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（IC）（2120）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 类型 特征 基本产品编号 输入类型 频率 技术 电流 -供应 电压 -输入 电压 -输入（最大） 输出类型 电路数 电压 -电源 供应商设备包 数据表 数数 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 逻辑类型 元素数量 每个元素的位数 电流 -输出高，低，低 功能 电压 -电源，单/双（±） 电压 -输入偏移（最大） 电流 -输入偏差（最大） 电流 -输出（典型） 电流 -静止（最大） CMRR，PSRR（类型） （（（） 滞后 杀伤率 -3dB带宽 放大器类型 电流 -输入偏差 电压 -输入偏移 电压 -供应跨度（最小） 电压 -供应跨度（最大） 输入数量 i/o的数量 核心处理器 核心大小 速度 连接性 外围设备 程序内存大小 程序内存类型 EEPROM大小 ram大小 电压 -电源（ -vcc/vdd） 数据转换器 振荡器类型 协议 驱动程序/接收器的数量 双工 数据速率 界面 电压源 最大传播延迟 @ v，max cl 当前-iq（iq） 电流 -供应（最大） 输入逻辑级别 -低 输入逻辑级别 -高 施密特触发输入 电路 独立电路 传播延迟 控制功能 输出配置 感应方法 准确性 电流 -输出 电压 -负载 电机类型 -步进 电机类型-AC，DC 步骤分辨率 电压 -输出（最小/固定） 电压 -输出（最大） 监管机构数量 （（（） PSRR 保护功能
TPD4164F,LF Toshiba Semiconductor and Storage TPD4164F，LF 7.4500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜135°C（TJ） 通用目的 表面安装 42-SOP （0.330英寸，8.40mm宽），31个铅，裸露的垫子 IGBT 13.5V 31-hssop - rohs3符合条件 3（168）） 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM 3（3） 3a 13.5V〜450V 多相 DC（BLDC） -
7UL1T125FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage 7ul1t125fu，lf 0.4400
RFQ
 ECAD 7759 0.00000000 东芝半导体和存储 7ul 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 7ul1t125 - 三州 2.3v〜3.6V USV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 缓冲，无变形 1 1 8mA，8mA
TCR3UF09A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UF09A，LM（ct 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3UF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3UF09 5.5V 固定的 SMV - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 580 NA 使能够 积极的 300mA 0.9V - 1 1.157V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TC7WP3125FK,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7WP3125FK，LF（ct 0.4700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7WP 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-VFSOP （0.091英寸，2.30mm） 巴士开关 TC7WP3125 1.1V〜2.7V，1.65V〜3.6V 8-SSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 12mA，12mA 双供应 2 x 1：1 1
TCR3UF28A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UF28A，LM（ct 0.4100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3UF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3UF28 5.5V 固定的 SMV - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 680 NA 使能够 积极的 300mA 2.8V - 1 0.342V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TCKE812NA,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCKE812NA，RF 1.5200
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 10-wfdfn暴露垫 TCKE812 4.4v〜18V 10-wsonb（3x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 电子保险丝 - - 5a
TC75W70L8X,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC75W70L8X，LF -
RFQ
 ECAD 6745 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 8-UFQFN暴露垫 通用目的 TC75W70 推扣 SOT-902 下载 （1 （无限） Ear99 8542.33.0001 5,000 2 1.3V〜5.5V 6MV @ 3V 1Pa @ 3V 18mA @ 3V 47µA - 800NS -
TB62269FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62269FTG，El 2.2800
RFQ
 ECAD 2460 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-WFQFN暴露垫 TB62269 动力mosfet 4.75V〜5.25V 48-WQFN（7x7） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 1.8a 10v〜38V 双极 - 1〜1/32
TC75S59FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TC75S59FE（TE85L，F） -
RFQ
 ECAD 9165 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 通用目的 TC75S59 打开排水 ESV 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 1 1.8V〜7V，±0.9V〜3.5V 7MV @ 5V 1Pa 25mA 220µA - 200NS -
TCR2LN105,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN105，lf（Se 0.3800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xfdfn暴露垫 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 1.05V - 1 1.38V @ 150mA - 超过电流
TC74HC7292AP(F) Toshiba Semiconductor and Storage TC74HC7292AP（F） 0.7024
RFQ
 ECAD 6759 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 不适合新设计 -40°C〜85°C 通过洞 16 浸（0.300英寸，7.62mm） 时钟振荡器 TC74HC7292 - 4 µA 2v〜6V 16二滴 - - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1
TCR2EE19,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE19，LM（ct 0.0680
RFQ
 ECAD 4290 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 5.5V 固定的 ESV 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.9V - 1 0.31V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR3DF285,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF285，LM（ct 0.0906
RFQ
 ECAD 9633 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3DF285 5.5V 固定的 SMV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 使能够 积极的 300mA 2.85V - 1 0.27V @ 300mA 70dB（1KHz） 电流，高度，温度
TCR3UM28A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UM28A，LF 0.4500
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3UM 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 TCR3UM28 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 680 NA 当前限制，启用 积极的 300mA 2.8V - 1 0.327V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TB6585AFTGC8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6585AFTGC8，El 1.9179
RFQ
 ECAD 7765 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -30°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 48-VFQFN暴露垫 TB6585 Bi-Cmos 4.5V〜42V 48-qfn （7x7） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 3（3） 1.2a 4.5V〜42V - DC（BLDC） -
TC7SZ07F,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ07F，LJ（ct 0.3900
RFQ
 ECAD 7352 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7SZ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 SC-74A，SOT-753 TC7SZ07 - 打开排水 1.65V〜5.5V SMV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 缓冲，无变形 1 1 - ，32mA
TA76431S(T6NEPP,AF Toshiba Semiconductor and Storage TA76431S （T6NEPP，AF -
RFQ
 ECAD 6843 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA76431 - 可调节的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 - 积极的 - 2.495V 36V 1 - - -
TC7SET04FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SET04FU，LJ（ct 0.3300
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7SET 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 - 7Set04 1 4.5V〜5.5V 5-SSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 逆变器 8mA，8mA 2 µA 1 10.5NS @ 5V，50pf 0.8V 2V
TLP7920(F Toshiba Semiconductor and Storage TLP7920（f 6.5800
RFQ
 ECAD 18 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜105°C 通过洞 8 点点（0.300英寸，7.62mm） TLP7920 12mA 微分 1 8点 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TLP7920（f（o 5A991B1 8542.33.0001 50 - 230 kHz 隔离 55 na 730 µV 4.5 v 5.5 v
TA58L05S(SUMIS,AQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S（SUMIS，AQ） -
RFQ
 ECAD 7219 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58L05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 50 mA - 积极的 250mA 5V - 1 0.4V @ 200mA - 在电流上超过温度
TC4538BP(N,F) Toshiba Semiconductor and Storage TC4538bp（n，f） 0.6384
RFQ
 ECAD 8650 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜85°C 通过洞 16 浸（0.300英寸，7.62mm） TC4538 3 V〜18 V 16二滴 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 单个 9mA，15mA 不 2 100 ns
TCR5AM095,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM095，LF 0.1344
RFQ
 ECAD 9016 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5am 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR5AM095 5.5V 固定的 5-DFNB（1.2x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 55 µA 68 µA 使能够 积极的 500mA 0.95V - 1 0.23V @ 500mA 70DB〜40DB （1KHz〜10Hz） 在电流，温度下，电压锁定（ uvlo）
74HC139D Toshiba Semiconductor and Storage 74HC139D -
RFQ
 ECAD 7257 0.00000000 东芝半导体和存储 74HC 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm） 解码器/解密器 74HC139 2v〜6V 16-Soic - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,500 5.2mA，5.2mA 单供应 1 x 2：4 2
TA78DS05BP,T6NHF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS05BP，T6NHF（j -
RFQ
 ECAD 6489 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78DS 33V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 1 MA - 积极的 30mA 5V - 1 0.3V @ 10mA - 在电流上超过温度，超过电压，瞬态电压
TCR2EF15,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF15，LM（ct 0.3300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR2EF15 5.5V 固定的 SMV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.5V - 1 0.39V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TA4809BF(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA4809BF （T6L1，NQ） -
RFQ
 ECAD 4546 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜150°C 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TA4809 16V 固定的 PW-MOLD - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 1.7 ma 20 ma - 积极的 1a 9V - 1 0.69V @ 1a （典型） 55dB （120Hz） 在电流上超过温度
TD62083APG,N Toshiba Semiconductor and Storage TD62083APG，n -
RFQ
 ECAD 2146 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 18 浸（0.300英寸，7.62mm） 司机 TD62083 5V 18浸 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 20 - 8/0 - -
TCR8BM08A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM08A，L3F 0.4600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR8BM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xdfn暴露垫 5.5V 固定的 5-DFNB（1.2x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 36 µA 当前限制，启用 积极的 800mA 0.8V - 1 0.21V @ 800mA 98dB （1KHz） 在电流，温度下，电压锁定（ uvlo）
TMPM380FWFG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM380FWFG 5.1480
RFQ
 ECAD 8413 0.00000000 东芝半导体和存储 TX03 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 100-LQFP TMPM380 100-LQFP（14x14） 下载 Rohs符合条件 3（168）） 3A991A2 8542.31.0001 200 83 ARM®Cortex®-M3 32位单核 40MHz i²c，sio，uart/usart DMA，LVD，WDT 128KB （128K x 8） 闪光 - 12k x 8 4v〜5.5V A/D 18x12b 外部的
TA58L15S,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58L15S，Q（j -
RFQ
 ECAD 6463 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58L15 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1.4 MA 50 mA - 积极的 250mA 15V - 1 0.4V @ 200mA - 在电流上超过温度
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

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    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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