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（IC）（2120）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 类型 特征 基本产品编号 输入类型 频率 技术 电压 -输入（最大） 输出类型 比率-输入：输出 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 逻辑类型 元素数量 每个元素的位数 电流 -输出高，低，低 功能 电压 -电源，单/双（±） 电压 -输入偏移（最大） 电流 -输入偏差（最大） 电流 -输出（典型） 电流 -静止（最大） CMRR，PSRR（类型） （（（） 滞后 电流 -输出 /通道 i/o的数量 核心处理器 核心大小 速度 连接性 外围设备 程序内存大小 程序内存类型 EEPROM大小 ram大小 电压 -电源（ -vcc/vdd） 数据转换器 振荡器类型 界面 输出数量 当前-iq（iq） 电流 -供应（最大） 内部开关 拓扑 故障保护 控制功能 电压 -电源（最大） 输出配置 电流 -输出 RDS（类型） 电压 -负载 电机类型 -步进 电机类型-AC，DC 步骤分辨率 昏暗 电压 -电源（最小） 电压 -输出 开关类型 电流 -输出（最大） 电压 -输出（最小/固定） 电压 -输出（最大） 监管机构数量 （（（） PSRR 保护功能
TCR8BM30A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM30A，L3F 0.4600
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR8BM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xdfn暴露垫 5.5V 固定的 5-DFNB（1.2x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 36 µA 当前限制，启用 积极的 800mA 3V - 1 0.285V @ 800mA - 在电流，温度下，电压锁定（ uvlo）
TMPM3HPF10BFG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM3HPF10BFG 8.5600
RFQ
 ECAD 3815 0.00000000 东芝半导体和存储 TXZ+ 托盘 积极的 -40°C〜105°C 表面安装 128-LQFP 128-LQFP（14x14） - rohs3符合条件 3（168）） 264-TMPM3HPF10BFG 180 118 ARM®Cortex®-M3 32位 120MHz i²c，spi，uart/usart DMA，LVD，电动机控制PWM，POR，WDT 1MB （1m x 8） 闪光 32K x 8 128K x 8 2.7V〜5.5V A/D 19x12b SAR; D/A 2x8b 外部，内部
TCR3DF28,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DF28，LM（ct 0.0927
RFQ
 ECAD 8485 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR3DF28 5.5V 固定的 SMV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 65 µA 78 µA 使能够 积极的 300mA 2.8V - 1 0.27V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TBD62064AFAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62064AFAG，El 1.2300
RFQ
 ECAD 3705 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 24-sop （0.236英寸，6.00mm宽度） - TBD62064 反转 n通道 1：1 24 SSOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 不需要 打开/关 4 - 低侧 430MOHM （50V）） 通用目的 1.25a
TB6641FG,8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6641FG，8，El 2.7700
RFQ
 ECAD 1586年 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 16-bsop （0.252英寸，6.40mm +） + 2热标签 TB6641 动力mosfet 10V〜45V 16-HSOP 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 1,500 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行，PWM 2（2） 1.5a 10V〜45V - DC -
TAR5S18U(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S18U（TE85L，F） 0.4700
RFQ
 ECAD 388 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 6-SMD（5条线），平坦的铅 TAR5S18 15V 固定的 UFV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 850 µA 使能够 积极的 200mA 1.8V - 1 - 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TBD62308APG,HZ Toshiba Semiconductor and Storage TBD62308APG，Hz 1.3900
RFQ
 ECAD 3839 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜85°C（TA） 通过洞 16 浸（0.300英寸，7.62mm） - TBD62308 反转 n通道 1：1 16二滴 下载 Rohs符合条件 不适用 Ear99 8542.39.0001 25 4.5V〜5.5V 打开/关 4 - 低侧 370MOHM （50V）） 通用目的 1.5a
TB6596FLG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB6596FLG，El -
RFQ
 ECAD 2505 0.00000000 东芝半导体和存储 - （CT） 过时的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 36-VFQFN暴露垫 TB6596 动力mosfet 3v〜5.5V 36-QON （6x6） 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 系列 （12） 600mA 2.2v〜5.5V 双极 DC 1〜1/64
TCR8BM12A,L3F Toshiba Semiconductor and Storage TCR8BM12A，L3F 0.4900
RFQ
 ECAD 2328 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR8BM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xdfn暴露垫 TCR8BM12 5.5V 固定的 5-DFNB（1.2x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 36 µA 当前限制，启用 积极的 800mA 1.2V - 1 0.26V @ 800mA 98dB （1KHz） 在电流，温度下，电压锁定（ uvlo）
TCR2LE19,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE19，LM（ct 0.4000
RFQ
 ECAD 9367 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SOT-553 TCR2LE19 5.5V 固定的 ESV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 1.9V - 1 0.62V @ 150mA - 超过电流
TCR2LN13,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN13，LF -
RFQ
 ECAD 2410 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2LN13 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 1.3V - 1 1.11V @ 150mA - 超过电流
TCR2EE185,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EE185，LM（ct 0.3500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-553 TCR2EE185 5.5V 固定的 ESV 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.85V - 1 0.31V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TB67H451FNG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67H451FNG，El 1.5300
RFQ
 ECAD 48 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） TB67H451 - 2v〜5.5V 8-hsop 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,500 司机 - 半桥 3.5a 4.5V〜44V - DC -
TCR1HF33B,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR1HF33B，LM（ct 0.4800
RFQ
 ECAD 1489 0.00000000 东芝半导体和存储 * 胶带和卷轴（（tr） 积极的 - 3,000
TA58L09S,LS2PAIQ(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58L09S，LS2PAIQ（j -
RFQ
 ECAD 1483 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58L09 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 50 mA - 积极的 250mA 9V - 1 0.4V @ 200mA - 在电流上超过温度
TAR5S25U(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TAR5S25U（TE85L，F） 0.5000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 6-SMD（5条线），平坦的铅 15V 固定的 UFV 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 850 µA 使能够 积极的 200mA 2.5V - 1 0.2V @ 50mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TBD62781AFWG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62781AFWG，El 1.5600
RFQ
 ECAD 468 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 18-SOIC（0.295（7.50mm） - TBD62781 不转变 P通道 1：1 18 SOP 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 1,000 不需要 打开/关 8 - 高侧 1.6OHM （50V）） 通用目的 400mA
TA78DS05BP(FJTN,AF Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS05BP（fjtn，AF -
RFQ
 ECAD 5680 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78DS 33V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 1 MA - 积极的 30mA 5V - 1 0.3V @ 10mA - 在电流上超过温度，超过电压，瞬态电压
TA58L12S,ASHIQ(J Toshiba Semiconductor and Storage TA58L12S，Ashiq（j -
RFQ
 ECAD 2048 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜105°C 通过洞 TO-220-3完整包 TA58L12 29V 固定的 TO-220NIS 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1.2 ma 50 mA - 积极的 250mA 12V - 1 0.4V @ 200mA - 在电流上超过温度
74HC126D Toshiba Semiconductor and Storage 74HC126D 0.4500
RFQ
 ECAD 6168 0.00000000 东芝半导体和存储 74HC 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 表面安装 14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm） 74HC126 - 三州 2v〜6V 14分 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,500 缓冲，无变形 4 1 7.8mA，7.8mA
TBD62083AFWG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TBD62083AFWG，El 1.1900
RFQ
 ECAD 5405 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 18-SOIC（0.295（7.50mm） - TBD62083 反转 n通道 1：1 18 SOP 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1,000 不需要 打开/关 8 - 低侧 - （50V）） 通用目的 500mA
TB67S521FTAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S521FTAG，El 2.8700
RFQ
 ECAD 3656 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 36-WFQFN暴露垫 TB67S521 DMO 2v〜5.5V 36-WQFN （6x6） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM 2（2） 2.8a 10v〜34V 双极 DC 1、1/2、1/4
TMPM369FDFG Toshiba Semiconductor and Storage TMPM369FDFG 12.0000
RFQ
 ECAD 9281 0.00000000 东芝半导体和存储 TX03 托盘 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 144-FQFP TMPM369 144-LQFP（20x20） 下载 Rohs符合条件 3（168）） 3A991A2 8542.31.0001 200 102 ARM®Cortex®-M3 32位单核 80MHz CANBUS，EBI/EMI，以太网 DMA，POR，WDT 512KB （512K x 8） 闪光 - 128K x 8 2.7V〜3.6V A/D 16x12b; D/A 2x10b 内部的
TB62215AFNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62215AFNG，C8，El 3.6500
RFQ
 ECAD 4786 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-TFSOP （0.240英寸，6.10mm宽） TB62215 动力mosfet 4.75V〜5.25V 48-htssop 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 3a 10v〜38V 双极 - 1、1/2、1/4
TA78L005AP,WNLF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78L005AP，WNLF（j -
RFQ
 ECAD 8329 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -30°C 〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78L005 35V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 6 ma - 积极的 150mA 5V - 1 1.7V @ 40mA ty（typ） 49dB（120Hz） -
TB67S269FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S269FTG，El 2.8900
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-WFQFN暴露垫 TB67S269 动力mosfet 4.75V〜5.25V 48-WQFN（7x7） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 平行线 （4） 2a 10v〜47V 双极 - 1〜1/32
TC75S57FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage TC75S57FU（TE85L，F） 0.4200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 通用目的 TC75S57 推扣 5-SSOP 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 1 1.8V〜7V，±0.9V〜3.5V 7MV @ 5V 1Pa 25mA 220µA - 140ns -
TCR2DG12,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG12，LF 0.5000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-ufbga，WLCSP TCR2DG12 5.5V 固定的 4-WCSP（0.79x0.79） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 70 µA - 积极的 200mA 1.2V - 1 0.8V @ 100mA 85DB〜50DB （1KHz〜100KHz） 电流电流，超过电流的热关机
TC62D722CFG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TC62D722CFG，El -
RFQ
 ECAD 8068 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C（TA） - 表面安装 24-sop （0.236英寸，6.00mm宽度） 线性 TC62D722 - 24 SSOP 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 90mA 16 是的 换档 5.5V - 3V 17V
TMP87P808MG(KYZ) Toshiba Semiconductor and Storage TMP87P808MG（KYZ） -
RFQ
 ECAD 8889 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -30°C〜70°C（TA） 表面安装 28-SOIC （0.345“，8.77mm宽度） TMP87 28 SOP 下载 3（168）） Ear99 8542.31.0001 100 20 870 8位 8MHz - - 8KB （8K x 8） OTP - 256 x 8 2.7V〜5.5V A/D 6x8b 外部的
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

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    全球制造商

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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