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（IC）（2120）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 类型 特征 基本产品编号 输入类型 频率 技术 电压 -输入 电压 -输入（最大） 输出类型 电路数 比率-输入：输出 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 逻辑类型 元素数量 每个元素的位数 电流 -输出高，低，低 功能 电流 -静止（最大） 电流 -输出 /通道 输入数量 i/o的数量 核心处理器 核心大小 速度 连接性 外围设备 程序内存大小 程序内存类型 EEPROM大小 ram大小 电压 -电源（ -vcc/vdd） 数据转换器 振荡器类型 界面 输出数量 电压源 最大传播延迟 @ v，max cl 当前-iq（iq） 电流 -供应（最大） 输入逻辑级别 -低 输入逻辑级别 -高 电路 独立电路 内部开关 拓扑 故障保护 控制功能 电压 -电源（最大） 输出配置 感应方法 准确性 电流 -输出 RDS（类型） 电压 -负载 电机类型 -步进 电机类型-AC，DC 步骤分辨率 昏暗 电压 -电源（最小） 电压 -输出 开关类型 电流 -输出（最大） 电压 -输出（最小/固定） 电压-输出（最大） 监管机构数量 （（（） PSRR 保护功能
TCR3DF33,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF33，LM（ct 0.4200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3DF33 5.5V 固定的 SMV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 65 µA 78 µA 使能够 积极的 300mA 3.3V - 1 0.25V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
74VHC238FT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHC238FT 0.1094
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q100 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 16-TSSOP （0.173“，4.40mm宽度） 解码器 74VHC238 2v〜5.5V 16-TSSOPB 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 264-74VHC238FTTR 2,500 8mA，8mA 单供应 1 x 3：8 1
TCR3RM33A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3RM33A，LF -
RFQ
 ECAD 3988 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3RM 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR3RM33 5.5V 固定的 4-DFNC（1x1） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 - 积极的 300mA 3.3V - 1 0.13V @ 300mA 100dB （1KHz） 在电流上超过温度
TCR3UG12A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG12A，LF 0.4700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 tcr3ug 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-XFBGA，WLCSP TCR3UG12 5.5V 固定的 4-WCSP-F（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 580 NA 使能够 积极的 300mA 1.2V - 1 0.857V @ 300mA 70dB（1KHz） 电流电流，超过电流的热关机
TMPM380FWFG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM380FWFG 5.1480
RFQ
 ECAD 8413 0.00000000 东芝半导体和存储 TX03 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 100-LQFP TMPM380 100-LQFP（14x14） 下载 Rohs符合条件 3（168）） 3A991A2 8542.31.0001 200 83 ARM®Cortex®-M3 32位单核 40MHz i²c，sio，uart/usart DMA，LVD，WDT 128KB （128K x 8） 闪光 - 12k x 8 4v〜5.5V A/D 18x12b 外部的
74VHC153FT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHC153FT 0.4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 74VHC 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 16-TSSOP （0.173“，4.40mm宽度） 复用器 74VHC153 2v〜5.5V 16-TSSOPB 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,500 8mA，8mA 单供应 2 x 4：1 2
TCR15AG10,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR15AG10，LF 0.2531
RFQ
 ECAD 6785 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR15AG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 6-XFBGA，WLCSP TCR15AG10 5.5V 固定的 6-WCSPF（0.80x1.2） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 40 µA 使能够 积极的 1.5a 1V - 1 0.228V @ 1.5A 95dB （1KHz） 在电流，温度下，电压锁定（ uvlo）
TB9120AFTG(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB9120AFTG（EL） 4.0100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q100 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 汽车 表面安装，可润湿的侧面 28-vqfn暴露垫 TB9120 NMO，PMOS 4.5V〜7V，7V〜18V 28-VQFN （6x6） - 3（168）） Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行，PWM 前驾驶员 -半桥（ -4） 2.5a - 双极 DC 1、1/2、1/8、1/16、1/32
TCR3DM28,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM28，lf（Se 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 使能够 积极的 300mA 2.8V - 1 0.25V @ 300mA - 在电流上超过温度
TAR5S33UTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage tar5s33ute85lf 0.5000
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 6-SMD（5条线），平坦的铅 TAR5S33 15V 固定的 UFV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 850 µA 使能够 积极的 200mA 3.3V - 1 0.2V @ 50mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TA76431S,T6WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76431，T6WNLF（j。 -
RFQ
 ECAD 3584 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA76431 - 可调节的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 - 积极的 - 2.495V 36V 1 - - -
TCR3UM185A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UM185A，LF （SE 0.4700
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 680 NA 当前限制，启用 积极的 300mA 1.85V - 1 0.457V @ 300mA - 在电流上超过温度
TB6584AFNG Toshiba Semiconductor and Storage TB6584AFNG -
RFQ
 ECAD 3810 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -30°C〜115°C（TA） 风扇控制器 表面安装 30-lssop （0.220英寸，5.60mm宽度） TB6584 动力mosfet 6v〜16.5V 30 SSOP 下载 Rohs符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 2,000 控制器 -换向，指导管理，指导管理 平行线 前驾驶员 -3） - - - DC（BLDC） -
TPD4164F,LF Toshiba Semiconductor and Storage TPD4164F，LF 7.4500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜135°C（TJ） 通用目的 表面安装 42-SOP （0.330英寸，8.40mm宽），31个铅，裸露的垫子 IGBT 13.5V 31-hssop - rohs3符合条件 3（168）） 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM 3（3） 3a 13.5V〜450V 多相 DC（BLDC） -
TCR5SB33A(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage TCR5SB33A （T5L，F，T） -
RFQ
 ECAD 5687 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5SB 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR5SB33 6V 固定的 SMV - （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 75 µA 使能够 积极的 150mA 3.3V - 1 0.19V @ 50mA 80dB （1KHz） 超过电流
TBD62083AFWG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62083AFWG，El 1.1900
RFQ
 ECAD 5405 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 18-SOIC（0.295（7.50mm） - TBD62083 反转 n通道 1：1 18 SOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1,000 不需要 打开/关 8 - 低侧 - （50V）） 通用目的 500mA
TA58L12S,ASHIQ(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58L12S，Ashiq（j -
RFQ
 ECAD 2048 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58L12 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1.2 ma 50 mA - 积极的 250mA 12V - 1 0.4V @ 200mA - 在电流上超过温度
TMPM46BF10FG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM46BF10FG 6.8200
RFQ
 ECAD 5136 0.00000000 东芝半导体和存储 TX04 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 100-LQFP TMPM46 100-LQFP（14x14） - Rohs符合条件 （1 （无限） TMPM46BF10FG（DBB） 5A002A1 8542.31.0001 90 71 ARM®Cortex®-M4F 32位单核 120MHz EBI/EMI，I²C，IRDA，Microwire，Sio，Spi，SSI，SSP，SSP，UART/USART DMA，LVD，POR，WDT 1MB （1m x 8） 闪光 - 514k x 8 2.7V〜3.6V A/D 8x12b 内部的
TCR2LE31,LM Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE31，LM 0.4100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SOT-553 TCR2LE31 5.5V 固定的 ESV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 3.1V - 1 0.3V @ 150mA - 超过电流
TB62757FUG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62757FUG，EL -
RFQ
 ECAD 3444 0.00000000 东芝半导体和存储 - （CT） 过时的 -40°C〜85°C（TA） 背光 表面安装 SOT-23-6 DC DC调节器 TB62757 1.1MHz SOT-23-6 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 20mA 1 是的 （（（） 5.5V PWM 2.8V -
74HC126D Toshiba Semiconductor and Storage 74HC126D 0.4500
RFQ
 ECAD 6168 0.00000000 东芝半导体和存储 74HC 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm） 74HC126 - 三州 2v〜6V 14分 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,500 缓冲，无变形 4 1 7.8mA，7.8mA
TB67S521FTAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S521FTAG，El 2.8700
RFQ
 ECAD 3656 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 36-WFQFN暴露垫 TB67S521 DMO 2v〜5.5V 36-WQFN （6x6） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM 2（2） 2.8a 10v〜34V 双极 DC 1、1/2、1/4
7UL1G04FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage 7ul1g04fu，lf 0.4500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 7ul 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 - 7ul1g04 1 0.9V〜3.6V 5-SSOP - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 逆变器 8mA，8mA 1 µA 1 4.4NS @ 3.3V，30pf 0.1V〜0.4V 0.75V〜2.48V
TCR3UM28A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UM28A，LF 0.4500
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3UM 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 TCR3UM28 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 680 NA 当前限制，启用 积极的 300mA 2.8V - 1 0.327V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TCKE805NL,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCKE805NL，RF 1.5200
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 10-WFDFN暴露垫 TCKE805 4.4v〜18V 10-wsonb（3x3） 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 电子保险丝 - - 5a
TA58L09S,LS2PAIQ(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58L09S，LS2PAIQ（j -
RFQ
 ECAD 1483 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58L09 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 50 mA - 积极的 250mA 9V - 1 0.4V @ 200mA - 在电流上超过温度
TBD62781AFWG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62781AFWG，El 1.5600
RFQ
 ECAD 468 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 18-SOIC（0.295（7.50mm） - TBD62781 不转变 P通道 1：1 18 SOP 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 1,000 不需要 打开/关 8 - 高侧 1.6OHM （50V）） 通用目的 400mA
TCK303G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK303G，LF 1.3200
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 TCK30 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 9-Ufbga，WLCSP 控制率控制，状态标志 TCK303 - n通道 1：1 9-WCSP（1.5x1.5） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 高温，电压过电流，反向电流，uvlo 高侧 73mohm 2.3v〜28V 通用目的 3a
TCR5RG28A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5RG28A，LF 0.5300
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5RG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-XFBGA，WLCSP TCR5RG28 5.5V 固定的 4-WCSPF（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 13 µA - 积极的 500mA 2.8V - 1 0.21V @ 500mA 100dB〜59dB （1KHz〜1MHz） 在电流上超过温度
TC78H620FNG Toshiba Semiconductor and Storage TC78H620FNG -
RFQ
 ECAD 5180 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 16-lssop （0.173英寸，4.40mm） TC78H620 DMO 2.7V〜5.5V 16ssop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 1a 2.5V〜15V 单极 DC 1，1/2
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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