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（IC）（2120）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 类型 特征 基本产品编号 输入类型 技术 电流 -供应 电压 -输入（最大） 输出类型 电路数 比率-输入：输出 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 逻辑类型 元素数量 每个元素的位数 电流 -输出高，低，低 功能 电流 -静止（最大） 杀伤率 电流 -输出 /通道 放大器类型 获得带宽产品 电流 -输入偏差 电压 -输入偏移 电压 -供应跨度（最小） 电压 -供应跨度（最大） 输入数量 电压 -电源（ -vcc/vdd） 界面 时钟频率 输出数量 电压源 触发类型 最大传播延迟 @ v，max cl 当前-iq（iq） 电流 -供应（最大） 输入电容 输入逻辑级别 -低 输入逻辑级别 -高 电路 独立电路 故障保护 控制功能 输出配置 电流 -输出 RDS（类型） 电压 -负载 电机类型 -步进 电机类型-AC，DC 步骤分辨率 开关类型 电流-输出（最大） 电压 -输出（最小/固定） 电压 -输出（最大） 监管机构数量 （（（） PSRR 保护功能
TCR3DM25,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM25，LF 0.4600
RFQ
 ECAD 9892 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 TCR3DM25 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 65 µA 78 µA 使能够 积极的 300mA 2.5V - 1 0.29V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
74LCX14FT Toshiba Semiconductor and Storage 74LCX14FT 0.1360
RFQ
 ECAD 6426 0.00000000 东芝半导体和存储 74lcx 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 14-TSSOP （0.173“，4.40mm宽度） 施密特触发 74LCX14 6 1.65V〜3.6V 14-TSSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,500 逆变器 24mA，24mA 10 µA 1 6.5NS @ 3.3V，50pf 0.3V〜0.6V 1.35V〜2.2V
KIA78DL15PI Toshiba Semiconductor and Storage KIA78DL15PI -
RFQ
 ECAD 3334 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 积极的 Kia78 - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 50
TB67S149FG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S149FG，El 3.6800
RFQ
 ECAD 970 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 28-SOP （0.295英寸，7.50mm宽度） + 2个热标签 TB67S149 动力mosfet 4.75V〜5.25V 28-hssop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 2（2） 3a 10v〜40V 单极 - 1〜1/32
TC7MB3245CFK-EL(M) Toshiba Semiconductor and Storage TC7MB3245CFK-EL（M） -
RFQ
 ECAD 9662 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7MB 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 20-VFSOP （0.118英寸，宽度为3.00mm） 巴士开关 TC7MB3245 4v〜5.5V 20-vssop 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,500 - 单供应 8 x 1：1 1
TCR3DM12,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM12，lf（Se 0.4800
RFQ
 ECAD 39 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 使能够 积极的 300mA 1.2V - 1 0.6V @ 300mA - 在电流上超过温度
TC75W54FK(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TC75W54FK（TE85L，F） 0.2464
RFQ
 ECAD 2483 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 8-VFSOP （0.091英寸，2.30mm） TC75W54 200µA - 2 8-SSOP 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.33.0001 3,000 0.7V/µs 700 µA 通用目的 900 kHz 1 PA 2 mV 1.8 v 7 V
TCR2LN09,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN09，lf（Se 0.3800
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xfdfn暴露垫 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 0.9V - 1 1.46V @ 150mA - 超过电流
TAR5S15U(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S15U（TE85L，F） 0.1676
RFQ
 ECAD 3500 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 6-SMD（5条线），平坦的铅 TAR5S15 15V 固定的 UFV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 850 µA 使能够 积极的 200mA 1.5V - 1 - 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TC7S00FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage TC7S00FU，LF 0.4200
RFQ
 ECAD 7120 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 - 7S00 1 2v〜6V 5-SSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 nand 2.6mA，2.6mA 1 µA 2 17ns @ 6v，50pf 0.5V〜1.8V 1.5V〜4.2V
TB67S102AFTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S102AFTG，El 3.1400
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-WFQFN暴露垫 TB67S102 动力mosfet 4.75V〜5.25V 48-WQFN（7x7） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 3a 10v〜47V 双极 - 1、1/2、1/4
TB67H410FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H410FTG，El 1.2515
RFQ
 ECAD 8734 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-WFQFN暴露垫 TB67H410 Bicdmos 4.75V〜5.25V 48-WQFN（7x7） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行，PWM （4） 5a 10v〜47V - DC -
TCR2EE305,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE305，LM（ct 0.3500
RFQ
 ECAD 363 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE305 5.5V 固定的 ESV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 3.05V - 1 0.2V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR3UF30A,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UF30A，LM（ct 0.4100
RFQ
 ECAD 2099 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3UF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3UF30 5.5V 固定的 SMV - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 680 NA 使能够 积极的 300mA 3V - 1 0.287V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TLP7820(B-LF4,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP7820（b-lf4，e -
RFQ
 ECAD 2350 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 当前感应，电源管理 表面安装 8-Soic（0.295英寸，宽度为，7.50mm） 隔离 TLP7820 8-so 下载 （1 （无限） 264-TLP7820（B-LF4E Ear99 8542.33.0001 75
TC7PZ17FU,LJ(CT Toshiba Semiconductor and Storage TC7PZ17FU，LJ（ct 0.3300
RFQ
 ECAD 41 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7PZ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 TC7PZ17 施密特触发 推扣 1.65V〜5.5V US6 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 缓冲，无变形 2 1 32mA，32mA
TB6674FAG Toshiba Semiconductor and Storage TB6674FAG -
RFQ
 ECAD 3570 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -30°C〜75°C（TA） 通用目的 表面安装 16 台（0.181英寸，4.60mm宽度） TB6674 动力mosfet 4.5V〜5.5V 16ssop 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 100mA 2.7V〜22V 双极 - -
TB6631FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6631FNG，El -
RFQ
 ECAD 1114 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -30°C〜115°C（TA） 通用目的 表面安装 30-lssop （0.220英寸，5.60mm宽度） TB6631 Bi-Cmos 7v〜16.5V 30 SSOP 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 控制器 -换向，指导管理，指导管理 平行线 前驾驶员 -3） - - - DC（BLDC） -
7UL1G02FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage 7ul1g02fs，lf 0.4500
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 7ul 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 SOT-953 - 7ul1g02 1 0.9V〜3.6V FSV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 也不是门 8mA，8mA 1 µA 2 4.4NS @ 3.6V，30pf 0.1V〜0.4V 0.75V〜2.48V
TCR2EF11,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF11，LM（ct 0.3300
RFQ
 ECAD 9941 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR2EF11 5.5V 固定的 SMV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.1V - 1 0.67V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TCR3UM09A,LF(SE Toshiba Semiconductor and Storage tcr3um09a，lf（Se 0.4700
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 580 NA 当前限制，启用 积极的 300mA 0.9V - 1 1.157V @ 300mA - 在电流上超过温度
TC74VHCT574AFT(ELM Toshiba Semiconductor and Storage TC74VHCT574AFT（榆树 -
RFQ
 ECAD 2227 0.00000000 东芝半导体和存储 TC74VHCT 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 20-tssop （0.173“，4.40mm宽度） D 74VHCT574 三态，无向世 4.5V〜5.5V 20-tssop 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 1 8 8mA，8mA 标准 130 MHz 正优势 10.4NS @ 5V，50pf 4 µA 4 pf
TB67H301FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H301FTG，El 1.6700
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 24-WFQFN暴露垫 TB67H301 Bicdmos 3v〜5.5V 24-wqfn （4x4） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 2（2） 1a 4.5V〜38V - DC -
TCR2LN10,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN10，LF 0.3600
RFQ
 ECAD 70 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2LN10 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 1V - 1 1.38V @ 150mA - 超过电流
TC75S55FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TC75S55FU（TE85L，F） 0.4600
RFQ
 ECAD 8650 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 TC75S55 10µA - 1 5-SSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.33.0001 3,000 0.7V/µs 700 µA 通用目的 1 PA 2 mV 1.8 v 7 V
TB9057FG Toshiba Semiconductor and Storage TB9057FG 11.0300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q100 托盘 积极的 -40°C〜125°C 汽车 表面安装 48-LQFP TB9057 Bi-Cmos 5v〜21v 48-LQFP （7x7） 下载 Rohs符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 250 司机 PWM 驱动器 - - 双极 DC -
TCK22951G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK22951G，LF 0.5100
RFQ
 ECAD 8256 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 6-ufbga，WLCSP 负载排放 TCK22951 不转变 P通道 1：1 6-WCSPE（0.80x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 不需要 打开/关 1 （），温度，反向电流 高侧 31mohm 1.1V〜5.5V 通用目的 740mA
TB62215AFTG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62215AFTG，C8，El 1.6274
RFQ
 ECAD 4759 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-VFQFN暴露垫 TB62215 动力mosfet 4.75V〜5.25V 48-qfn （7x7） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 3a 10v〜38V 双极 - 1、1/2、1/4
7UL1T86FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage 7ul1t86fu，lf 0.4100
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 - 7ul1t86 1 2.3v〜3.6V USV - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 （XOR）） 8mA，8mA 1 µA 2 4.4NS @ 3.3V，15pf 0.1V〜0.4V 2v〜2.48V
TCR3UG33A,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3UG33A，LF 0.4700
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 东芝半导体和存储 tcr3ug 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-XFBGA，WLCSP TCR3UG33 5.5V 固定的 4-WCSP-F（0.65x0.65） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 680 NA 使能够 积极的 300mA 3.3V - 1 0.273V @ 300mA 70dB（1KHz） 电流电流，超过电流的热关机
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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