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（IC）（2120）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 类型 特征 基本产品编号 输入类型 技术 电流 -供应 电压 -输入（最大） 输出类型 方向 电路数 比率-输入：输出 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） ECCN htsus 标准包 逻辑类型 元素数量 每个元素的位数 电流 -输出高，低，低 功能 电流 -静止（最大） 杀伤率 -3dB带宽 放大器类型 电流 -输入偏差 电压 -输入偏移 电压 -供应跨度（最小） 电压 -供应跨度（最大） 输入数量 电压 -电源（ -vcc/vdd） 开关电路 多路复用器/弹能电路 （（（） （Δron）） 电压 -电源，单个（，v+） 电压 -电源，双（ v±） （（toff）（toff））（toff）） 电荷注入 （cs（），（cd（）（cd）） （（（（ 相声 界面 输出数量 电压源 重置 定时 计数率 触发类型 最大传播延迟 @ v，max cl 当前-iq（iq） 电流 -供应（最大） 输入逻辑级别 -低 输入逻辑级别 -高 施密特触发输入 电路 独立电路 传播延迟 故障保护 控制功能 输出配置 电流 -输出 RDS（类型） 电压 -负载 电机类型 -步进 电机类型-AC，DC 步骤分辨率 开关类型 电流 -输出（最大） 电压 -输出（最小/固定） 电压 -输出（最大） 监管机构数量 （（（） PSRR 保护功能
74HC245D Toshiba Semiconductor and Storage 74HC245D 0.5800
RFQ
 ECAD 25 0.00000000 东芝半导体和存储 74HC 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 20-SOIC （0.295英寸，7.50mm宽度） 74HC245 - 三州 2v〜6V 20-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 收发器，无变形 1 8 7.8mA，7.8mA
TB6556FG,8,EL,DRY Toshiba Semiconductor and Storage TB6556FG，8，El，干燥 -
RFQ
 ECAD 8267 0.00000000 东芝半导体和存储 - （CT） 过时的 -30°C〜115°C（TA） 风扇控制器 表面安装 30-bsop （0.295英寸，宽度为，7.50mm） TB6556 Bi-Cmos 6v〜10V 30 SSOP 下载 （1 （无限） Ear99 8542.31.0001 1,000 控制器 -换向，指导管理，指导管理 平行线 前驾驶员 -3） - - - DC（BLDC） -
TA78L008AP,HOTIF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78L008AP，HOTIF （M -
RFQ
 ECAD 4229 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78L008 35V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 6.5 MA - 积极的 150mA 8V - 1 1.7V @ 40mA ty（typ） 45DB （120Hz） 超过电流
7UL1G126FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage 7ul1g126fs，lf 0.4600
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 东芝半导体和存储 7ul 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-953 7ul1g126 - 三州 0.9V〜3.6V FSV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 缓冲，无变形 1 1 8mA，8mA
TC4S66F,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC4S66F，LF 0.1500
RFQ
 ECAD 414 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 SC-74A，SOT-753 TC4S66 1 SMV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 30MHz spst-不 1：1 160ohm - 3v〜18V - - - 0.5pf，5pf 100NA -
TB6586AFG,EL,DRY Toshiba Semiconductor and Storage tb6586afg，el，干燥 -
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 ECAD 1607年 0.00000000 东芝半导体和存储 - （CT） 过时的 -30°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 24-sop （0.236英寸，6.00mm宽度） TB6586 Bi-Cmos 6.5v〜16.5V 24 SSOP 下载 （1 （无限） Ear99 8542.31.0001 2,000 控制器 -换向，指导管理，指导管理 平行线 前驾驶员 -3） - - - DC（BLDC） -
TB62206FG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62206FG，El -
RFQ
 ECAD 3729 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 20-bsop （0.346英寸，8.80mm +） + 2个热标签 TB62206 DMO 4.5V〜5.5V 20-hsop 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 1.5a 13v〜35V 双极 - 1，1/2
TAR5SB50(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TAR5SB50（TE85L，F） 0.4600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TAR5SB50 15V 固定的 SMV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 850 µA 使能够 积极的 200mA 5V - 1 0.2V @ 50mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
74HC541D Toshiba Semiconductor and Storage 74HC541d 0.7600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 74HC 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 20-SOIC （0.295英寸，7.50mm宽度） 74HC541 - 三州 2v〜6V 20-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 缓冲，无变形 1 8 7.8mA，7.8mA
TB62212FTAG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62212FTAG，C8，El 2.9200
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-VFQFN暴露垫 TB62212 动力mosfet 4.5V〜5.5V 48-qfn （7x7） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （8） 2a 10v〜38V 双极 DC -
TCR3UG30A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG30A，LF 0.4700
RFQ
 ECAD 4472 0.00000000 东芝半导体和存储 tcr3ug 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-XFBGA，WLCSP TCR3UG30 5.5V 固定的 4-WCSP-F（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 680 NA 使能够 积极的 300mA 3V - 1 0.273V @ 300mA 70dB（1KHz） 电流电流，超过电流的热关机
TC7S02FUT5LFT Toshiba Semiconductor and Storage TC7S02FUT5LFT -
RFQ
 ECAD 9614 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7 （CT） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 - 7S02 1 2v〜6V 5-SSOP 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 也不是门 2.6mA，2.6mA 1 µA 2 17ns @ 6v，50pf 0.5V〜1.8V 1.5V〜4.2V
TLP7820(D4-LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP7820（d4-lf4，e 4.6072
RFQ
 ECAD 3562 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜105°C 表面安装 8-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） TLP7820 12mA 微分 1 8-so 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.33.0001 75 - 230 kHz 隔离 5.5 NA 900 µV 4.5 v 5.5 v
TC74LCX541FT Toshiba Semiconductor and Storage TC74LCX541FT -
RFQ
 ECAD 4778 0.00000000 东芝半导体和存储 TC74LCX 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 20-tssop （0.173“，4.40mm宽度） 74LCX541 - 三州 1.65V〜3.6V 20-tssop - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 缓冲，无变形 1 8 24mA，24mA
TC7SZ126FE,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ126FE，LJ（ct 0.3700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7SZ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 SOT-553 TC7SZ126 - 三州 1.65V〜5.5V ESV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 缓冲，无变形 1 1 32mA，32mA
TC74VHC541FK(EL,K) Toshiba Semiconductor and Storage TC74VHC541FK（K） 0.6600
RFQ
 ECAD 4361 0.00000000 东芝半导体和存储 TC74VHC 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 20-VFSOP （0.118英寸，宽度为3.00mm） 74VHC541 - 三州 2v〜5.5V 20-vssop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,500 缓冲，无变形 1 8 8mA，8mA
TC7W04FK,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7W04FK，LF 0.4100
RFQ
 ECAD 919 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7W 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 8-VFSOP （0.091英寸，2.30mm） - 7W04 3 2v〜6V 8-SSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 逆变器 5.2mA，5.2mA 1 µA 3 13ns @ 6v，50pf 0.5V〜1.8V 1.5V〜4.2V
TC74HC592APF Toshiba Semiconductor and Storage TC74HC592APF -
RFQ
 ECAD 8519 0.00000000 东芝半导体和存储 74HC 管子 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 16 浸（0.300英寸，7.62mm） 74HC592 向上 2 V〜6 V 16二滴 - （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 25 二进制计数器 1 8 异步 - 35 MHz 正优势
TCR2EE10,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE10，LM（ct -
RFQ
 ECAD 7544 0.00000000 东芝半导体和存储 - （CT） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE10 5.5V 固定的 ESV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1V - 1 - 73dB （1KHz） 超过电流
TC7SZU04F(TE85L,JF Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZU04F （TE85L，JF -
RFQ
 ECAD 7700 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7SZU 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 - 7SZU04 1 1.8V〜5.5V SMV 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 逆变器 16mA，16mA 2 µA 1 5NS @ 5V，50pf - -
TC7S66FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7S66FU，LF 0.4400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 双边，fet TC7S66 2v〜12v 5-SSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 - 单供应 1 x 1：1 1
TA58L10S,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58L10S，Q（j -
RFQ
 ECAD 2858 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58L10 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1.2 ma 50 mA - 积极的 250mA 10V - 1 0.4V @ 200mA - 在电流上超过温度
TCR2EE305,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE305，LM（ct 0.3500
RFQ
 ECAD 363 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE305 5.5V 固定的 ESV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 3.05V - 1 0.2V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TC7SET126F,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SET126F，LJ（ct 0.0824
RFQ
 ECAD 7733 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7SET 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 SC-74A，SOT-753 TC7SET126 - 三州 4.5V〜5.5V SMV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 缓冲，无变形 1 1 8mA，8mA
TCR2EE17,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE17，LM（ct 0.3700
RFQ
 ECAD 1488 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE17 5.5V 固定的 ESV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.7V - 1 0.7V @ 300mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCK304G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK304G，LF 1.1500
RFQ
 ECAD 447 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 9-Ufbga，WLCSP 控制率控制，状态标志 TCK304 - n通道 1：1 9-WCSP（1.5x1.5） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 高温，电压过电流，反向电流，uvlo 高侧 73mohm 2.3v〜28V 通用目的 3a
TB9053FTG(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB9053FTG（EL） 5.0200
RFQ
 ECAD 4509 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 汽车 表面安装 40-LFQFN暴露垫 TB9053 DMO 4.5V〜28V 40-qfn （6x6） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 3,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM，SPI （4） 6a 4.5V〜28V 双极 DC -
74HC4538D Toshiba Semiconductor and Storage 74HC4538D 0.1360
RFQ
 ECAD 1713年 0.00000000 东芝半导体和存储 74HC 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm） 74HC4538 2 V〜6 V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,500 单个 5.2mA，5.2mA 是的 2 25 ns
TB67B000AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage tb67b000afg，el 7.3500
RFQ
 ECAD 4094 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -30°C〜115°C 通用目的 表面安装 42-sop （0.330英寸，8.40mm宽），34个铅，裸露的垫子 TB67B000 IGBT 13.5v〜16.5V 34-hssop 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM 3（3） 2a 50V〜450V 多相 DC（BLDC） -
TB67B000AHG Toshiba Semiconductor and Storage TB67B000AHG 7.3500
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -30°C〜115°C 通用目的 通过洞 30-PowerDip模块 TB67B000 IGBT 13.5v〜16.5V 30-HDIP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 15 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM 3（3） 2a 50V〜450V 多相 DC（BLDC） -
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    每日平均RFQ量

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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