SIC
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（IC）（2120）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 特征 基本产品编号 输入类型 技术 电压 -输入 电压 -输入（最大） 输出类型 方向 sic可编程 电路数 比率-输入：输出 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 逻辑类型 元素数量 每个元素的位数 电流 -输出高，低，低 功能 电流 -静止（最大） 输入数量 i/o的数量 核心处理器 核心大小 速度 连接性 外围设备 程序内存大小 程序内存类型 EEPROM大小 ram大小 电压 -电源（ -vcc/vdd） 数据转换器 振荡器类型 界面 输出数量 重置 定时 计数率 触发类型 最大传播延迟 @ v，max cl 当前-iq（iq） 电流-供应（最大） 输入逻辑级别 -低 输入逻辑级别 -高 频道类型 频率 -切换 故障保护 控制功能 输出配置 感应方法 准确性 电流 -输出 RDS（类型） 电压 -负载 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil，vih 电流 -峰值输出（源，水槽，水槽） 上升 /秋季t （典型） 电机类型 -步进 电机类型-AC，DC 步骤分辨率 模式 当前 -启动 开关类型 电流 -输出（最大） 电压 -输出（最小/固定） 电压 -输出（最大） 监管机构数量 （（（） PSRR 保护功能
TCR3DM32,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM32，lf（Se 0.4800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 使能够 积极的 300mA 3.2V - 1 0.23V @ 300mA - 在电流上超过温度
TB6604FTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6604FTG，8，El -
RFQ
 ECAD 1396 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 - - 表面安装 - TB6604 - - 48-qfn 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 控制器 -换向，指导管理，指导管理 - 前驾驶员 -3） - 30V - DC（BLDC） -
TCR2LE08,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE08，LM（ct 0.0742
RFQ
 ECAD 7520 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SOT-553 TCR2LE08 5.5V 固定的 ESV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 0.8V - 1 1.58V @ 150mA - 超过电流
TCR3UG18A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG18A，LF 0.4700
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 东芝半导体和存储 tcr3ug 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-XFBGA，WLCSP TCR3UG18 5.5V 固定的 4-WCSP-F（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 680 NA 使能够 积极的 300mA 1.8V - 1 0.457V @ 300mA 70dB（1KHz） 电流电流，超过电流的热关机
TBD62183AFWG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62183AFWG，El 1.3100
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 18-SOIC（0.295（7.50mm） - TBD62183 反转 n通道 1：1 18 SOP 下载 rohs3符合条件 不适用 Ear99 8542.39.0001 1,000 2.8V〜25V - 8 - 低侧 - （50V）） 通用目的 50mA
TC7SZ17FE,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7S17FE，LJ（ct 0.3700
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7SZ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 SOT-553 TC7SZ17 施密特触发 推扣 1.65V〜5.5V ESV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 缓冲，无变形 1 1 32mA，32mA
TCR3DM36,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM36，lf（Se 0.4800
RFQ
 ECAD 68 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 使能够 积极的 300mA 3.6V - 1 0.2V @ 300mA - 在电流上超过温度
TB67S112PG,HJ Toshiba Semiconductor and Storage TB67S112PG，HJ 2.4300
RFQ
 ECAD 211 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜85°C（TA） 通用目的 通过洞 16 浸（0.300英寸，7.62mm） TB67S112 动力mosfet 2v〜5.5V 16二滴 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 25 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 半桥 1.5a 4.5V〜47V 单极 - -
TCR3UM175A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UM175A，LF （SE 0.4700
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 680 NA 当前限制，启用 积极的 300mA 1.75V - 1 0.573V @ 300mA - 在电流上超过温度
TC74HC165AP(F) Toshiba Semiconductor and Storage TC74HC165AP（F） 0.6384
RFQ
 ECAD 5224 0.00000000 东芝半导体和存储 74HC 管子 积极的 -40°C〜85°C 通过洞 16 浸（0.300英寸，7.62mm） 74HC165 补充 2v〜6V 16二滴 下载 Rohs符合条件 不适用 Ear99 8542.39.0001 1 换档 1 8 平行或连续
TCK424G,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCK424G，L3F 0.8500
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 6-XFBGA，WLCSP TCK424 不转变 未行业行业经验证 2.7V〜28V 6-WCSPG（0.8x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 264-TCK424GL3FCT Ear99 8542.39.0001 5,000 单身的 高方向 1 n通道MOSFET 0.4V，1.2V - -
TB67S522FTAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S522FTAG，El 1.4384
RFQ
 ECAD 8048 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 36-WFQFN暴露垫 TB67S522 - 2v〜5.5V 36-WQFN （6x6） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM 2（2） 2.8a 10v〜35V 双极 DC 1、1/2、1/4
TC78B006FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78B006FTG，El 1.3600
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 通用目的 表面安装 16-WFQFN暴露垫 TC78B006 动力mosfet 3.5V〜16V 16-WQFN （3x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 控制器 -换向，指导管理，指导管理 PWM 前驾驶员 -半桥（ -2） - - - DC（BLDC） -
TB6818FG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6818FG，El -
RFQ
 ECAD 3311 0.00000000 东芝半导体和存储 - （CT） 过时的 -25°C〜85°C 表面安装 16 台（0.181英寸，4.60mm宽度） TB6818 8.4V〜26V 16ssop 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 20KHz〜150kHz CCM） 30 µA
TCR2DG13,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG13，LF 0.1394
RFQ
 ECAD 3275 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-ufbga，WLCSP TCR2DG13 5.5V 固定的 4-WCSP（0.79x0.79） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 70 µA 使能够 积极的 200mA 1.3V - 1 0.7V @ 100mA - 在电流上超过温度
TCR2LN13,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN13，lf（Se 0.3800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xfdfn暴露垫 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 1.3V - 1 1.11V @ 150mA - 超过电流
74VHC244FT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHC244FT 0.5100
RFQ
 ECAD 3113 0.00000000 东芝半导体和存储 74VHC 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 20-tssop （0.173“，4.40mm宽度） 74VHC244 - 三州 2v〜5.5V 20-tssop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,500 缓冲，无变形 2 4 8mA，8mA
TAR5S16U(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S16U（TE85L，F） 0.6000
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 6-SMD（5条线），平坦的铅 TAR5S16 15V 固定的 UFV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 850 µA 使能够 积极的 200mA 1.6V - 1 - 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TCR2LN095,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN095，lf（Se 0.3800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xfdfn暴露垫 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 0.95V - 1 1.46V @ 150mA - 超过电流
TCR3DM25,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM25，lf（Se 0.4800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 使能够 积极的 300mA 2.5V - 1 0.29V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TC74ACT14FTEL Toshiba Semiconductor and Storage TC74ACT14FTEL 0.1437
RFQ
 ECAD 9171 0.00000000 东芝半导体和存储 TC74ACT 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜85°C 表面安装 14-TSSOP （0.173“，4.40mm宽度） 施密特触发 74ACT14 6 4.5V〜5.5V 14-TSSOP 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 逆变器 24mA，24mA 4 µA 1 11.4NS @ 5V，50pf 0.8V 2V
74VHC163FT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHC163FT 0.4900
RFQ
 ECAD 5262 0.00000000 东芝半导体和存储 74VHC 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 16-TSSOP （0.173“，4.40mm宽度） 74VHC163 向上 2 v〜5.5 v 16-TSSOPB 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,500 二进制计数器 1 4 同步 同步 125 MHz 正优势
TB62218AFTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62218AFTG，8，El -
RFQ
 ECAD 2013 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-VFQFN暴露垫 TB62218 DMO 4.75V〜5.25V 48-qfn （7x7） 下载 3（168）） Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 2a 10v〜38V 双极 - 1、1/2、1/4
TMPM4NRF10FG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM4NRF10FG -
RFQ
 ECAD 5881 0.00000000 东芝半导体和存储 TXZ+ 托盘 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 176-LQFP 176-LQFP（20x20） 下载 264-TMPM4NRF10FG 1 146 ARM®Cortex®-M4F 32位 200MHz CANBUS，EBI/EMI，以太网，FIFO，I²C，IRDA，SIO，SPI，UART/USART，USB DMA，I²S，LVD，POR，PWM，WDT 1MB （1m x 8） 闪光 32K x 8 256K x 8 2.7V〜3.6V A/D 24X12B SAR; D/A 2x8b 外部，内部
TCKE812NL,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCKE812NL，RF 1.5200
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 10-WFDFN暴露垫 TCKE812 4.4v〜18V 10-wsonb（3x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 电子保险丝 - - 5a
TB67H303HG Toshiba Semiconductor and Storage TB67H303HG 8.3300
RFQ
 ECAD 306 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -30°C〜85°C（TA） 通用目的 通过洞 25-SIP形成的铅 TB67H303 动力mosfet 8v〜42v 25-Hzip 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） TB67H303HG（O） Ear99 8542.39.0001 17 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行，PWM 2（2） 8a 8v〜42v - DC -
TCR3DM15,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM15，lf（Se 0.4800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 使能够 积极的 300mA 1.5V - 1 0.45V @ 300mA - 在电流上超过温度
TBD62789APG Toshiba Semiconductor and Storage TBD62789APG 1.7400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 通过洞 20 DIP（0.300英寸，7.62mm） - TBD62789 - P通道 1：1 20浸 下载 rohs3符合条件 不适用 Ear99 8542.39.0001 20 2v〜5.5V 打开/关 8 - 高侧 1.4OHM 4.5V〜50V 通用目的 400mA
TC7WH32FK,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7WH32FK，LJ（ct 0.0871
RFQ
 ECAD 3761 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7WH 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 8-VFSOP （0.091英寸，2.30mm） - 7WH32 2 2v〜5.5V US8 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 或门 8mA，8mA 2 µA 2 7.5NS @ 5V，50pf - -
TC7WT125FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7WT125FU，LF 0.4200
RFQ
 ECAD 1696年 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7WT 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-tssop，8-msop （0.110英寸，2.80mm） TC7WT125 - 三州 4.5V〜5.5V 8-SSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 缓冲，无变形 2 1 6mA，6mA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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