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（ICS））（40280）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	输入	输出	频率 -最大	电压 -电源	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	i/o的数量	核心处理器	核心大小	速度	连接性	外围设备	程序内存大小	程序内存类型	EEPROM大小	ram大小	电压 -电源（ -vcc/vdd）	数据转换器	振荡器类型	时钟频率	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
S29GL128S11DHBV10	5.7400	RFQ	7528	Infineon技术	GL-S	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	64-LBGA		S29GL128	闪光灯 -也不				2.7V〜3.6V	64-FBGA（9x9）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B1A	8542.32.0071	520															非易失性	128mbit	110 ns	闪光	8m x 16	平行线	60ns
S25FL256LDPBHB023	6.3525	RFQ	2470	Infineon技术	fl-l	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	24-TBGA		S25FL256	闪光灯 -也不				2.7V〜3.6V	24-bga（8x6）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B1A	8542.32.0071	2,500														66 MHz	非易失性	256Mbit		闪光	32m x 8	Spi -Quad I/O。	-
CY22388ZXC-26T	2.8400	RFQ	2	Infineon技术	-	大部分	过时的					CY22388							下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.39.0001	2,500
CY62148BNLL-70SXI	4.7300	RFQ	1107	Infineon技术	-	管子	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	32-SOIC （0.445“，11.30mm宽度）		CY62148	SRAM				4.5V〜5.5V	32-Soic	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	25															易挥发的	4Mbit	70 ns	SRAM	512k x 8	平行线	70NS
CY7C144E-15JXI	-	RFQ	2131	Infineon技术	-	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	68-LCC（j-lead）		CY7C144	sram-双端口，异步				4.5V〜5.5V	68-PLCC （24.23x24.23）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.32.0041	36															易挥发的	64kbit	15 ns	SRAM	8k x 8	平行线	15ns
CY7C131E-55NXI	8.1100	RFQ	2759	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	52-BQFP		CY7C131	sram-双端口，异步				4.5V〜5.5V	52-PQFP（10x10）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.32.0041	96															易挥发的	8kbit	55 ns	SRAM	1k x 8	平行线	55ns
CY95F108AHSPMC1-G-SNE1	-	RFQ	3244	Infineon技术	-	托盘	过时的					CY95F108							-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	过时的		1,600
CY95F118BSPMT-G-SPE1	-	RFQ	8191	Infineon技术	F²MC-8FX MB95110B	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-LQFP		CY95F118						48-LQFP （7x7）	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	过时的		250	39	F²MC-8FX	8位	16MHz	I²C，Linbus，Sio，UART/USART	LVD，POR，PWM，WDT	60kb（60k x 8）	闪光	-	2k x 8	1.8v〜3.6V	A/D 8x8/10b	外部的
CY241V8ASXC-13	1.3400	RFQ	5	Infineon技术	*	管子	积极的		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	时钟生成器	CY241V		-	-	74MHz	3.135V〜3.465V	8-SOIC	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.39.0001	485
CG8197AA	-	RFQ	9423	Infineon技术	-	托盘	过时的												-		3（168））	到达不受影响	过时的		192
C08-0585-0001-0	-	RFQ	9152	Infineon技术	*	托盘	过时的												-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	过时的		1
CY96345RSAPMC-GS-111E1	-	RFQ	2799	Infineon技术	*	托盘	过时的					CY96345							-			到达不受影响	过时的		180
S99WS128P0013	15.2250	RFQ	6387	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的					S99WS128							-			到达不受影响			1,500
CG8416AAT	-	RFQ	1933年	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的												-			到达不受影响	过时的		1,000
CY90922NCSPMC-GS-268E1	-	RFQ	1514年	Infineon技术	*	托盘	过时的					CY90922							-			到达不受影响	过时的		168
CS7338AAT	-	RFQ	5564	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的												-			到达不受影响	过时的		2,000
CS7338AA	-	RFQ	5484	Infineon技术	-	托盘	过时的												-			到达不受影响	过时的		480
CY96F683ABPMC-GS-108UKE1	-	RFQ	7722	Infineon技术	F²MC-16FX CY96680	托盘	过时的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	80-LQFP		CY96F683						80-LQFP（12x12）	-		3（168））	到达不受影响	过时的		119	65	F²MC-16FX	16位	32MHz	I²C，Linbus，Sci，UART/USART	DMA，LCD，LVD，POR，PWM，WDT	96KB（96k x 8）	闪光	-	4K x 8	2.7V〜5.5V	A/D 14x8/10b SAR	内部的
40060108	-	RFQ	1751年	Infineon技术	-	托盘	过时的												-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	过时的		1
S70GL0AGS00FHCR00	-	RFQ	7202	Infineon技术	*	托盘	过时的												-		3（168））	到达不受影响	过时的		180
CY2291SXL-329T	3.2000	RFQ	1	Infineon技术	*	大部分	积极的		表面安装	20-SOIC （0.295英寸，7.50mm宽度）	PLL时钟生成器	CY2291		-	-	80MHz	3v〜3.6V	20-SOIC	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.39.0001	1,000
CY7C09269V-12AC	18.2000	RFQ	158	Infineon技术	-	包	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	100-LQFP		CY7C09269	sram-双端口，同步				3v〜3.6V	100-TQFP（14x14）	下载	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.32.0041	90														50 MHz	易挥发的	256kbit	12 ns	SRAM	16k x 16	平行线	-
FM1608B-PG	7.1800	RFQ	4293	Infineon技术	F-RAM™	管子	过时的	-40°C〜85°C（TA）	通过洞	28- 浸（0.600英寸，15.24毫米）		FM1608B	fram （铁电 ram）				4.5V〜5.5V	28点	下载	rohs3符合条件	2（1年）	到达不受影响	Ear99	8542.32.0071	280															非易失性	64kbit		框架	8k x 8	平行线	130ns
CY7C1354S-200BGC	11.5400	RFQ	1	Infineon技术	-	包	过时的	0°C〜70°C（TA）	表面安装	119-BGA		CY7C1354	sram-同步，sdr				3.135v〜3.6V	119-PBGA（14x22）	-	Rohs不合规	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0041	84														200 MHz	易挥发的	9Mbit	3.2 ns	SRAM	256K x 36	平行线	-
S27KL0642DPBHI020	5.2900	RFQ	313	Infineon技术	HyperRAM™KL	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	24-vbga		S27KL0642	PSRAM （伪 SRAM）				2.7V〜3.6V	24-fbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0002	338														166 MHz	易挥发的	64mbit	36 NS	PSRAM	8m x 8	超肥	36ns
S27KL0643GABHB020	5.6700	RFQ	5831	Infineon技术	HyperRAM™KL	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	24-vbga		S27KL0643	PSRAM （伪 SRAM）				2.7V〜3.6V	24-fbga（6x8）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0002	3,380														200 MHz	易挥发的	64mbit	35 ns	PSRAM	8m x 8	spi -octal I/o	35ns
S27KL0642GABHB020	6.6900	RFQ	3250	Infineon技术	HyperRAM™KL	托盘	积极的	-40°C〜105°C（TA）	表面安装	24-vbga		S27KL0642	PSRAM （伪 SRAM）				2.7V〜3.6V	24-fbga（6x8）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	3A991B2A	8542.32.0002	338														200 MHz	易挥发的	64mbit	35 ns	PSRAM	8m x 8	超肥	35ns
CY2305CSXA-1T	2.3300	RFQ	9	Infineon技术	-	大部分	积极的		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	零延迟缓冲区，风扇（分发，风扇（分发）	CY2305		lvcmos，lvttl	lvcmos	133MHz	3v〜3.6V	8-SOIC	-	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Ear99	8542.39.0001	2,500
CY8C4546AZI-S473	5.6304	RFQ	4488	Infineon技术	PSOC®4CY8C4500	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	48-LQFP		CY8C4546						48-TQFP（7x7）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响			250	38	ARM®Cortex®-M0+	32位单核	48MHz	I²C，Irda，Linbus，Microwire，SmartCard，Spi，SSP，UART/USART	棕色/重置，capsense，lcd，por，pwm，wdt	64KB （64K x 8）	闪光	-	16k x 8	1.71V〜5.5V	A/D 16x10b斜坡，16x12b sar; D/A 2XIDAC	外部的
CY8C4547AZI-S455	5.5825	RFQ	1523年	Infineon技术	PSOC®4CY8C4500	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）	表面安装	64-LQFP		CY8C4547						64-TQFP（10x10）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响			1,600	53	ARM®Cortex®-M0+	32位单核	48MHz	I²C，Irda，Linbus，Microwire，SmartCard，Spi，SSP，UART/USART	棕色/重置，capsense，lcd，por，pwm，wdt	128KB （128K x 8）	闪光	-	32K x 8	1.71V〜5.5V	A/D 16x10b斜坡，16x12b sar; D/A 2XIDAC	外部的

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（ICS））（40280）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²