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（IC）（2120）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 类型 特征 基本产品编号 输入类型 技术 电压 -输入 电压 -输入（最大） 输出类型 比率-输入：输出 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 逻辑类型 元素数量 每个元素的位数 电流 -输出高，低，低 功能 电压 -电源，单/双（±） 电压 -输入偏移（最大） 电流 -输入偏差（最大） 电流 -输出（典型） 电流 -静止（最大） CMRR，PSRR（类型） （（（） 滞后 i/o的数量 核心处理器 核心大小 速度 连接性 外围设备 程序内存大小 程序内存类型 EEPROM大小 ram大小 电压 -电源（ -vcc/vdd） 数据转换器 振荡器类型 界面 时钟频率 输出数量 触发类型 最大传播延迟 @ v，max cl 当前-iq（iq） 电流 -供应（最大） 输入电容 施密特触发输入 独立电路 传播延迟 故障保护 控制功能 输出配置 感应方法 准确性 电流 -输出 RDS（类型） 电压 -负载 电机类型 -步进 电机类型-AC，DC 步骤分辨率 开关类型 电流 -输出（最大） 电压 -输出（最小/固定） 电压 -输出（最大） 监管机构数量 （（（） PSRR 保护功能
TCR2LN32,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN32，lf（Se 0.3800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xfdfn暴露垫 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 3.2V - 1 0.28V @ 150mA - 超过电流
TCR2DG25,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG25，LF 0.1394
RFQ
 ECAD 7523 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-ufbga，WLCSP 5.5V 固定的 4-WCSP（0.79x0.79） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 3,000 70 µA 使能够 积极的 200mA 2.5V - 1 0.13V @ 100mA 75DB〜50DB （1KHz〜100KHz） 在电流上超过温度
TBD62183AFWG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62183AFWG，El 1.3100
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 18-SOIC（0.295（7.50mm） - TBD62183 反转 n通道 1：1 18 SOP 下载 rohs3符合条件 不适用 Ear99 8542.39.0001 1,000 2.8V〜25V - 8 - 低侧 - （50V）） 通用目的 50mA
TCR2DG13,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG13，LF 0.1394
RFQ
 ECAD 3275 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-ufbga，WLCSP TCR2DG13 5.5V 固定的 4-WCSP（0.79x0.79） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 70 µA 使能够 积极的 200mA 1.3V - 1 0.7V @ 100mA - 在电流上超过温度
TCR2LN13,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN13，lf（Se 0.3800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xfdfn暴露垫 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 1.3V - 1 1.11V @ 150mA - 超过电流
TCR2EF105,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF105，LM（ct 0.0618
RFQ
 ECAD 3343 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 5.5V 固定的 SMV 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 3,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.05V - 1 0.77V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
74HC4538D Toshiba Semiconductor and Storage 74HC4538D 0.1360
RFQ
 ECAD 1713年 0.00000000 东芝半导体和存储 74HC 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm） 74HC4538 2 V〜6 V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,500 单个 5.2mA，5.2mA 是的 2 25 ns
TCR2EE17,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE17，LM（ct 0.3700
RFQ
 ECAD 1488 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE17 5.5V 固定的 ESV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.7V - 1 0.7V @ 300mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCK304G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK304G，LF 1.1500
RFQ
 ECAD 447 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 9-Ufbga，WLCSP 控制率控制，状态标志 TCK304 - n通道 1：1 9-WCSP（1.5x1.5） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 高温，电压过电流，反向电流，uvlo 高侧 73mohm 2.3v〜28V 通用目的 3a
TB9053FTG(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB9053FTG（EL） 5.0200
RFQ
 ECAD 4509 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 汽车 表面安装 40-LFQFN暴露垫 TB9053 DMO 4.5V〜28V 40-qfn （6x6） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 3,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM，SPI （4） 6a 4.5V〜28V 双极 DC -
TMPM3HNF10BFG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM3HNF10BFG 13.0700
RFQ
 ECAD 90 0.00000000 东芝半导体和存储 TXZ+ 托盘 积极的 -40°C〜105°C 表面安装 100-LQFP 100-LQFP（14x14） - rohs3符合条件 3（168）） 264-TMPM3HNF10BFG 90 92 ARM®Cortex®-M3 32位 120MHz i²c，spi，uart/usart DMA，LVD，电动机控制PWM，POR，WDT 1MB （1m x 8） 闪光 32K x 8 128K x 8 2.7V〜5.5V A/D 17x12b SAR; D/A 2x8b 外部，内部
TB67B000AHG Toshiba Semiconductor and Storage TB67B000AHG 7.3500
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -30°C〜115°C 通用目的 通过洞 30-PowerDip模块 TB67B000 IGBT 13.5v〜16.5V 30-HDIP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 15 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM 3（3） 2a 50V〜450V 多相 DC（BLDC） -
TCR2EN19,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN19，lf（Se 0.3800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.9V - 1 0.29V @ 300mA，0.3V @ 300mA - 超过电流
TB67S112PG,HJ Toshiba Semiconductor and Storage TB67S112PG，HJ 2.4300
RFQ
 ECAD 211 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜85°C（TA） 通用目的 通过洞 16 浸（0.300英寸，7.62mm） TB67S112 动力mosfet 2v〜5.5V 16二滴 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 25 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 半桥 1.5a 4.5V〜47V 单极 - -
TC7SZ17FE,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7S17FE，LJ（ct 0.3700
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7SZ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 SOT-553 TC7SZ17 施密特触发 推扣 1.65V〜5.5V ESV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 缓冲，无变形 1 1 32mA，32mA
TCR3DM32,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM32，lf（Se 0.4800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 使能够 积极的 300mA 3.2V - 1 0.23V @ 300mA - 在电流上超过温度
TCR2LE08,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE08，LM（ct 0.0742
RFQ
 ECAD 7520 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SOT-553 TCR2LE08 5.5V 固定的 ESV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 0.8V - 1 1.58V @ 150mA - 超过电流
TB6604FTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6604FTG，8，El -
RFQ
 ECAD 1396 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 - - 表面安装 - TB6604 - - 48-qfn 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 控制器 -换向，指导管理，指导管理 - 前驾驶员 -3） - 30V - DC（BLDC） -
TCR3UM175A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UM175A，LF （Se 0.4700
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 680 NA 当前限制，启用 积极的 300mA 1.75V - 1 0.573V @ 300mA - 在电流上超过温度
74VHC374FT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHC374FT 0.5100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 74VHC 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 20-tssop （0.173“，4.40mm宽度） D 74VHC374 三态，无向世 2v〜5.5V 20-TSSOPB 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,500 1 8 8mA，8mA 标准 120 MHz 正优势 10.1NS @ 5V，50pf 4 µA 4 pf
TCR3UG18A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG18A，LF 0.4700
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 东芝半导体和存储 tcr3ug 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-XFBGA，WLCSP TCR3UG18 5.5V 固定的 4-WCSP-F（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 680 NA 使能够 积极的 300mA 1.8V - 1 0.457V @ 300mA 70dB（1KHz） 电流电流，超过电流的热关机
TCR2LF08,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF08，LM（ct 0.0700
RFQ
 ECAD 3714 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR2LF08 5.5V 固定的 SMV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 0.8V - 1 1.58V @ 150mA - 超过电流
TCR3UG185A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG185A，LF 0.1237
RFQ
 ECAD 2215 0.00000000 东芝半导体和存储 tcr3ug 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 4-XFBGA，WLCSP 4-WCSPF（0.65x0.65） - rohs3符合条件 264-TCR3UG185A，LFTR 5,000
TC75S58FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage TC75S58FUTE85LF 0.5000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 通用目的 TC75S58 打开排水 5-SSOP 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.33.0001 3,000 1 1.8V〜7V，±0.9V〜3.5V 7MV @ 5V 1PA @ 5V 25mA 20µA - 800NS -
TC78H630FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H630FNG，El 1.5800
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -30°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 16-TSSOP （0.173“，4.40mm宽度） TC78H630 DMO 2.7V〜5.5V 16-TSSOP 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 4,000 司机 PWM 前驾驶员 -半桥 2.1a 2.5V〜15V 双极 DC -
TCR2LF12,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LF12，LM（ct 0.3900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR2LF12 5.5V 固定的 SMV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 1.2V - 1 1.25V @ 150mA - 超过电流
TCR2DG36,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG36，LF 0.1394
RFQ
 ECAD 4942 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-ufbga，WLCSP 5.5V 固定的 4-WCSP（0.79x0.79） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 3,000 70 µA 使能够 积极的 200mA 3.6V - 1 0.11V @ 100mA - 在电流上超过温度
74HC123D Toshiba Semiconductor and Storage 74HC123D 0.5900
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 东芝半导体和存储 74HC 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm） 74HC123 2 V〜6 V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,500 单个 5.2mA，5.2mA 是的 2 40 ns
TCR5AM075,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM075，LF 0.1344
RFQ
 ECAD 7559 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5am 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR5AM075 5.5V 固定的 5-DFNB（1.2x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 55 µA 68 µA 使能够 积极的 500mA 0.75V - 1 0.21V @ 500mA 70DB〜40DB （1KHz〜10Hz） 在电流，温度下，电压锁定（ uvlo）
TCKE800NL,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCKE800NL，RF 1.5200
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 10-WFDFN暴露垫 TCKE800 4.4v〜18V 10-wsonb（3x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 电子保险丝 - - 5a
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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