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（IC）（2120）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 类型 特征 基本产品编号 输入类型 技术 频道数量 电压 -输入（最大） 输出类型 电路数 比率-输入：输出 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 逻辑类型 元素数量 每个元素的位数 电流 -输出高，低，低 功能 电流 -静止（最大） -3dB带宽 输入数量 i/o的数量 核心处理器 核心大小 速度 连接性 外围设备 程序内存大小 程序内存类型 EEPROM大小 ram大小 电压 -电源（ -vcc/vdd） 数据转换器 振荡器类型 开关电路 多路复用器/弹能电路 （（（） （Δron）） 电压 -电源，单个（，v+） 电压 -电源，双（ v±） （（toff）（toff））（toff）） 电荷注入 （cs（），（cd（）（cd）） （（（（ 相声 协议 驱动程序/接收器的数量 双工 数据速率 界面 时钟频率 输出数量 电压源 触发类型 最大传播延迟 @ v，max cl 当前-iq（iq） 电流 -供应（最大） 输入电容 输入逻辑级别 -低 输入逻辑级别 -高 电路 独立电路 拓扑 频率 -切换 故障保护 控制功能 输出配置 同步整流器 电流 -输出 RDS（类型） 电压 -负载 电机类型 -步进 电机类型-AC，DC 步骤分辨率 开关类型 电流 -输出（最大） 电压 -输出（最小/固定） 电压 -输出（最大） 电压 -输入（最小） 监管机构数量 （（（） PSRR 保护功能
74HCT02D Toshiba Semiconductor and Storage 74HCT02D -
RFQ
 ECAD 1443 0.00000000 东芝半导体和存储 74HCT 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm） - 74HCT02 4 4.5V〜5.5V 14-Soic - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,500 也不是门 4mA，4mA 1 µA 2 16ns @ 5.5V，50pf 0.8V 2V
74HCT4053D Toshiba Semiconductor and Storage 74HCT4053D 0.4800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm） 74HCT4053 3 16-Soic 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,500 200MHz SPDT 2：1 110ohm 5 OHM（类型） 4.5V〜5.5V - 45ns，59ns - 5pf 100NA -90dB @ 1MHz
TB7101AF(T5L1.5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TB7101AF （T5L1.5，F） -
RFQ
 ECAD 1113 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 TB7101 5.5V 固定的 PS-8（2.9x2.4） - （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 降压 1 巴克 1MHz 积极的 是的 1a 1.5V - 2.7V
TC7WBL3305CFK,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7WBL3305CFK，LF 0.4800
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） - 表面安装 8-VFSOP （0.091英寸，2.30mm） - TC7WBL3305 2 8-SSOP 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 - - - 19ohm 1.65V〜3.6V -
TA58M09S,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58M09S，Q（j -
RFQ
 ECAD 8868 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58M09 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 80 ma - 积极的 500mA 9V - 1 0.65V @ 500mA - 在电流上超过温度，反向极性
TBD62381AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage tbd62381afng，el 1.7100
RFQ
 ECAD 9992 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 18-lssop （0.173“，4.40mm宽度） - TBD62381 - n通道 1：1 18 sop 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 2,000 4.5V〜5.5V 打开/关 8 - 低侧 1ohm 0v〜50V 通用目的 500mA
TC74ACT244PF Toshiba Semiconductor and Storage TC74ACT244PF 1.2200
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 ECAD 790 0.00000000 东芝半导体和存储 74ACT 管子 积极的 -40°C〜85°C（TA） 通过洞 20 DIP（0.300英寸，7.62mm） 74ACT244 - 三州 4.5V〜5.5V 20浸 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 20 缓冲，无变形 2 4 24mA，24mA
74VHC4066AFT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHC4066AFT 0.4000
RFQ
 ECAD 2793 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 14-TSSOP （0.173“，4.40mm宽度） 74VHC4066 4 14-TSSOPB 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,500 - spst-不 1：1 37ohm 5欧姆 2v〜5.5V - 12n，12ns - 5.5pf 100NA -45DB @ 1MHz
TB67H450AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H450AFNG，El 1.5300
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） TB67H450 动力mosfet 4.5V〜44V 8-hsop - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,500 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 - 半桥 3a 4.5V〜44V 双极 DC -
TMP86PH06UG(C,JZ) Toshiba Semiconductor and Storage TMP86PH06UG（c，JZ）（JZ） -
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 ECAD 9854 0.00000000 东芝半导体和存储 TLCS-870/c 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 44-LQFP TMP86 44-LQFP（10x10） 下载 Rohs符合条件 3（168）） Ear99 8542.31.0001 450 8 - 8位 16MHz EBI/EMI - 16KB（16k x 8） OTP - 512 x 8 1.8V〜5.5V - 外部的
TCV7113F(TE12L,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TCV7113F te12l，Q） -
RFQ
 ECAD 4470 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-POWERTDFN TCV71 5.6V 可调节的 8（5x5） - （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 降压 1 巴克 1MHz 积极的 是的 6a 0.8V 5.6V 2.7V
TMPM037FWUG(KY,JZ) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM037FWUG（ky，JZ） 3.7900
RFQ
 ECAD 5507 0.00000000 东芝半导体和存储 TX00 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 64-LQFP TMPM037 64-LQFP（10x10） 下载 Rohs符合条件 TMPM037FWUG（KYJZ） Ear99 8542.31.0001 150 51 ARM®Cortex®-M0 32位单核 20MHz i²c，sio，uart/usart DMA，LVD，POR，WDT 128KB （128K x 8） 闪光 - 16k x 8 2.7V〜3.6V A/D 8x10b 外部的
TCR2LN19,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN19，LF -
RFQ
 ECAD 5768 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2LN19 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 1.9V - 1 0.6V @ 150mA - 超过电流
TD62084AFG,N Toshiba Semiconductor and Storage TD62084AFG，n -
RFQ
 ECAD 8466 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 18-SOIC（0.276英寸，7.00mm宽度） 司机 TD62084 6v〜15V 18 SOP 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 40 - 8/0 - -
TC7SH04FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SH04FU，LJ（ct 0.3100
RFQ
 ECAD 1166 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7SH 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 - 7SH04 1 2v〜5.5V 5-SSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 逆变器 8mA，8mA 2 µA 1 7.5NS @ 5V，50pf 0.5V 1.5V
TC7S66F,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7S66F，LF 0.4700
RFQ
 ECAD 591 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 双边，fet TC7S66 2v〜12v SMV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 - 单供应 1 x 1：1 1
TB67S289FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S289FTG，El 4.3700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 48-VFQFN暴露垫 TB67S289 动力mosfet 4.75V〜5.25V 48-VQFN （7x7） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （8） 3a 10v〜47V 双极 - 1、1/2、1/4、1/8、1/16、1/32
TA58L05S,LS4NSAQ(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S，LS4NSAQ（j -
RFQ
 ECAD 5801 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58L05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 50 mA - 积极的 250mA 5V - 1 0.4V @ 200mA - 在电流上超过温度
TCK22951G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22951G，LF 0.5100
RFQ
 ECAD 8256 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 6-ufbga，WLCSP 负载排放 TCK22951 不转变 P通道 1：1 6-WCSPE（0.80x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 （），温度，反向电流 高侧 31mohm 1.1V〜5.5V 通用目的 740mA
TC74HC541AF(EL,F) Toshiba Semiconductor and Storage TC74HC541AF（埃尔（F） 0.3286
RFQ
 ECAD 8407 0.00000000 东芝半导体和存储 74HC 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 20-SOIC （0.209英寸，5.30mm） 74HC541 - 三州 2v〜6V 20 sop - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 缓冲，无变形 1 8 7.8mA，7.8mA
TCR2LN115,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN115，lf（Se 0.3800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xfdfn暴露垫 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 1.15V - 1 1.28V @ 150mA - 超过电流
TA48S015AF(T6L1,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TA48S015AF （T6L1，Q） 1.1100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜150°C 表面安装 TO-252-6，DPAK（5 +选项卡） TA48S015 16V 固定的 5-hsip 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 1.7 ma 20 ma 使能够 积极的 1a 1.5V - 1 1.9V @ 1a （典型） 67dB（120Hz） 在电流上超过温度
74LCX574FT Toshiba Semiconductor and Storage 74LCX574FT 0.5100
RFQ
 ECAD 3035 0.00000000 东芝半导体和存储 74lcx 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 20-tssop （0.173“，4.40mm宽度） D 74LCX574 三态，无向世 1.65V〜3.6V 20-tssop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,500 1 8 24mA，24mA 标准 150 MHz 正优势 8.5ns @ 3.3V，50pf 10 µA 7 pf
TB6605FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6605FTG，El 2.8700
RFQ
 ECAD 7876 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -30°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 36-VFQFN暴露垫 TB6605 Bi-Cmos 9V〜28V 36-VQFN（5x5） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 2,000 控制器 -换向，指导管理，指导管理 平行线 前驾驶员 -3） - - - DC（BLDC） -
TC7SH86FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage TC7SH86FE，LM 0.3800
RFQ
 ECAD 55 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7SH （CT） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 - 7SH86 1 2v〜5.5V ESV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 （XOR）） 8mA，8mA 2 µA 2 8.8NS @ 5V，50pf 0.5V 1.5V
74VHCT08AFT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHCT08AFT 0.0990
RFQ
 ECAD 6876 0.00000000 东芝半导体和存储 TC74VHCT 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 14-TSSOP （0.173“，4.40mm宽度） - 74VHCT08 4 4.5V〜5.5V 14-TSSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,500 和门 8mA，8mA 2 µA 2 7.9NS @ 5V，50pf 0.8V 2V
TCK302G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK302G，LF 0.4658
RFQ
 ECAD 2363 0.00000000 东芝半导体和存储 TCK30 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 9-Ufbga，WLCSP 控制率控制，状态标志 TCK302 - n通道 1：1 9-WCSP（1.5x1.5） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 高温，电压过电流，反向电流，uvlo 高侧 73mohm 2.3v〜28V 通用目的 3a
TB6549HQ(O) Toshiba Semiconductor and Storage TB6549HQ（O） -
RFQ
 ECAD 5747 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 通过洞 25-SSIP形成的铅 TB6549 Bi-Cmos 10v〜27V 25-Hzip - （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 500 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM，系列 2（2） 4.5a 10v〜27V - DC -
TB62213AFTG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62213AFTG，8，El -
RFQ
 ECAD 7252 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-VFQFN暴露垫 TB62213 动力mosfet 4.75V〜5.25V 48-qfn （7x7） 下载 3（168）） Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 2.4a 10v〜38V 双极 - 1、1/2、1/4
TCR2EN28,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN28，LF 0.0896
RFQ
 ECAD 1287 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2en 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2EN28 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 2.8V - 1 0.21V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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