SIC
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（IC）（2120）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 类型 特征 基本产品编号 输入类型 频率 技术 电流 -供应 电压 -输入（最大） 输出类型 sic可编程 电路数 比率-输入：输出 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） ECCN htsus 标准包 逻辑类型 元素数量 每个元素的位数 电流 -输出高，低，低 功能 电流 -静止（最大） 杀伤率 电流 -输出 /通道 放大器类型 获得带宽产品 电流 -输入偏差 电压 -输入偏移 电压 -供应跨度（最小） 电压 -供应跨度（最大） 输入数量 i/o的数量 核心处理器 核心大小 速度 连接性 外围设备 程序内存大小 程序内存类型 EEPROM大小 ram大小 电压 -电源（ -vcc/vdd） 数据转换器 振荡器类型 界面 输出数量 最大传播延迟 @ v，max cl 当前-iq（iq） 电流 -供应（最大） 输入逻辑级别 -低 输入逻辑级别 -高 频道类型 内部开关 拓扑 频率 -切换 故障保护 控制功能 电压 -电源（最大） 输出配置 同步整流器 电流 -输出 RDS（类型） 电压 -负载 驱动配置 驾驶员数量 门类型 逻辑电压 -vil，vih 电流 -峰值输出（源，水槽，水槽） 上升 /秋季t （典型） 电机类型 -步进 电机类型-AC，DC 步骤分辨率 昏暗 电压 -电源（最小） 电压 -输出 开关类型 电流 -输出（最大） 电压 -输出（最小/固定） 电压 -输出（最大） 电压 -输入（最小） 监管机构数量 （（（） PSRR 保护功能
TCR2EE115,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE115，LM（ct 0.0618
RFQ
 ECAD 7361 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE115 5.5V 固定的 ESV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.15V - 1 0.67V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TC75S51FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage TC75S51FUTE85LF 0.4000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 TC75S51 60µA - 1 5-SSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.33.0001 3,000 0.5V/µs 通用目的 1 PA 2 mV 1.5 v 7 V
74LCX245FT Toshiba Semiconductor and Storage 74LCX245FT 0.4900
RFQ
 ECAD 7038 0.00000000 东芝半导体和存储 TC74LCX 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 20-tssop （0.173“，4.40mm宽度） 74LCX245 - 三州 1.65V〜3.6V 20-tssop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,500 收发器，无变形 1 8 24mA，24mA
TMPM4G9F15FG(DBB) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM4G9F15FG（DBB） -
RFQ
 ECAD 4560 0.00000000 东芝半导体和存储 TX04 托盘 过时的 -40°C〜70°C（TA） 表面安装 100-LQFP TMPM4G9 100-LQFP（14x14） 下载 Rohs符合条件 3（168）） 3A991A2 8542.31.0001 60 150 ARM®Cortex®-M4F 32位单核 160MHz CEC，EBI/EMI，I²C，IRDA，SIO，SPI，SMIF，UART/USART DMA，LVD，POR，WDT 1.5MB（1.5MX 8） 闪光 32K x 8 192K x 8 2.7V〜3.6V A/D 24x12b; D/A 2x8b 内部的
TB7101F(T5L3.3,F) Toshiba Semiconductor and Storage TB7101F（t5l3.3，f） -
RFQ
 ECAD 2441 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 TB7101 5.5V 固定的 PS-8（2.9x2.4） 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 降压 1 巴克 1MHz 积极的 是的 1a 3.3V - 4.3V
TC75W51FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC75W51FU，LF 0.5800
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 8-tssop，8-msop （0.110英寸，2.80mm） TC75W51 120µA - 2 8-SSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.33.0001 3,000 0.5V/µs CMOS 600 kHz 1 PA 2 mV 1.5 v 7 V
TCR2EN12,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EN12，LF 0.0896
RFQ
 ECAD 4283 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2en 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2EN12 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.2V - 1 0.55V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TC75W55FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC75W55FU，LF 0.2240
RFQ
 ECAD 8867 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 8-tssop，8-msop （0.110英寸，2.80mm） TC75W55 20µA - 2 8-SSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.33.0001 3,000 0.08V/µs CMOS 160 kHz 1 PA 2 mV 1.8 v 7 V
TPD4163F,LF Toshiba Semiconductor and Storage TPD4163F，LF 6.3000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜135°C（TJ） 通用目的 表面安装 42-SOP （0.330英寸，8.40mm宽），31个铅，裸露的垫子 IGBT 13.5v〜16.5V 31-hssop - rohs3符合条件 3（168）） 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM 3（3） 2a 50V〜450V 多相 DC（BLDC） -
TCR2EF36,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF36，LM（ct 0.3300
RFQ
 ECAD 6914 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR2EF36 5.5V 固定的 SMV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 3.6V - 1 0.2V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR3UF36A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UF36A，LM（ct 0.4100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3UF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3UF36 5.5V 固定的 SMV - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 680 NA 使能够 积极的 300mA 3.6V - 1 0.245V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TCR2LN21,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN21，lf（Se 0.3800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xfdfn暴露垫 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 2.1V - 1 0.54V @ 150mA - 超过电流
TCR2DG285,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG285，LF 0.1394
RFQ
 ECAD 7114 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-ufbga，WLCSP 5.5V 固定的 4-WCSP（0.79x0.79） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 3,000 70 µA 使能够 积极的 200mA 2.85V - 1 0.12V @ 100mA - 在电流上超过温度
TB62747AFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62747AFG，El -
RFQ
 ECAD 1895年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C（TA） - 表面安装 24-sop （0.236英寸，6.00mm宽度） 线性 TB62747 - 24 SSOP 下载 3（168）） Ear99 8542.39.0001 2,000 45mA 16 是的 换档 5.5V - 3V 26V
TCR2DG30,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG30，LF 0.4400
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-ufbga，WLCSP TCR2DG30 5.5V 固定的 4-WCSP（0.79x0.79） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 70 µA - 积极的 200mA 3V - 1 0.11V @ 100mA 73db〜50dB（1KHz〜100KHz） 电流电流，超过电流的热关机
TMPM380FYFG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM380FYFG 5.6782
RFQ
 ECAD 5995 0.00000000 东芝半导体和存储 TX03 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 100-LQFP TMPM380 100-LQFP（14x14） 下载 Rohs符合条件 3（168）） 3A991A2 8542.31.0001 200 83 ARM®Cortex®-M3 32位单核 40MHz i²c，sio，uart/usart DMA，LVD，WDT 256KB （256K x 8） 闪光 - 16k x 8 4.5V〜5.5V A/D 18x12b 外部的
TB6549PG(O) Toshiba Semiconductor and Storage TB6549PG（O） -
RFQ
 ECAD 5857 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 通过洞 16 浸（0.300英寸，7.62mm） TB6549 Bi-Cmos 10v〜27V 16二滴 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 25 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM，系列 2（2） 3.5a 10v〜27V - DC -
TA58L08S(FJTN,AQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA58L08（fjtn，AQ） -
RFQ
 ECAD 8759 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58L08 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 50 mA - 积极的 250mA 8V - 1 0.4V @ 200mA - 在电流上超过温度
TC7SZ126FE,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ126FE，LJ（ct 0.3700
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7SZ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 SOT-553 TC7SZ126 - 三州 1.65V〜5.5V ESV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 缓冲，无变形 1 1 32mA，32mA
TB7101AF(T5L1.8,F) Toshiba Semiconductor and Storage TB7101AF （T5L1.8，F） -
RFQ
 ECAD 2944 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 表面安装 8-SMD，平坦的铅 TB7101 5.5V 固定的 PS-8（2.9x2.4） - （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 降压 1 巴克 1MHz 积极的 是的 1a 1.8V - 2.8V
74VHC08FT Toshiba Semiconductor and Storage 74VHC08FT 0.4800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 TC74VHC 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 14-TSSOP （0.173“，4.40mm宽度） - 74VHC08 4 2v〜5.5V 14-TSSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,500 和门 8mA，8mA 2 µA 2 7.9NS @ 5V，50pf 0.5V 1.5V
TCR2EF50,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF50，LM（ct 0.3300
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR2EF50 5.5V 固定的 SMV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 5V - 1 0.2V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR15AG18,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR15AG18，LF 0.6400
RFQ
 ECAD 2510 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR15AG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 6-XFBGA，WLCSP TCR15AG18 6V 固定的 6-WCSP（1.2x0.80） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 40 µA 使能够 积极的 1.5a 1.8V - 1 0.648V @ 1.5A 95DB〜60DB（1KHz） 当前限制，热关闭，uvlo
74LCX125FT Toshiba Semiconductor and Storage 74LCX125FT 0.4800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 TC74LCX 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 14-TSSOP （0.173“，4.40mm宽度） 74LCX125 - 三州 1.65V〜3.6V 14-TSSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,500 缓冲，无变形 4 1 24mA，24mA
TMPM4G9FEFG(DBB) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM4G9FEFG（DBB） 12.7000
RFQ
 ECAD 9982 0.00000000 东芝半导体和存储 TX04 托盘 积极的 -40°C〜70°C（TA） 表面安装 100-LQFP TMPM4G9 100-LQFP（14x14） 下载 Rohs符合条件 3（168）） 3A991A2 8542.31.0001 60 150 ARM®Cortex®-M4F 32位单核 160MHz CEC，EBI/EMI，I²C，IRDA，SIO，SPI，SMIF，UART/USART DMA，LVD，POR，WDT 768KB （768K x 8） 闪光 32K x 8 128K x 8 2.7V〜3.6V A/D 24x12b; D/A 2x8b 内部的
TB62216FG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62216FG，8，El -
RFQ
 ECAD 5096 0.00000000 东芝半导体和存储 - （CT） 过时的 - 通用目的 表面安装 28-bsop（0.346英寸，8.80mm +） + 2个热标签 TB62216 动力mosfet （40V）） 28-hsop 下载 3（168）） Ear99 8542.39.0001 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM （4） 2.5a - - DC -
TCK322G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK322G，LF 0.5973
RFQ
 ECAD 6905 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-UFBGA，CSPBGA 控制率控制，状态标志 TCK322 - n通道 2：1 16-WCSPC（1.9x1.9） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 高温，电压过电流，反向电流，uvlo 高侧 98mohm 2.3v〜36v 通用目的 2a
TC7SET126FU,LJ Toshiba Semiconductor and Storage TC7SET126FU，LJ -
RFQ
 ECAD 9496 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7SET 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 TC7SET126 - 三州 4.5V〜5.5V 5-SSOP 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 缓冲，无变形 1 1 8mA，8mA
TA48M025F(T6L1,SNQ Toshiba Semiconductor and Storage TA48M025F （T6L1，SNQ -
RFQ
 ECAD 2525 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TA48M025 29V 固定的 PW-MOLD 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 1.4 MA 25 ma - 积极的 500mA 2.5V - 1 0.65V @ 500mA 72dB （120Hz） 在电流上超过温度，超过电压，反向极性
TCK401G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK401G，LF 0.6200
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 6-ufbga，WLCSP TCK401 不转变 未行业行业经验证 2.7V〜28V 6-WCSPE（0.80x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 单身的 高方向 1 - 0.4V，1.6V - 0.2ms，1.5µs
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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