SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 类型 特征 基本产品编号 技术 电流 -供应 电压 -输入(最大) 输出类型 电路数 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 其他名称 ECCN htsus 标准包 逻辑类型 元素数量 每个元素的位数 电流 -输出高,低,低 功能 电压 -电源,单/双(±) 电压 -输入偏移(最大) 电流 -输入偏差(最大) 电流 -输出(典型) 电流 -静止(最大) CMRR,PSRR(类型) ((() 滞后 杀伤率 电流 -输出 /通道 放大器类型 获得带宽产品 电流 -输入偏差 电压 -输入偏移 电压 -供应跨度(最小) 电压 -供应跨度(最大) 输入数量 协议 驱动程序/接收器的数量 双工 数据速率 界面 时钟频率 输出数量 电压源 触发类型 最大传播延迟 @ v,max cl 当前-iq(iq) 电流 -供应(最大) 输入电容 输入逻辑级别 -低 输入逻辑级别 -高 施密特触发输入 电路 独立电路 传播延迟 拓扑 频率 -切换 控制功能 输出配置 同步整流器 电流 -输出 电压 -负载 电机类型 -步进 电机类型-AC,DC 步骤分辨率 电压 -输出(最小/固定) 电压 -输出(最大) 电压 -输入(最小) 监管机构数量 ((() PSRR 保护功能
TA58L15S,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58L15S,Q(j -
RFQ
ECAD 6463 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58L15 29V 固定的 TO-220NIS 下载 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 1 1.4 MA 50 mA - 积极的 250mA 15V - 1 0.4V @ 200mA - 在电流上超过温度
TA78L005AP,T6F(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L005AP,T6F(j -
RFQ
ECAD 9170 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3,TO-92-3 TA78L005 35V 固定的 LSTM 下载 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 1 6 ma - 积极的 150mA 5V - 1 1.7V @ 40mA ty(typ) 49dB(120Hz) -
TCR2DG14,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG14,LF 0.1394
RFQ
ECAD 7900 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-ufbga,WLCSP 5.5V 固定的 4-WCSP(0.79x0.79) 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 3,000 70 µA 使能够 积极的 200mA 1.4V - 1 0.6V @ 100mA - 在电流上超过温度
TB67S215FTAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S215FTAG,El 2.7300
RFQ
ECAD 7254 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -20°C〜150°C(TJ) 通用目的 表面安装 36-WFQFN暴露垫 TB67S215 动力mosfet 4.75V〜5.25V 36-WQFN (6x6) 下载 rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成,控制和权力阶段,控制和权力阶段 PWM (4) 2a 10v〜35V 双极 - 1、1/2、1/4
KIA78L24BP Toshiba Semiconductor and Storage KIA78L24BP -
RFQ
ECAD 4448 0.00000000 东芝半导体和存储 * 大部分 积极的 Kia78 - Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 1
TA75S01F,LF Toshiba Semiconductor and Storage TA75S01F,LF 0.4800
RFQ
ECAD 325 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A,SOT-753 TA75S01 400µA - 1 SMV 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.33.0001 3,000 - 40 MA 通用目的 300 kHz 45 NA 2 mV 3 V 12 v
TD62308APG,J,S Toshiba Semiconductor and Storage TD62308APG,J,s -
RFQ
ECAD 9189 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 16 浸(0.300英寸,7.62mm) 司机 TD62308 4.5V〜5.5V 16二滴 - 不适用 Ear99 8542.39.0001 25 - 4/0 - -
TCR5RG29A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5RG29A,LF 0.5300
RFQ
ECAD 6582 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5RG 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-XFBGA,WLCSP TCR5RG29 5.5V 固定的 4-WCSPF(0.65x0.65) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 5,000 13 µA - 积极的 500mA 2.9V - 1 - 100dB〜59dB (1KHz〜1MHz) 在电流上超过温度
TCR3UG25B,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG25B,LF 0.1261
RFQ
ECAD 1277 0.00000000 东芝半导体和存储 tcr3ug 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C 〜85°C(TJ) 表面安装 4-XFBGA,WLCSP TCR3UG25 5.5V 固定的 4-WCSP-F(0.65x0.65) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 5,000 680 NA 使能够 积极的 300mA 2.5V - 1 0.327V @ 300mA 70dB(1KHz) 电流电流,超过电流的热关机
TC7S14FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7S14FU,LF 0.3800
RFQ
ECAD 50 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 施密特触发 7S14 1 2v〜6V 5-SSOP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 3,000 逆变器 2.6mA,2.6mA 1 µA 1 17ns @ 6v,50pf 0.3V〜1.5V 1.5V〜4.2V
TA75W393FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TA75W393FU,LF 0.4400
RFQ
ECAD 82 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 8-tssop,8-msop (0.110英寸,2.80mm) 通用目的 TA75W393 CMOS,DTL,MOS,开放式,TTL 8-SSOP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 3,000 2 2v〜36v,±1v〜18v 5MV @ 5V 0.25µA @ 5V 16NA @ 5V 2mA - - -
TCR13AGADJ,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR13AGADJ,LF 0.4500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR13AG 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C 〜85°C(TJ) 表面安装 6-XFBGA,WLCSP TCR13 6V 可调节的 6-WCSP(1.2x0.80) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 5,000 92 µA 使能够 积极的 1.3a 0.55V 3.6V 1 0.163V @ 1A 90dB(1KHz) 电流电流,超过电流,热关闭,uvlo
TC74ACT157FN Toshiba Semiconductor and Storage TC74ACT157FN -
RFQ
ECAD 4367 0.00000000 东芝半导体和存储 TC74ACT 管子 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 16-Soic(0.154英寸,宽度为3.90mm) 复用器 74ACT157 4.5V〜5.5V 16-SOL 下载 Rohs不合规 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 1,000 24mA,24mA 单供应 4 x 2:1 1
TCR3DM33,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM33,LF 0.3600
RFQ
ECAD 3246 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DM 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 TCR3DM33 5.5V 固定的 4-DFN(1x1) 下载 Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 10,000 65 µA 78 µA 使能够 积极的 300mA 3.3V - 1 0.23V @ 300mA 70dB(1KHz) 在电流上超过温度
TCR2DG27,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG27,LF 0.1394
RFQ
ECAD 3734 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-ufbga,WLCSP 5.5V 固定的 4-WCSP(0.79x0.79) 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 3,000 70 µA 使能够 积极的 200mA 2.7V - 1 0.12V @ 100mA - 在电流上超过温度
74VHC123AFT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHC123AFT 0.4300
RFQ
ECAD 2264 0.00000000 东芝半导体和存储 74VHC 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 16-TSSOP (0.173“,4.40mm宽度) 74VHC123 2 v〜5.5 v 16-TSSOP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 2,500 单个 8mA,8mA 2 9.6 ns
TCV7102F(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TCV7102F(TE12L,Q) -
RFQ
ECAD 6031 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜125°C(TJ) 表面安装 8-POWERTDFN TCV71 5.5V 可调节的 8(5x5) 下载 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 3,000 降压 1 巴克 1.4MHz 积极的 是的 3a 0.8V 5.5V 2.7V
TC7SH08FU,LJ Toshiba Semiconductor and Storage TC7SH08FU,LJ -
RFQ
ECAD 4645 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7SH 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 - 7SH08 1 2v〜5.5V 5-SSOP 下载 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 3,000 和门 8mA,8mA 2 µA 2 7.9NS @ 5V,50pf 0.5V 1.5V
TCR3RM33A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM33A,LF -
RFQ
ECAD 3988 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3RM 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR3RM33 5.5V 固定的 4-DFNC(1x1) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 10,000 - 积极的 300mA 3.3V - 1 0.13V @ 300mA 100dB (1KHz) 在电流上超过温度
TB6642FTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6642FTG,8,El 2.3700
RFQ
ECAD 2373 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C(TA) 通用目的 表面安装 32-VFQFN暴露垫 TB6642 Bi-Cmos 10V〜45V 32-VQFN (5x5) 下载 rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成,控制和权力阶段,控制和权力阶段 平行,PWM 2(2) 1.5a 10V〜45V - DC -
TCR15AGADJ,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR15AGADJ,LF 0.7000
RFQ
ECAD 18 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR15AG 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C 〜85°C(TJ) 表面安装 6-XFBGA,WLCSP TCR15 5.5V 可调节的 6-WCSPF(0.80x1.2) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 5,000 40 µA 使能够 积极的 1.5a 0.6V 3.6V 1 0.216V @ 1.5A 95dB (1KHz) 在电流,温度下,电压锁定( uvlo)
TB62210FNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62210FNG,C8,El 1.7261
RFQ
ECAD 7838 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -20°C〜85°C(TA) 通用目的 表面安装 24-tssop (0.173英寸,4.40mm(4.40mm) TB62210 DMO 2v〜5.5V 24-HTSSOP 下载 rohs3符合条件 3(168)) TB62210FNGC8EL Ear99 8542.39.0001 2,000 司机 PWM 2(2) 1a 10v〜38V 双极 DC -
TC74LCX74FT(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TC74LCX74FT(EL) -
RFQ
ECAD 3388 0.00000000 东芝半导体和存储 74lcx Digi-Reel® 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 14-TSSOP (0.173“,4.40mm宽度) D 74LCX74 补充 1.65V〜3.6V 14-TSSOP - Rohs不合规 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 2,000 2 1 24mA,24mA (设置(预设)和重置 150 MHz 正优势 7NS @ 3.3V,50pf 10 µA 7 pf
74HC174D Toshiba Semiconductor and Storage 74HC174D -
RFQ
ECAD 1295 0.00000000 东芝半导体和存储 74HC 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C(TA) 表面安装 16-Soic(0.154英寸,宽度为3.90mm) D 74HC174 无向世 2v〜6V 16-Soic - Rohs符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 2,500 1 6 5.2mA,5.2mA 主重置 71 MHz 正优势 26ns @ 6v,50pf 4 µA 5 pf
TCR3RM09A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM09A,LF (SE 0.4600
RFQ
ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3RM 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR3RM09 5.5V 固定的 4-DFNC(1x1) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 10,000 12 µA 当前限制,启用 积极的 300mA 0.9V - 1 - - 在电流上超过温度
TCR8BM12,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM12,L3F 0.1538
RFQ
ECAD 9066 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR8BM 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR8BM12 5.5V 固定的 5-DFNB(1.2x1.2) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 5,000 36 µA 当前限制,启用 积极的 800mA 1.2V - 1 0.26V @ 800mA 98dB (1KHz) 在电流上超过温度
TCR5SB30A(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage TCR5SB30A (T5L,F,T) -
RFQ
ECAD 3406 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5SB 胶带和卷轴((tr) 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A,SOT-753 TCR5SB30 6V 固定的 SMV - (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 3,000 75 µA 使能够 积极的 150mA 3V - 1 0.19V @ 50mA 80dB (1KHz) 超过电流
TCR2EE295,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE295,LM(ct 0.0680
RFQ
ECAD 3054 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE295 5.5V 固定的 ESV 下载 Rohs不合规 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 2.95V - 1 0.23V @ 150mA 73dB (1KHz) 超过电流
TC75W57FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC75W57FU,LF 0.5800
RFQ
ECAD 17 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 8-tssop,8-msop (0.110英寸,2.80mm) 通用目的 TC75W57 推扣 8-SSOP 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8542.39.0001 3,000 2 1.8V〜7V,±0.9V〜3.5V 7MV @ 5V 1PA @ 5V 25mA 400µA - 140ns -
74LCX157FT Toshiba Semiconductor and Storage 74LCX157FT 0.1020
RFQ
ECAD 8155 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 -40°C〜125°C(TA) 表面安装 16-TSSOP (0.173“,4.40mm宽度) 复用器 74LCX157 1.65V〜3.6V 16-TSSOPB 下载 rohs3符合条件 2,500 24mA,24mA 单供应 4 x 2:1 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库