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（IC）（2120）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 类型 特征 基本产品编号 输入类型 频率 技术 电流 -供应 电压 -输入（最大） 输出类型 电路数 比率-输入：输出 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 逻辑类型 元素数量 每个元素的位数 电流 -输出高，低，低 功能 电流 -静止（最大） 杀伤率 -3dB带宽 电流 -输出 /通道 放大器类型 获得带宽产品 电流 -输入偏差 电压 -输入偏移 电压 -供应跨度（最小） 电压 -供应跨度（最大） 输入数量 i/o的数量 核心处理器 核心大小 速度 连接性 外围设备 程序内存大小 程序内存类型 EEPROM大小 ram大小 电压 -电源（ -vcc/vdd） 数据转换器 振荡器类型 开关电路 多路复用器/弹能电路 （（（） （Δron）） 电压 -电源，单个（，v+） 电压 -电源，双（ v±） （（toff）（toff））（toff）） 电荷注入 （cs（），（cd（）（cd）） （（（（ 相声 界面 时钟频率 输出数量 触发类型 最大传播延迟 @ v，max cl 当前-iq（iq） 电流 -供应（最大） 输入电容 输入逻辑级别 -低 输入逻辑级别 -高 内部开关 拓扑 频率 -切换 故障保护 控制功能 电压 -电源（最大） 输出配置 同步整流器 电流 -输出 RDS（类型） 电压 -负载 电机类型 -步进 电机类型-AC，DC 步骤分辨率 昏暗 电压 -电源（最小） 电压 -输出 开关类型 电流 -输出（最大） 电压 -输出（最小/固定） 电压 -输出（最大） 电压 -输入（最小） 监管机构数量 （（（） PSRR 保护功能
TC75W51FK(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TC75W51FK（TE85L，F） 0.2464
RFQ
 ECAD 7152 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 8-VFSOP （0.091英寸，2.30mm） TC75W51 120µA - 2 8-SSOP 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.33.0001 3,000 0.5V/µs CMOS 600 kHz 1 PA 2 mV 1.5 v 7 V
74VHC132FT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHC132FT 0.4100
RFQ
 ECAD 1968年 0.00000000 东芝半导体和存储 74VHC 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 14-TSSOP （0.173“，4.40mm宽度） 施密特触发 74VHC132 4 2v〜5.5V 14-TSSOPB 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,500 nand 8mA，8mA 2 µA 2 9.7ns @ 5V，50pf 0.1V〜36V 2v〜4.5V
TCR3DF19,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF19，LM（ct 0.0906
RFQ
 ECAD 9523 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3DF19 5.5V 固定的 SMV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 使能够 积极的 300mA 1.9V - 1 0.4V @ 300mA 70dB（1KHz） 电流，高度，温度
74VHCT245AFT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHCT245AFT 0.5100
RFQ
 ECAD 7711 0.00000000 东芝半导体和存储 74VHCT 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 20-tssop （0.173“，4.40mm宽度） 74VHCT245 - 三州 4.5V〜5.5V 20-tssop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,500 收发器，无变形 1 8 8mA，8mA
TC74HC273APF Toshiba Semiconductor and Storage TC74HC273APF 0.6300
RFQ
 ECAD 106 0.00000000 东芝半导体和存储 74HC 管子 积极的 -40°C〜85°C（TA） 通过洞 20 DIP（0.300英寸，7.62mm） D 74HC273 无向世 2v〜6V 20浸 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 20 1 8 5.2mA，5.2mA 重置 66 MHz 正优势 25ns @ 6v，50pf 4 µA 5 pf
74LCX574FT Toshiba Semiconductor and Storage 74LCX574FT 0.5100
RFQ
 ECAD 3035 0.00000000 东芝半导体和存储 74lcx 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 20-tssop （0.173“，4.40mm宽度） D 74LCX574 三态，无向世 1.65V〜3.6V 20-tssop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,500 1 8 24mA，24mA 标准 150 MHz 正优势 8.5ns @ 3.3V，50pf 10 µA 7 pf
TC7SZ02FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ02FU，LJ（ct 0.3400
RFQ
 ECAD 6363 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7SZ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 - 7SZ02 1 1.8V〜5.5V 5-SSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 也不是门 32mA，32mA 2 µA 2 4.3NS @ 5V，50pf - -
TC358860XBG(GOH) Toshiba Semiconductor and Storage TC358860XBG（GOH） 4.1715
RFQ
 ECAD 7064 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 DisplayPort 表面安装 65-TFBGA 1.04V〜1.16V，1.1V〜1.25V，1.71V〜1.89V 65-TFBGA（5x5） 下载 3（168）） 264-TC358860XBG（GOH）TR 1,000 i²c
TBD62083AFNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62083AFNG，El 1.4000
RFQ
 ECAD 1091 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 18-lssop （0.173“，4.40mm宽度） - TBD62083 反转 n通道 1：1 18 sop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 不需要 打开/关 8 - 低侧 - （50V）） 通用目的 500mA
7UL1G32FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage 7ul1g32fu，lf 0.3800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 7ul 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 - 7ul1g32 1 0.9V〜3.6V 5-SSOP - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 或门 8mA，8mA 1 µA 2 4.4NS @ 3.3V，30pf 0.1V〜0.4V 0.75V〜2.48V
TB7102F(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TB7102F（te85l，f） -
RFQ
 ECAD 7840 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 TB7102 5.5V 可调节的 PS-8（2.9x2.4） - （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 降压 1 巴克 1MHz 积极的 是的 1a 0.8V 4.5V 2.7V
TC74VHCT541AFTEL Toshiba Semiconductor and Storage TC74VHCT54​​ 1AFTEL -
RFQ
 ECAD 9321 0.00000000 东芝半导体和存储 TC74VHCT 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 20-tssop （0.173“，4.40mm宽度） 74VHCT54​​ 1 - 三州 4.5V〜5.5V 20-tssop - （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 缓冲，无变形 1 8 8mA，8mA
TB62754AFNG(O,EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB62754AFNG（o，El） -
RFQ
 ECAD 6503 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜95°C（TA） 背光 表面安装 20-lssop （0.173“，4.40mm宽度） DC DC控制器 TB62754 1.6MHz 20ssop 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 48mA 6 是的 （（（） 5.5V PWM 4.5V -
TB67S158FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S158FTG，El 1.7809
RFQ
 ECAD 4486 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-WFQFN暴露垫 TB67S158 DMO 4.75V〜5.25V 48-WQFN（7x7） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （8） 1.5a 10v〜60V 单极 - -
TB6556FG,8,EL,DRY Toshiba Semiconductor and Storage TB6556FG，8，El，干燥 -
RFQ
 ECAD 8267 0.00000000 东芝半导体和存储 - （CT） 过时的 -30°C〜115°C（TA） 风扇控制器 表面安装 30-bsop （0.295英寸，宽度为，7.50mm） TB6556 Bi-Cmos 6v〜10V 30 SSOP 下载 （1 （无限） Ear99 8542.31.0001 1,000 控制器 -换向，指导管理，指导管理 平行线 前驾驶员 -3） - - - DC（BLDC） -
TCR3DM11,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM11，lf（Se 0.4800
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 使能够 积极的 300mA 1.1V - 1 0.65V @ 300mA - 在电流上超过温度
TCR2LN11,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN11，LF -
RFQ
 ECAD 2442 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2LN11 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 1.1V - 1 1.28V @ 150mA - 超过电流
74HC125D Toshiba Semiconductor and Storage 74HC125D 0.4500
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 74HC 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm） 74HC125 - 三州 2v〜6V 14-Soic 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,500 缓冲，无变形 4 1 7.8mA，7.8mA
TC7SZ08FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ08FU，LJ（ct 0.3400
RFQ
 ECAD 56 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7SZ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 - 7SZ08 1 1.8V〜5.5V 5-SSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 和门 32mA，32mA 2 µA 2 4.5NS @ 5V，50pf - -
TMPM4G9F10FG(DBB) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM4G9F10FG（DBB） -
RFQ
 ECAD 4453 0.00000000 东芝半导体和存储 TX04 托盘 过时的 -40°C〜70°C（TA） 表面安装 100-LQFP TMPM4G9 100-LQFP（14x14） 下载 Rohs符合条件 3（168）） 3A991A2 8542.31.0001 60 150 ARM®Cortex®-M4F 32位单核 160MHz CEC，EBI/EMI，I²C，IRDA，SIO，SPI，SMIF，UART/USART DMA，LVD，POR，WDT 1MB （1m x 8） 闪光 32K x 8 192K x 8 2.7V〜3.6V A/D 24x12b; D/A 2x8b 内部的
TA78L018AP,T6F(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78L018AP，T6F （M -
RFQ
 ECAD 1498年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78L018 40V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 6.5 MA - 积极的 150mA 18V - 1 1.7V @ 40mA ty（typ） 38dB（120Hz） 超过电流
TC62D749CFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC62D749CFG，El 0.4038
RFQ
 ECAD 1973 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） LED照明 表面安装 24-sop （0.236英寸，6.00mm宽度） 线性 TC62D749 - 24 SSOP 下载 rohs3符合条件 2,000 90mA 16 是的 换档 5.5V - 3V 17V
TA58L09S,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58L09S，Q（j。 -
RFQ
 ECAD 8131 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58L09 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 50 mA - 积极的 250mA 9V - 1 0.4V @ 200mA - 在电流上超过温度
TB62214AFG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62214AFG，8，El -
RFQ
 ECAD 4503 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 28-bsop（0.346英寸，8.80mm +） + 2个热标签 TB62214 DMO 4.75V〜5.25V 28-hsop 下载 3（168）） Ear99 8542.39.0001 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 2a 10v〜38V 双极 - 1、1/2、1/4
74HC4053FT Toshiba Semiconductor and Storage 74HC4053FT 0.1360
RFQ
 ECAD 5657 0.00000000 东芝半导体和存储 74HC 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 16-TSSOP （0.173“，4.40mm宽度） 3 16-TSSOPB 下载 264-74HC4053FTTR 2,500 200MHz SPDT 2：1 100ohm 5欧姆 2v〜6V - 38ns，38ns - 5pf 100NA -50dB @ 1MHz
TB62781FNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62781FNG，C8，El 1.9800
RFQ
 ECAD 7672 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） - 表面安装 20-lssop （0.173“，4.40mm宽度） 线性 TB62781 - 20ssop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 40mA 9 是的 - 5.5V - 3V 28V
TA58L05S,LS2MTDQ(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58L05S，LS2MTDQ（j -
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 ECAD 2696 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58L05 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 50 mA - 积极的 250mA 5V - 1 0.4V @ 200mA - 在电流上超过温度
TCR2EE45,LM Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE45，LM -
RFQ
 ECAD 5861 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE45 5.5V 固定的 ESV 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 4.5V - 1 0.2V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TC74HC20AF-ELF Toshiba Semiconductor and Storage TC74HC20AF-ELF 0.1932
RFQ
 ECAD 9086 0.00000000 东芝半导体和存储 74HC 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜85°C 表面安装 14- 材料（0.209英寸，宽度为5.30mm） - 74HC20 2 2v〜6V 14分 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 nand 5.2mA，5.2mA 1 µA 4 15ns @ 6v，50pf 0.5V〜1.8V 1.5V〜4.2V
TA78L012AP,HOTIF(M Toshiba Semiconductor and Storage TA78L012AP，HOTIF（m -
RFQ
 ECAD 9964 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78L012 35V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 6.5 MA - 积极的 150mA 12V - 1 1.7V @ 40mA ty（typ） 41dB（120Hz） 超过电流
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    每日平均RFQ量

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    标准产品单位

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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