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（IC）（2120）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 类型 特征 基本产品编号 输入类型 技术 电压 -输入 电压 -输入（最大） 输出类型 电路数 比率-输入：输出 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 逻辑类型 元素数量 每个元素的位数 电流 -输出高，低，低 功能 电流 -静止（最大） 输入数量 i/o的数量 核心处理器 核心大小 速度 连接性 外围设备 程序内存大小 程序内存类型 EEPROM大小 ram大小 电压 -电源（ -vcc/vdd） 数据转换器 振荡器类型 协议 驱动程序/接收器的数量 双工 数据速率 界面 时钟频率 输出数量 触发类型 最大传播延迟 @ v，max cl 当前-iq（iq） 电流 -供应（最大） 输入电容 输入逻辑级别 -低 输入逻辑级别 -高 拓扑 频率 -切换 故障保护 控制功能 输出配置 同步整流器 电流 -输出 RDS（类型） 电压 -负载 电机类型 -步进 电机类型-AC，DC 步骤分辨率 电压 -输出 开关类型 电流 -输出（最大） 电压 -输出（最小/固定） 电压 -输出（最大） 电压 -输入（最小） 监管机构数量 （（（） PSRR 保护功能
TB7101F(T5L3.3,F) Toshiba Semiconductor and Storage TB7101F（t5l3.3，f） -
RFQ
 ECAD 2441 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 TB7101 5.5V 固定的 PS-8（2.9x2.4） 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 降压 1 巴克 1MHz 积极的 是的 1a 3.3V - 4.3V
TB6549PG(O) Toshiba Semiconductor and Storage TB6549PG（O） -
RFQ
 ECAD 5857 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 通过洞 16 浸（0.300英寸，7.62mm） TB6549 Bi-Cmos 10v〜27V 16二滴 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 25 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM，系列 2（2） 3.5a 10v〜27V - DC -
TC7SZ126FE,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ126FE，LJ（ct 0.3700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7SZ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 SOT-553 TC7SZ126 - 三州 1.65V〜5.5V ESV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 缓冲，无变形 1 1 32mA，32mA
TA58L08S(FJTN,AQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA58L08（fjtn，AQ） -
RFQ
 ECAD 8759 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58L08 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 50 mA - 积极的 250mA 8V - 1 0.4V @ 200mA - 在电流上超过温度
TC78B025FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78B025FTG，El 4.2300
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜105°C（TA） 风扇运动驱动器 表面安装 24-VFQFN暴露垫 TC78B025 CMOS 4.5V〜16V 24-VQFN （4x4） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 司机 PWM 3（3） 3.5a - 多相 DC（BLDC） -
74HCT540D Toshiba Semiconductor and Storage 74HCT54​​ 0D 0.7600
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 ECAD 9004 0.00000000 东芝半导体和存储 74HCT 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 20-SOIC （0.295英寸，7.50mm宽度） 74HCT54​​ 0 - 三州 4.5V〜5.5V 20-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 缓冲，反转 1 8 6mA，6mA
TA78DS05CP,6NSNF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS05CP，6NSNF（j -
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 ECAD 6957 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78DS 33V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 1 MA - 积极的 30mA 5V - 1 0.3V @ 10mA - 在电流上超过温度，超过电压，瞬态电压
TCR2LN08,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN08，lf（Se 0.3800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xfdfn暴露垫 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 0.8V - 1 1.56V @ 150mA - 超过电流
TC7WZ74FK,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7WZ74FK，LJ（ct 0.4000
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7WZ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-VFSOP （0.091英寸，2.30mm） D 7WZ74 推扣 1.65V〜5.5V 8-SSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 1 1 32mA，32mA （设置（预设）和重置 200 MHz 正优势 4NS @ 5V，50pf 10 µA 3 pf
TBD62783AFNG Toshiba Semiconductor and Storage tbd62783afng -
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 ECAD 3817 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 18-lssop （0.173“，4.40mm宽度） - TBD62783 不转变 P通道 1：1 18 sop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 不需要 打开/关 8 - 高侧 - （50V）） 通用目的 500mA
TB9045FNG-120,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB9045FNG-1220，El 11.4387
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 ECAD 1933年 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q100 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 电源，汽车应用 表面安装 48-TFSOP （0.240英寸，6.10mm宽） TB9045 - 48-htssop 下载 3（168）） 264-TB9045FNG-1220ELTR Ear99 8542.39.0001 1,000 3 6V
TA78DS05CP(T6ND,AF Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS05CP（t6nd，AF -
RFQ
 ECAD 7457 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78DS 33V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 1 MA - 积极的 30mA 5V - 1 0.3V @ 10mA - 在电流上超过温度，超过电压，瞬态电压
TPD4162F,LF Toshiba Semiconductor and Storage TPD4162F，LF 2.4947
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 ECAD 1495 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜135°C 通用目的 表面安装 62 SOP （0.331英寸，8.40mm宽度）裸露的垫子，31条线索 TPD4162 IGBT 13.5v〜17.5V P-HSSOP31-0918-0.80-002 下载 3（168）） Ear99 8542.39.0001 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM 高侧 700mA 50V〜450V 多相 DC（BLDC） -
TPD4163F,LF Toshiba Semiconductor and Storage TPD4163F，LF 6.3000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜135°C（TJ） 通用目的 表面安装 42-SOP （0.330英寸，8.40mm宽），31个铅，裸露的垫子 IGBT 13.5v〜16.5V 31-hssop - rohs3符合条件 3（168）） 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM 3（3） 2a 50V〜450V 多相 DC（BLDC） -
TCK322G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK322G，LF 0.5973
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 ECAD 6905 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-UFBGA，CSPBGA 控制率控制，状态标志 TCK322 - n通道 2：1 16-WCSPC（1.9x1.9） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 高温，电压过电流，反向电流，uvlo 高侧 98mohm 2.3v〜36v 通用目的 2a
TC7WHU04FK,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7WHU04FK，LJ（ct 0.3900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 tc7whu 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 8-VFSOP （0.091英寸，2.30mm） - 7whu04 3 2v〜5.5V 8-SSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 逆变器 8mA，8mA 2 µA 3 7NS @ 5V，50pf 0.3V 1.7V
TCR2LN21,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN21，lf（Se 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xfdfn暴露垫 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 2.1V - 1 0.54V @ 150mA - 超过电流
TCR2DG285,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG285，LF 0.1394
RFQ
 ECAD 7114 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-ufbga，WLCSP 5.5V 固定的 4-WCSP（0.79x0.79） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 3,000 70 µA 使能够 积极的 200mA 2.85V - 1 0.12V @ 100mA - 在电流上超过温度
TCR3UF36A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UF36A，LM（ct 0.4100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3UF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3UF36 5.5V 固定的 SMV - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 680 NA 使能够 积极的 300mA 3.6V - 1 0.245V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TCR2EF36,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF36，LM（ct 0.3300
RFQ
 ECAD 6914 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR2EF36 5.5V 固定的 SMV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 3.6V - 1 0.2V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TC7SET126FU,LJ Toshiba Semiconductor and Storage TC7SET126FU，LJ -
RFQ
 ECAD 9496 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7SET 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 TC7SET126 - 三州 4.5V〜5.5V 5-SSOP 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 缓冲，无变形 1 1 8mA，8mA
TCR2DG35,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG35，LF 0.1394
RFQ
 ECAD 6151 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-ufbga，WLCSP 5.5V 固定的 4-WCSP（0.79x0.79） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 3,000 70 µA 使能够 积极的 200mA 3.5V - 1 0.11V @ 100mA - 在电流上超过温度
TA58L10S,Q(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58L10S，Q（j -
RFQ
 ECAD 2858 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58L10 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1.2 ma 50 mA - 积极的 250mA 10V - 1 0.4V @ 200mA - 在电流上超过温度
TCR5RG33A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR5RG33A，LF 0.5300
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR5RG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-XFBGA，WLCSP TCR5RG33 5.5V 固定的 4-WCSPF（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 13 µA - 积极的 500mA 3.3V - 1 - 100dB〜59dB （1KHz〜1MHz） 在电流上超过温度
TMPM330FDFG(C) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM330FDFG（C） 5.0908
RFQ
 ECAD 2960 0.00000000 东芝半导体和存储 TX03 托盘 积极的 -20°C〜85°C（TA） 表面安装 100-LQFP TMPM330 100-LQFP（14x14） 下载 Rohs符合条件 3（168）） 3A991A2 8542.31.0001 200 79 ARM®Cortex®-M3 32位单核 40MHz i²c，sio，uart/usart por，wdt 512KB （512K x 8） 闪光 - 32K x 8 2.7V〜3.6V A/D 12x10b 外部的
TCR8BM10,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM10，L3F 0.4600
RFQ
 ECAD 3470 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR8BM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR8BM10 5.5V 固定的 5-DFNB（1.2x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 36 µA 当前限制，启用 积极的 800mA 1V - 1 0.23V @ 800mA 98dB （1KHz） 在电流上超过温度
TCR3DF295,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF295，LM（ct 0.4900
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3DF295 5.5V 固定的 SMV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 使能够 积极的 300mA 2.95V - 1 0.27V @ 300mA 70dB（1KHz） 电流，高度，温度
TC7SH34FS(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage TC7SH34F（TPL3） -
RFQ
 ECAD 4381 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7SH 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 SOT-953 TC7SH34 - 推扣 2v〜5.5V FSV - （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 缓冲，无变形 1 1 8mA，8mA
TD62083AFG,N,EL Toshiba Semiconductor and Storage TD62083AFG，N，El -
RFQ
 ECAD 7372 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 18-SOIC（0.276英寸，7.00mm宽度） 司机 TD62083 5V 18 SOP 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 - 8/0 - -
TA78L009AP,6FNCF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L009AP，6fncf（j -
RFQ
 ECAD 6536 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78L009 35V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 6.5 MA - 积极的 150mA 9V - 1 1.7V @ 40mA ty（typ） 44dB （120Hz） 超过电流
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    每日平均RFQ量

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    30,000,000

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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