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（IC）（2120）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 类型 特征 基本产品编号 输入类型 频率 技术 电压 -输入 电压 -输入（最大） 输出类型 比率-输入：输出 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 逻辑类型 元素数量 每个元素的位数 电流 -输出高，低，低 功能 电压 -电源，单/双（±） 电压 -输入偏移（最大） 电流 -输入偏差（最大） 电流 -输出（典型） 电流 -静止（最大） CMRR，PSRR（类型） （（（） 滞后 电流 -输出 /通道 i/o的数量 核心处理器 核心大小 速度 连接性 外围设备 程序内存大小 程序内存类型 EEPROM大小 ram大小 电压 -电源（ -vcc/vdd） 数据转换器 振荡器类型 界面 输出数量 电压源 当前-iq（iq） 电流 -供应（最大） 电路 独立电路 内部开关 拓扑 故障保护 控制功能 电压 -电源（最大） 输出配置 感应方法 准确性 电流 -输出 RDS（类型） 电压 -负载 电机类型 -步进 电机类型-AC，DC 步骤分辨率 昏暗 电压 -电源（最小） 电压 -输出 开关类型 电流 -输出（最大） 电压 -输出（最小/固定） 电压 -输出（最大） 监管机构数量 （（（） PSRR 保护功能
TCK22922G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22922G，LF 0.1675
RFQ
 ECAD 9167 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 6-ufbga，WLCSP 负载排放，控制率 TCK22922 不转变 P通道 1：1 6-WCSPE（0.80x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 反向电流 高侧 25mohm 1.1V〜5.5V 通用目的 2a
TAR5S25U(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S25U（TE85L，F） 0.5000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 6-SMD（5条线），平坦的铅 15V 固定的 UFV 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 850 µA 使能够 积极的 200mA 2.5V - 1 0.2V @ 50mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
74HC237D Toshiba Semiconductor and Storage 74HC237D 0.4000
RFQ
 ECAD 9120 0.00000000 东芝半导体和存储 74HC 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm） 解码器/解密器 74HC237 2v〜6V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 5.2mA，5.2mA 单供应 1 x 3：8 1
TC75S56FUTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage TC75S56FUTE85LF 0.4700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 通用目的 TC75S56 推扣 5-SSOP 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.33.0001 3,000 1 1.8V〜7V，±0.9V〜3.5V 7MV @ 5V 1PA @ 5V 25mA 20µA - 680NS -
TMP91FW27UG(C,JZ) Toshiba Semiconductor and Storage TMP91FW27UG（C，JZ） -
RFQ
 ECAD 1384 0.00000000 东芝半导体和存储 TLCS-900/L1 托盘 过时的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 64-LQFP TMP91 64-LQFP（10x10） 下载 Rohs符合条件 TMP91FW27UG（CJZ） 3A991A2 8542.31.0001 200 53 900/L1 16位 27MHz EBI/EMI，I²C，IRDA，UART/USART DMA，WDT 128KB （128K x 8） 闪光 - 12k x 8 2.2v〜3.6V A/D 4x10b 内部的
TC75S57FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TC75S57FU（TE85L，F） 0.4200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 通用目的 TC75S57 推扣 5-SSOP 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 1 1.8V〜7V，±0.9V〜3.5V 7MV @ 5V 1Pa 25mA 220µA - 140ns -
TCKE712BNL,RF Toshiba Semiconductor and Storage TCKE712BNL，RF 1.6700
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 10-WFDFN暴露垫 TCKE712 4.4v〜13.2V 10-wsonb（3x3） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 电子保险丝 - - -
TB67S269FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S269FTG，El 2.8900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-WFQFN暴露垫 TB67S269 动力mosfet 4.75V〜5.25V 48-WQFN（7x7） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 2a 10v〜47V 双极 - 1〜1/32
TCR2EE285,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE285，LM（ct 0.0680
RFQ
 ECAD 1344 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE285 5.5V 固定的 ESV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 2.85V - 1 0.23V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TB67S149HG Toshiba Semiconductor and Storage TB67S149HG 6.6200
RFQ
 ECAD 3968 0.00000000 东芝半导体和存储 - 托盘 积极的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 通过洞 25-SIP形成的铅 TB67S149 动力mosfet 4.75V〜5.25V 25-Hzip 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 17 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 2（2） 3a 10v〜40V 单极 - 1〜1/32
TAR5S28UTE85LF Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S28UTE85LF 0.1804
RFQ
 ECAD 8097 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 6-SMD（5条线），平坦的铅 TAR5S28 15V 固定的 UFV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 850 µA 使能够 积极的 200mA 2.8V - 1 0.2V @ 50mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TC62D722CFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC62D722CFG，El -
RFQ
 ECAD 8068 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C（TA） - 表面安装 24-sop （0.236英寸，6.00mm宽度） 线性 TC62D722 - 24 SSOP 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 90mA 16 是的 换档 5.5V - 3V 17V
74HC164D Toshiba Semiconductor and Storage 74HC164D 0.4500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 74HC 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm） 74HC164 推扣 2v〜6V 14分 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,500 换档 1 8 串行到平行
TCK323G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK323G，LF 1.5000
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 16-UFBGA，CSPBGA 控制率控制，状态标志 TCK323 - n通道 2：1 16-WCSPC（1.9x1.9） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 高温，电压过电流，反向电流，uvlo 高侧 98mohm 2.3v〜36v 通用目的 2a
TCR2DG12,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG12，LF 0.5000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-ufbga，WLCSP TCR2DG12 5.5V 固定的 4-WCSP（0.79x0.79） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 70 µA - 积极的 200mA 1.2V - 1 0.8V @ 100mA 85DB〜50DB （1KHz〜100KHz） 电流电流，超过电流的热关机
TMP87P808MG(KYZ) Toshiba Semiconductor and Storage TMP87P808MG（KYZ） -
RFQ
 ECAD 8889 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -30°C〜70°C（TA） 表面安装 28-SOIC （0.345“，8.77mm宽度） TMP87 28 SOP 下载 3（168）） Ear99 8542.31.0001 100 20 870 8位 8MHz - - 8KB （8K x 8） OTP - 256 x 8 2.7V〜5.5V A/D 6x8b 外部的
TCK22921G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22921G，LF 0.1675
RFQ
 ECAD 7646 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 6-ufbga，WLCSP 负载排放，控制率 TCK22921 不转变 P通道 1：1 6-WCSPE（0.80x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 反向电流 高侧 25mohm 1.1V〜5.5V 通用目的 2a
TCR2EF13,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF13，LM（ct 0.4200
RFQ
 ECAD 60 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR2EF13 5.5V 固定的 SMV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.3V - 1 0.47V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR3UF09A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UF09A，LM（ct 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3UF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3UF09 5.5V 固定的 SMV - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 580 NA 使能够 积极的 300mA 0.9V - 1 1.157V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TB62215AFNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62215AFNG，C8，El 3.6500
RFQ
 ECAD 4786 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-TFSOP （0.240英寸，6.10mm宽） TB62215 动力mosfet 4.75V〜5.25V 48-htssop 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 3a 10v〜38V 双极 - 1、1/2、1/4
TMPM369FDFG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM369FDFG 12.0000
RFQ
 ECAD 9281 0.00000000 东芝半导体和存储 TX03 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 144-FQFP TMPM369 144-LQFP（20x20） 下载 Rohs符合条件 3（168）） 3A991A2 8542.31.0001 200 102 ARM®Cortex®-M3 32位单核 80MHz CANBUS，EBI/EMI，以太网 DMA，POR，WDT 512KB （512K x 8） 闪光 - 128K x 8 2.7V〜3.6V A/D 16x12b; D/A 2x10b 内部的
TA78L005AP,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L005AP，WNLF（j -
RFQ
 ECAD 8329 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78L005 35V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 6 ma - 积极的 150mA 5V - 1 1.7V @ 40mA ty（typ） 49dB（120Hz） -
TA78L24F(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TA78L24F te12l，f） -
RFQ
 ECAD 4095 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -30°C 〜85°C 表面安装 TO-243AA TA78L24 40V 固定的 PW-Mini（SOT-89） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1,000 6 ma 6.5 MA - 积极的 150mA 24V - 1 - 35DB （120Hz） 在电流上超过温度
TMPM462F15FG(BDBB) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM462F15FG（BDBB） 12.0065
RFQ
 ECAD 9466 0.00000000 东芝半导体和存储 TX04 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 176-LQFP TMPM462 176-LQFP（20x20） 下载 Rohs符合条件 3（168）） 3A991A2 8542.31.0001 60 139 ARM®Cortex®-M4F 32位单核 120MHz EBI/EMI，I²C，IRDA，Microwire，Sio，Spi，SSI，SSP，SSP，UART/USART DMA，LVD，WDT 1.5MB（1.5MX 8） 闪光 - 193k x 8 2.7V〜3.6V A/D 20x12b 外部的
TB67S215FTAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S215FTAG，El 2.7300
RFQ
 ECAD 7254 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 36-WFQFN暴露垫 TB67S215 动力mosfet 4.75V〜5.25V 36-WQFN （6x6） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM （4） 2a 10v〜35V 双极 - 1、1/2、1/4
TC74VCX541FTEL Toshiba Semiconductor and Storage TC74VCX541FTEL 0.1660
RFQ
 ECAD 6466 0.00000000 东芝半导体和存储 TC74VCX 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 20-tssop （0.173“，4.40mm宽度） 74VCX541 - 三州 1.2v〜3.6V 20-tssop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 缓冲，无变形 1 8 24mA，24mA
TC78H670FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC78H670FTG，El 1.5300
RFQ
 ECAD 8443 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 16-VFQFN暴露垫 TC78H670 DMO 1.5V〜5.5V 16-vqfn （3x3） 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 系列 （4） 2a 2.5V〜16V 双极 DC 1，1/2
7UL1G34FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage 7ul1g34fu，lf 0.4600
RFQ
 ECAD 31 0.00000000 东芝半导体和存储 7ul 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 7ul1g34 - - 0.9V〜3.6V 5-SSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 缓冲，无变形 1 1 8mA，8mA
TC7SZ34AFS,L3J(T Toshiba Semiconductor and Storage TC7SZ34AF，L3J t 0.0593
RFQ
 ECAD 7671 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7SZ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 SOT-953 TC7SZ34 - 推扣 1.65V〜5.5V FSV 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 缓冲，无变形 1 1 32mA，32mA
TBD62308AFAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62308AFAG，El 1.1900
RFQ
 ECAD 1058 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 24-sop （0.236英寸，6.00mm宽度） - TBD62308 反转 n通道 1：1 24 SSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 4.5V〜5.5V 打开/关 4 - 低侧 370MOHM （50V）） 通用目的 1.5a
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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