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（IC）（2120）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 类型 特征 基本产品编号 输入类型 技术 电流 -供应 电压 -输入 电压 -输入（最大） 输出类型 温度系数 电路数 比率-输入：输出 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 逻辑类型 元素数量 每个元素的位数 电流 -输出高，低，低 功能 电流 -静止（最大） -3dB带宽 输入数量 参考类型 i/o的数量 核心处理器 核心大小 速度 连接性 外围设备 程序内存大小 程序内存类型 EEPROM大小 ram大小 电压 -电源（ -vcc/vdd） 数据转换器 振荡器类型 开关电路 多路复用器/弹能电路 （（（） （Δron）） 电压 -电源，单个（，v+） 电压 -电源，双（ v±） （（toff）（toff））（toff）） 电荷注入 （cs（），（cd（）（cd）） （（（（ 相声 数据速率 界面 时钟频率 输入信号 输出信号 输出数量 电压源 触发类型 最大传播延迟 @ v，max cl 当前-iq（iq） 电流 -供应（最大） 输入电容 输入逻辑级别 -低 输入逻辑级别 -高 电路 独立电路 t -t -传播 翻译类型 频道类型 每个电路通道 电压-V​​ CCA 电压-V​​ CCB 故障保护 控制功能 输出配置 电流 -输出 RDS（类型） 电压 -负载 电机类型 -步进 电机类型-AC，DC 步骤分辨率 开关类型 电流 -输出（最大） 电压 -输出（最小/固定） 噪声-0.1Hz至10Hz 噪声-10Hz至10KHz 电压 -输出（最大） 监管机构数量 （（（） PSRR 保护功能
TCR2EE36,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE36，LM（ct -
RFQ
 ECAD 8242 0.00000000 东芝半导体和存储 - （CT） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE36 5.5V 固定的 ESV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 3.6V - 1 - 73dB （1KHz） 超过电流
74HC373D Toshiba Semiconductor and Storage 74HC373D 0.5800
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 东芝半导体和存储 74HC 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 20-SOIC （0.295英寸，7.50mm宽度） 74HC373 三州 2v〜6V 20-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 D 7.8mA，7.8mA 8：8 1 30ns
TC7WBL3306CFK,L(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7WBL3306CFK，L（ct 0.4400
RFQ
 ECAD 1626年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 8-VFSOP （0.091英寸，2.30mm） TC7WBL3306 2 8-SSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 - spst 1：1 19ohm - 1.65V〜3.6V - 6ns，6ns - 3.5pf 1µA -
TC74HC175AP Toshiba Semiconductor and Storage TC74HC175AP -
RFQ
 ECAD 9020 0.00000000 东芝半导体和存储 74HC 管子 过时的 -40°C〜85°C（TA） 通过洞 16 浸（0.300英寸，7.62mm） D 74HC175 补充 2v〜6V 16二滴 下载 Rohs不合规 （1 （无限） TC74HC175AP-NDR Ear99 8542.39.0001 1 1 4 5.2mA，5.2mA 重置 63 MHz 正优势 24ns @ 6v，50pf 4 µA 5 pf
TC7MBL3257CFT(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TC7MBL3257CFT（EL） 0.4500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7MB 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 16-TSSOP （0.173“，4.40mm宽度） 多路复用器/分流器 TC7MBL3257 1.65V〜3.6V 16-TSSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 - 单供应 4 x 2：1 1
TC7W241FUTE12LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7W241FUTE12LF 0.4100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7W 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-tssop，8-msop （0.110英寸，2.80mm） TC7W241 - 三州 2v〜6V 8-SSOP 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 缓冲，无变形 2 1 7.8mA，7.8mA
TC7WPB8306L8X,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7WPB8306L8X，LF -
RFQ
 ECAD 5007 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7WP 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 8-uflga 巴士开关 TC7WPB8306 1.65V〜5V，2.3V〜5.5V MP8 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 - 双供应 2 x 1：1 1
TCK321G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK321G，LF 0.5973
RFQ
 ECAD 1420 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-UFBGA，CSPBGA 控制率控制，状态标志 TCK321 - n通道 2：1 16-WCSPC（1.9x1.9） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 高温，电压过电流，反向电流，uvlo 高侧 98mohm 2.3v〜36v 通用目的 2a
TC78S600FNG,C,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78S600FNG，C，El 2.0700
RFQ
 ECAD 1742年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 20-lssop （0.173“，4.40mm宽度） TC78S600 动力mosfet 2.7V〜5.5V 20ssop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 800mA 2.5V〜15V 双极 - 1/2、1/4、1/8、1/16
TA48025BF(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA48025BF （T6L1，NQ） -
RFQ
 ECAD 8207 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜150°C 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TA48025 16V 固定的 PW-MOLD 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 1.7 ma 20 ma - 积极的 1a 2.5V - 1 0.88V @ 1a （典型） 64dB （120Hz） 在电流上超过温度
TA58LT00F(T6L1,Q) Toshiba Semiconductor and Storage TA58LT00F （T6L1，Q） -
RFQ
 ECAD 5745 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C 表面安装 TO-252-6，DPAK（5 +选项卡） TA58L 26V 可调节的 5-hsip 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 0.8 mA 15 ma 使能够 积极的 150mA 2.5V 13.4V 1 0.6V @ 100mA - 在电流上超过温度，反向极性
TB67B000HG Toshiba Semiconductor and Storage TB67B000HG -
RFQ
 ECAD 4240 0.00000000 东芝半导体和存储 - 托盘 过时的 -30°C〜115°C（TA） 通用目的 通过洞 30-PowerDip模块 TB67B000 IGBT 13.5v〜16.5V 30-HDIP 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） TB67B000HG（O） Ear99 8542.39.0001 15 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM 3（3） 2a 50V〜450V - DC（BLDC） -
TCR5AM07,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5AM07，LF 0.1344
RFQ
 ECAD 1363 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5am 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR5AM07 5.5V 固定的 5-DFNB（1.2x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 55 µA 68 µA 使能够 积极的 500mA 0.7V - 1 0.21V @ 500mA 70DB〜40DB （1KHz〜10Hz） 在电流，温度下，电压锁定（ uvlo）
TA78DS08BP(MBS1,FM Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS08BP （MBS1，FM -
RFQ
 ECAD 6826 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78DS 33V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1.2 ma 1.2 ma - 积极的 30mA 8V - 1 0.3V @ 10mA - 在电流上超过温度，超过电压，瞬态电压
TMPM061FWFG(C,OHZ) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM061FWFG（c，OHZ） -
RFQ
 ECAD 4666 0.00000000 东芝半导体和存储 TX00 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 100-LQFP TMPM061 100-LQFP（14x14） 下载 Rohs符合条件 TMPM061FWFG（COHZ） Ear99 8542.31.0001 900 64 ARM®Cortex®-M0 32位单核 16MHz i²c，sio，uart/usart LCD，LVD，WDT 128KB （128K x 8） 闪光 - 8k x 8 1.8v〜3.6V A/D 2x10b 内部的
74VHC74FT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHC74FT 0.4800
RFQ
 ECAD 311 0.00000000 东芝半导体和存储 TC74VHC 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 14-TSSOP （0.173“，4.40mm宽度） D 74VHC74 补充 2v〜5.5V 14-TSSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,500 2 1 8mA，8mA （设置（预设）和重置 115 MHz 正优势 9.3ns @ 5V，50pf 2 µA 4 pf
TCR4DG35,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR4DG35，LF 0.4500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR4DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-XFBGA，CSPBGA TCR4DG35 5.5V 固定的 4-WCSPE（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 68 µA 使能够 积极的 420mA 3.5V - 1 0.26V @ 420mA 70dB（1KHz） 超过温度，短路
TCR3DG285,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DG285，LF 0.3900
RFQ
 ECAD 7141 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-XFBGA，CSPBGA 5.5V 固定的 4-WCSPE（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 5,000 使能够 积极的 300mA 2.85V - 1 0.235V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TC7SZ32AFS,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ32AF，L3F 0.0798
RFQ
 ECAD 7060 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7SZ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-953 - 7SZ32 1 1.65V〜5.5V FSV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 或门 32mA，32mA 1 µA 2 3.6ns @ 5V，50pf - -
74LCX02FT Toshiba Semiconductor and Storage 74LCX02FT 0.4200
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q100 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 14-TSSOP （0.173“，4.40mm宽度） - 74LCX02 4 1.65V〜3.6V 14-TSSOPB 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 264-74LCX02FTCT Ear99 8542.39.0001 2,500 也不是门 24mA，24mA 40 µA 2 6NS @ 3.3V，50pf 0.7V〜0.8V 1.7V〜2V
TC7SH126FE,LM Toshiba Semiconductor and Storage TC7SH126FE，LM -
RFQ
 ECAD 1814年 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7SH 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 SOT-553 TC7SH126 - 三州 2v〜5.5V ESV - （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 缓冲，无变形 1 1 8mA，8mA
TC7SPN334L6X,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7SPN334L6X，LF 0.4400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7SPN 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 6-UFDFN - TC7SPN334 无向世 1 6-MP6C（1.45x1.0） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 - - - 电压水平 单向 1 1.1 v〜2.7 v 1.65 v〜3.6 v
TCR2LN21,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN21，LF 0.3500
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2LN21 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 2.1V - 1 0.54V @ 150mA - 超过电流
TMP86FS49BUG(C,JZ) Toshiba Semiconductor and Storage TMP86FS49BUG（c，JZ） -
RFQ
 ECAD 2353 0.00000000 东芝半导体和存储 TLCS-870/c 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 64-LQFP TMP86 64-LQFP（10x10） 下载 Rohs符合条件 3（168）） Ear99 8542.31.0001 10 56 870/c 8位 16MHz i²c，sio，uart/usart LED，PWM，WDT 60kb（60k x 8） 闪光 - 2k x 8 2.7V〜5.5V A/D 16x10b 内部的
TB6865AFG Toshiba Semiconductor and Storage TB6865AFG -
RFQ
 ECAD 7114 0.00000000 东芝半导体和存储 - 托盘 积极的 -40°C〜85°C 无线电源发射器 表面安装 100-LQFP TB6865 - 4.5V〜14V 100-LQFP（14x14） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 900
7UL1G08FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage 7ul1g08fu，lf 0.3800
RFQ
 ECAD 2050 0.00000000 东芝半导体和存储 7ul 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 - 7ul1g08 1 0.9V〜3.6V 5-SSOP - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 和门 8mA，8mA 1 µA 2 4.4NS @ 3.3V，30pf 0.1V〜0.4V 0.75V〜2.48V
TA76431AS,T6MURF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA76431AS，T6Murf（j -
RFQ
 ECAD 3539 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 - -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA76431 - - - - LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 - - - -
74HCT32D Toshiba Semiconductor and Storage 74HCT32D 0.5600
RFQ
 ECAD 276 0.00000000 东芝半导体和存储 74HCT 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm） - 74HCT32 4 4.5V〜5.5V 14-Soic - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,500 或门 4mA，4mA 1 µA 2 18NS @ 5.5V，50pf 0.8V 2V
TC7QPB9307FK(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TC7QPB9307FK（EL） 0.8400
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7QP 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 14-vfsop（0.118英寸，3.00mm） 巴士开关 TC7QPB9307 1.65V〜5V，2.3V〜5.5V 14-VSSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,500 - 双供应 4 x 1：1 1
TB67S109AFTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S109AFTG，El 3.1400
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-WFQFN暴露垫 TB67S109 动力mosfet 4.75V〜5.25V 48-WQFN（7x7） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 3a 10v〜47V 双极 - 1〜1/32
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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