30mm） 74AC640 - 三州 2v〜5.5V 20 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 收发器，反转 1 8 24mA，24mA
TC7W02FUTE12LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7W02FUTE12LF -
RFQ
 ECAD 4509 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7W 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 8-tssop，8-msop （0.110英寸，2.80mm） - 7W02 2 2v〜6V 8-SSOP 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 也不是门 5.2mA，5.2mA 1 µA 2 13ns @ 6v，50pf 0.5V〜1.8V 1.5V〜4.2V
TCR2LN285,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN285，lf（Se 0.3800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xfdfn暴露垫 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 264-TCR2LN285LF（教派 Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 2.85V - 1 0.36V @ 150mA - 超过电流
74HC4049D Toshiba Semiconductor and Storage 74HC4049D 0.5900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 74HC 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm） 74HC4049 - 推扣 2v〜6V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,500 缓冲，反转 6 1 7.8mA，7.8mA
TA78DS08BP(T6ND,AF Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS08BP（t6nd，AF -
RFQ
 ECAD 4886 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78DS 33V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1.2 ma 1.2 ma - 积极的 30mA 8V - 1 0.3V @ 10mA - 在电流上超过温度，超过电压，瞬态电压
TCK22975G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22975G，LF 0.1807
RFQ
 ECAD 3375 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 6-ufbga，WLCSP 控制率控制 TCK22975 不转变 P通道 1：1 6-WCSPE（0.80x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 反向电流 高侧 25mohm 1.1V〜5.5V 通用目的 2a
TA7291FG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TA7291fg（o，El） -
RFQ
 ECAD 6661 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -30°C〜75°C（TA） 通用目的 表面安装 16-bsop （0.252英寸，6.40mm +） + 2热标签 TA7291 双极 4.5V〜20V 16-HSOP 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1,500 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 2（2） 400mA 0v〜20V - DC -
TC74HC139APF Toshiba Semiconductor and Storage TC74HC139APF -
RFQ
 ECAD 7493 0.00000000 东芝半导体和存储 74HC 管子 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 16 浸（0.300英寸，7.62mm） 解码器/解密器 74HC139 2v〜6V 16二滴 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 25 5.2mA，5.2mA 单供应 1 x 2：4 2
TCR2DG20,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG20，LF 0.1394
RFQ
 ECAD 3769 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-ufbga，WLCSP 5.5V 固定的 4-WCSP（0.79x0.79） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 3,000 70 µA 使能够 积极的 200mA 2V - 1 0.16V @ 100mA - 在电流上超过温度
TCR3DF24,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF24，LM（ct 0.0906
RFQ
 ECAD 9233 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3DF24 5.5V 固定的 SMV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 使能够 积极的 300mA 2.4V - 1 0.35V @ 300mA 70dB（1KHz） 电流，高度，温度
74VHCT125AFT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHCT125AFT 0.4800
RFQ
 ECAD 3032 0.00000000 东芝半导体和存储 74VHCT 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 14-TSSOP （0.173“，4.40mm宽度） 74VHCT125 - 三州 4.5V〜5.5V 14-TSSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,500 缓冲，无变形 4 1 8mA，8mA
TCR3DM30,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM30，lf（Se 0.4800
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 使能够 积极的 300mA 3V - 1 0.25V @ 300mA - 在电流上超过温度
TBD62083APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62083APG 1.4900
RFQ
 ECAD 5066 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜85°C（TA） 通过洞 18 浸（0.300英寸，7.62mm） - TBD62083 反转 n通道 1：1 18浸 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 20 不需要 打开/关 8 - 低侧 - （50V）） 通用目的 500mA
TC74AC244F(EL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TC74AC244F（EL，F） 0.3966
RFQ
 ECAD 2639 0.00000000 东芝半导体和存储 TC74AC 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 20-SOIC （0.209英寸，5.30mm） 74AC244 - 三州 2v〜5.5V 20 sop - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 缓冲，无变形 2 4 24mA，24mA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

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    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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