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（IC）（2120）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 申请 安装类型 包装 /案例 类型 特征 基本产品编号 输入类型 技术 电流 -供应 电压 -输入 电压 -输入（最大） 输出类型 温度系数 电路数 比率-输入：输出 电压 -电源 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 逻辑类型 元素数量 每个元素的位数 电流 -输出高，低，低 功能 电流 -静止（最大） -3dB带宽 输入数量 参考类型 i/o的数量 核心处理器 核心大小 速度 连接性 外围设备 程序内存大小 程序内存类型 EEPROM大小 ram大小 电压 -电源（ -vcc/vdd） 数据转换器 振荡器类型 开关电路 多路复用器/弹能电路 （（（） （Δron）） 电压 -电源，单个（，v+） 电压 -电源，双（ v±） （（toff）（toff））（toff）） 电荷注入 （cs（），（cd（）（cd）） （（（（ 相声 协议 驱动程序/接收器的数量 双工 数据速率 界面 时钟频率 输出数量 电压源 触发类型 最大传播延迟 @ v，max cl 当前-iq（iq） 电流 -供应（最大） 输入电容 输入逻辑级别 -低 输入逻辑级别 -高 电路 独立电路 t -t -传播 故障保护 控制功能 输出配置 电流 -输出 RDS（类型） 电压 -负载 电机类型 -步进 电机类型-AC，DC 步骤分辨率 开关类型 电流 -输出（最大） 电压 -输出（最小/固定） 噪声-0.1Hz至10Hz 噪声-10Hz至10KHz 电压 -输出（最大） 监管机构数量 （（（） PSRR 保护功能
TC7W02F(TE12L) Toshiba Semiconductor and Storage TC7W02F（TE12L） -
RFQ
 ECAD 1695年 0.00000000 东芝半导体和存储 7W Digi-Reel® 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 8- 材（ 0.122英寸，3.10mm） - 7W02 2 2v〜6V 8-sop 下载 Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1,000 也不是门 5.2mA，5.2mA 1 µA 2 13ns @ 6v，50pf 0.5V〜1.8V 1.5V〜4.2V
TB67S508FTG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S508FTG，El 3.1400
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 36-VFQFN暴露垫 TB67S508 DMO 2v〜5.5V 36-VQFN（5x5） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 4,000 司机 PWM 前驾驶员 -半桥（ -2） 3a 10v〜35V 双极 DC 1、1/2、1/4
TCR2DG12,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG12，LF 0.5000
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-ufbga，WLCSP TCR2DG12 5.5V 固定的 4-WCSP（0.79x0.79） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 70 µA - 积极的 200mA 1.2V - 1 0.8V @ 100mA 85DB〜50DB （1KHz〜100KHz） 电流电流，超过电流的热关机
TLP7830(D4KWJTLE Toshiba Semiconductor and Storage TLP7830（d4kwjtle -
RFQ
 ECAD 9915 0.00000000 东芝半导体和存储 * 管子 过时的 TLP7830 - （1 （无限） 264-TLP7830（d4kwjtle 过时的 50
TA78DS05CP(MBS1,FM Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS05CP （MBS1，FM -
RFQ
 ECAD 4472 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78DS 33V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 1 MA - 积极的 30mA 5V - 1 0.3V @ 10mA - 在电流上超过温度，超过电压，瞬态电压
TCR3DM105,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR3DM105，LF 0.4500
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 ECAD 8 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR3DM 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-udfn裸露的垫子 TCR3DM105 5.5V 固定的 4-DFN（1x1） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 65 µA 78 µA 使能够 积极的 300mA 1.05V - 1 0.75V @ 300mA 70dB（1KHz） 在电流上超过温度
TD62064AFG,S Toshiba Semiconductor and Storage TD62064AFG，s -
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 ECAD 4049 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 16-bsop （0.252英寸，6.40mm +） + 2热标签 司机 TD62064 5V 16-HSOP 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 40 RS232 4/0 - -
TB62216FNG,C8,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB62216FNG，C8，El 2.8000
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 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜150°C（TJ） 通用目的 表面安装 48-TFSOP （0.240英寸，6.10mm宽） TB62216 动力mosfet 4.75V〜5.25V 48-htssop 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8542.39.0001 1,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM （4） 2a 10v〜38V - DC -
TA76432S(F,M) Toshiba Semiconductor and Storage TA76432S（f，m） -
RFQ
 ECAD 7801 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 - -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA76432 - - - - LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 - - - -
TMPM4G6FEFG(DBB) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM4G6FEFG（DBB） -
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 ECAD 2379 0.00000000 东芝半导体和存储 TX04 托盘 过时的 -40°C〜70°C（TA） 表面安装 100-LQFP TMPM4G6 100-LQFP（14x14） 下载 Rohs符合条件 3（168）） 3A991A2 8542.31.0001 90 86 ARM®Cortex®-M4F 32位单核 160MHz CEC，EBI/EMI，I²C，IRDA，SIO，SPI，SMIF，UART/USART DMA，LVD，POR，WDT 768KB （768K x 8） 闪光 32K x 8 128K x 8 2.7V〜3.6V A/D 16x12b; D/A 2x8b 内部的
TC7WH125FK Toshiba Semiconductor and Storage TC7WH125FK 0.1501
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 ECAD 1494 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7WH 胶带和卷轴（（tr） 不适合新设计 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 8-VFSOP （0.091英寸，2.30mm） TC7WH125 - 三州 2v〜5.5V 8-SSOP 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 缓冲，无变形 2 1 8mA，8mA
74HC237D Toshiba Semiconductor and Storage 74HC237D 0.4000
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 ECAD 9120 0.00000000 东芝半导体和存储 74HC 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C 表面安装 16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm） 解码器/解密器 74HC237 2v〜6V 16-Soic 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8542.39.0001 2,500 5.2mA，5.2mA 单供应 1 x 3：8 1
TA48033BF(T6L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage TA48033BF （T6L1，NQ） -
RFQ
 ECAD 2334 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜150°C 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TA48033 16V 固定的 PW-MOLD - Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 1.7 ma 20 ma - 积极的 1a 3.3V - 1 0.69V @ 1a （典型） 62dB （120Hz） 在电流上超过温度
TCR2EF15,LM(CT Toshiba Semiconductor and Storage TCR2EF15，LM（ct 0.3300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2EF 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 SC-74A，SOT-753 TCR2EF15 5.5V 固定的 SMV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 60 µA 使能够 积极的 200mA 1.5V - 1 0.39V @ 150mA 73dB （1KHz） 超过电流
TC74LCX574FTELM Toshiba Semiconductor and Storage TC74LCX574FTELM -
RFQ
 ECAD 7529 0.00000000 东芝半导体和存储 74lcx 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 20-tssop （0.173“，4.40mm宽度） D 74LCX574 三态，无向世 1.65V〜3.6V 20-tssop - （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 1 8 24mA，24mA 标准 150 MHz 正优势 8.5ns @ 3.3V，50pf 10 µA 7 pf
TA78DS05BP,T6NHF(J Toshiba Semiconductor and Storage TA78DS05BP，T6NHF（j -
RFQ
 ECAD 6489 0.00000000 东芝半导体和存储 - 大部分 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 TO-226-3，TO-92-3 TA78DS 33V 固定的 LSTM 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 1 1 MA 1 MA - 积极的 30mA 5V - 1 0.3V @ 10mA - 在电流上超过温度，超过电压，瞬态电压
TC74LCX574FT(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TC74LCX574FT（EL） -
RFQ
 ECAD 8574 0.00000000 东芝半导体和存储 74lcx Digi-Reel® 过时的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 20-tssop （0.173“，4.40mm宽度） D 74LCX574 三态，无向世 1.65V〜3.6V 20-tssop - Rohs不合规 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 1 8 24mA，24mA 标准 150 MHz 正优势 8.5ns @ 3.3V，50pf 10 µA 7 pf
TCR2DG28,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG28，LF 0.5000
RFQ
 ECAD 9976 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-ufbga，WLCSP TCR2DG28 5.5V 固定的 4-WCSP（0.79x0.79） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 70 µA - 积极的 200mA 2.8V - 1 0.12V @ 100mA - 电流电流，超过电流的热关机
TC7MPB9307FT(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TC7MPB9307FT（EL） 0.4400
RFQ
 ECAD 342 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7MP 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 20-tssop （0.173“，4.40mm宽度） 巴士开关 TC7MPB9307 1.65V〜5V，2.3V〜5.5V 20-tssop 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 2,000 - 双供应 8 x 1：1 1
TCR2LN33,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LN33，LF 0.3500
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LN 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 4-xfdfn暴露垫 TCR2LN33 5.5V 固定的 4-SDFN（0.8x0.8） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 3.3V - 1 0.28V @ 150mA - 超过电流
TC74HC4051APF Toshiba Semiconductor and Storage TC74HC4051APF 0.7100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 -40°C〜85°C（TA） 通过洞 16 浸（0.300英寸，7.62mm） TC74HC4051 1 16二滴 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 25 85MHz - 8：1 100ohm 5欧姆 2v〜6V ±2V〜6V 18NS，29NS（29ns） - 2pf，70pf 100NA -50dB @ 1MHz
TMPM361F10FG(C,J) Toshiba Semiconductor and Storage TMPM361F10FG（c，J） 8.2236
RFQ
 ECAD 4325 0.00000000 东芝半导体和存储 TX03 托盘 积极的 -20°C〜85°C（TA） 表面安装 100-LQFP TMPM361 100-LQFP（14x14） 下载 Rohs符合条件 3（168）） TMPM361F10FG（CJ） 3A991A2 8542.31.0001 200 68 ARM®Cortex®-M3 32位单核 64MHz i²c，sio，uart/usart DMA，PWM，WDT 1MB （1m x 8） 闪光 - 64k x 8 2.7V〜3.6V A/D 8x10b 内部的
TCK1024G,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCK1024G，LF 0.5600
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C（TA） 表面安装 6-ufbga，WLCSP 负载排放 TCK1024 不转变 P通道 1：1 6-WCSPE（0.80x1.2） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 - 打开/关 1 （），温度，反向电流 高侧 31mohm 1.4V〜5.5V 通用目的 1.54a
TCR15AG33,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR15AG33，LF 0.6400
RFQ
 ECAD 3004 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR15AG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 6-XFBGA，WLCSP TCR15AG33 6V 固定的 6-WCSP（1.2x0.80） 下载 Rohs符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 5,000 40 µA 使能够 积极的 1.5a 3.3V - 1 0.648V @ 1.5A 95DB〜60DB（1KHz） 当前限制，热关闭，uvlo
TB9054FTG(EL) Toshiba Semiconductor and Storage TB9054FTG（EL） 4.3700
RFQ
 ECAD 75 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜125°C（TA） 汽车 表面安装 40-VFQFN暴露垫 TB9054 DMO 4.5V〜28V 40-qfn （6x6） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM，SPI （4） 6a 4.5V〜28V 双极 DC -
TCR2LE31,LM Toshiba Semiconductor and Storage TCR2LE31，LM 0.4100
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2LE 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C 〜85°C（TJ） 表面安装 SOT-553 TCR2LE31 5.5V 固定的 ESV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 4,000 2 µA 使能够 积极的 200mA 3.1V - 1 0.3V @ 150mA - 超过电流
TB67S521FTAG,EL Toshiba Semiconductor and Storage TB67S521FTAG，El 2.8700
RFQ
 ECAD 3656 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -20°C〜85°C（TA） 通用目的 表面安装 36-WFQFN暴露垫 TB67S521 DMO 2v〜5.5V 36-WQFN （6x6） 下载 rohs3符合条件 Ear99 8542.39.0001 4,000 驾驶员 -完全集成，控制和权力阶段，控制和权力阶段 PWM 2（2） 2.8a 10v〜34V 双极 DC 1、1/2、1/4
TCR2DG15,LF Toshiba Semiconductor and Storage TCR2DG15，LF 0.1394
RFQ
 ECAD 8750 0.00000000 东芝半导体和存储 TCR2DG 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -40°C〜85°C 表面安装 4-ufbga，WLCSP TCR2DG15 5.5V 固定的 4-WCSP（0.79x0.79） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 3,000 70 µA - 积极的 200mA 1.5V - 1 0.5V @ 100mA - 电流电流，超过电流的热关机
TC7SH86FSTPL3 Toshiba Semiconductor and Storage TC7SH86FSTPL3 -
RFQ
 ECAD 9786 0.00000000 东芝半导体和存储 TC7SH 胶带和卷轴（（tr） 过时的 -40°C〜85°C 表面安装 SOT-953 - 7SH86 1 2v〜5.5V FSV - （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 10,000 （XOR）） 8mA，8mA 2 µA 2 8.8NS @ 5V，50pf 0.5V 1.5V
TC74AC373P(F) Toshiba Semiconductor and Storage TC74AC373P（f） -
RFQ
 ECAD 2207 0.00000000 东芝半导体和存储 TC74AC 管子 过时的 -40°C〜85°C 通过洞 20 DIP（0.300英寸，7.62mm） 74AC373 三州 2v〜5.5V 20浸 下载 （1 （无限） Ear99 8542.39.0001 20 D 75mA，75mA 8：8 1 5.8ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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