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（ICS））（40280）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	sic可编程	PLL	输入	输出	电路数	比率-输入：输出	差分-输入：输出	频率 -最大	电压 -电源	供应商设备包	数据表	分隔线/乘数	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	i/o的数量	核心处理器	核心大小	速度	连接性	外围设备	程序内存大小	程序内存类型	EEPROM大小	ram大小	电压 -电源（ -vcc/vdd）	数据转换器	振荡器类型	界面	时钟频率	控制器系列	内存类型	内存大小	访QT	内存格式	内存组织	内存界面	写周期t-单词，页面，页面
CY8C27643-24LTXI	15.0500	RFQ	5963	Infineon技术	PSOC®1CY8C27XXX	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）		表面安装	48-VFQFN暴露垫		CY8C27643											48-qfn （7x7）	下载		rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.31.0001	260	44	M8C	8位	24MHz	i²c，spi，uart/usart	Por，PWM，WDT	16KB（16k x 8）	闪光	-	256 x 8	3v〜5.25V	A/D 4x14b; D/A 4x9b	内部的
CY7C1518KV18-300BZC	-	RFQ	7942	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）		表面安装	165-LBGA		CY7C1518	Sram-同步，DDR II									1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载		Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	136															300 MHz		易挥发的	72Mbit		SRAM	4m x 18	平行线	-
CY7C1512KV18-250BZC	150.1850	RFQ	3898	Infineon技术	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）		表面安装	165-LBGA		CY7C1512	Sram-同步，QDR II									1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载		Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	680															250 MHz		易挥发的	72Mbit		SRAM	4m x 18	平行线	-
CY14B104NA-BA20XI	39.2875	RFQ	8076	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）		表面安装	48-TFBGA		CY14B104	NVSRAM（SRAM）									2.7V〜3.6V	48-fbga（6x10）	下载		rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	598																	非易失性	4Mbit	20 ns	NVSRAM	256K x 16	平行线	20NS
CY14B104LA-ZS25XIT	39.7250	RFQ	1954年	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）		表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）		CY14B104	NVSRAM（SRAM）									2.7V〜3.6V	44-TSOP II	下载		rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000																	非易失性	4Mbit	25 ns	NVSRAM	512k x 8	平行线	25ns
CY8C27643-24LTXIT	10.9025	RFQ	2536	Infineon技术	PSOC®1CY8C27XXX	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）		表面安装	48-VFQFN暴露垫		CY8C27643											48-qfn （7x7）	下载		rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.31.0001	2,000	44	M8C	8位	24MHz	i²c，spi，uart/usart	Por，PWM，WDT	16KB（16k x 8）	闪光	-	256 x 8	3v〜5.25V	A/D 4x14b; D/A 4x9b	内部的
CY7C12501KV18-400BZC	-	RFQ	1284	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）		表面安装	165-LBGA		CY7C12501	sram-同步，DDR II+									1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载		rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	136															400 MHz		易挥发的	36mbit		SRAM	1m x 36	平行线	-
CY14B104LA-ZS20XIT	39.2875	RFQ	6284	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）		表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）		CY14B104	NVSRAM（SRAM）									2.7V〜3.6V	44-TSOP II	下载		rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2B	8542.32.0041	1,000																	非易失性	4Mbit	20 ns	NVSRAM	512k x 8	平行线	20NS
CY8C20066A-24LTXI	20.7900	RFQ	7	Infineon技术	Capsense®控制器	托盘	过时的	-40°C〜85°C	电容感应	表面安装	48-VFQFN暴露垫		CY8C20066		未行业行业经验证								1.71V〜5.5V	48-qfn （7x7）	下载		rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991A2	8542.39.0001	260	36	M8C						闪光灯（（32KB）		2k x 8				I²C，Spi，USB		CY8C20XX6A
CY8C20346A-24LQXI	4.6025	RFQ	8410	Infineon技术	Capsense®控制器	托盘	积极的	-40°C〜85°C	电容感应	表面安装	24-UFQFN暴露垫		CY8C20346		未行业行业经验证								1.71V〜5.5V	24 QFN （4x4）	下载		rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.31.0001	2,450	20	M8C						Flash（（16KB）		2k x 8				i²c，spi		CY8C20XX6A
CY8C20396A-24LQXI	5.5650	RFQ	5117	Infineon技术	Capsense®控制器	托盘	积极的	-40°C〜85°C	电容感应	表面安装	24-UFQFN暴露垫		CY8C20396		未行业行业经验证								1.71V〜5.5V	24 QFN （4x4）	下载		rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.31.0001	2,450	19	M8C						Flash（（16KB）		2k x 8				I²C，Spi，USB		CY8C20XX6A
CY8C20446A-24LQXI	4.8825	RFQ	7712	Infineon技术	Capsense®控制器	托盘	积极的	-40°C〜85°C	电容感应	表面安装	32-UFQFN暴露垫		CY8C20446		未行业行业经验证								1.71V〜5.5V	32-qfn （5x5）	下载		rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.31.0001	2,450	28	M8C						Flash（（16KB）		2k x 8				i²c，spi		CY8C20XX6A
CY8CLED16P01-48LFXI	-	RFQ	4131	Infineon技术	powerpsoc®Cy8ccy	托盘	过时的	-40°C〜85°C	电力线通信	表面安装	48-VFQFN暴露垫		CY8CLED16		未行业行业经验证								4.75V〜5.25V	48-qfn （7x7）	下载		rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.31.0001	260	44	M8C						闪光灯（（32KB）		2k x 8				i²c，irda，spi，uart/usart		cy8cled
CY14B101LA-SP45XIT	29.8550	RFQ	2557	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）		表面安装	48-bessop（0.295英寸，7.50mm宽度）		CY14B101	NVSRAM（SRAM）									2.7V〜3.6V	48-SSOP	下载		rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	1,000																	非易失性	1Mbit	45 ns	NVSRAM	128K x 8	平行线	45ns
CY14B256LA-SZ45XIT	-	RFQ	8482	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）		表面安装	32-SOIC（0.295（7.50mm）		CY14B256	NVSRAM（SRAM）									2.7V〜3.6V	32-Soic	下载		rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.32.0041	1,000																	非易失性	256kbit	45 ns	NVSRAM	32K x 8	平行线	45ns
CY62146EV30LL-45ZSXAT	-	RFQ	6987	Infineon技术	MOBL®	胶带和卷轴（（tr）	在sic中停产	-40°C〜85°C（TA）		表面安装	44-tsop （0.400英寸，10.16毫米宽度）		CY62146	sram-异步									2.2v〜3.6V	44-TSOP II	下载		rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000																	易挥发的	4Mbit	45 ns	SRAM	256K x 16	平行线	45ns
CY2XL11ZXC	-	RFQ	4428	Infineon技术	-	管子	过时的	-5°C〜70°C		表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）	时钟生成器	CY2XL11			是的	水晶	LVD	1	1：1	否/是	100MHz	2.375V〜3.465V	8-tssop	下载	是/否	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	324
CY62177EV30LL-55ZXI	63.4800	RFQ	6836	Infineon技术	MOBL®	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）		表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）		CY62177	sram-异步									2.2v〜3.7V	48-tsop i	下载		rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-CY62177EV30LL-55ZXI	3A991B2A	8542.32.0041	96																	易挥发的	32Mbit	55 ns	SRAM	4m x 8，2m x 16	平行线	55ns
CY8C28513-24AXI	-	RFQ	8853	Infineon技术	PSOC®1CY8C28XXX	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）		表面安装	44-LQFP		CY8C28513											44-TQFP（10x10）	下载		rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8542.31.0001	160	40	M8C	8位	24MHz	i²c，irda，spi，uart/usart	LVD，POR，PWM，WDT	16KB（16k x 8）	闪光	-	1k x 8	3v〜5.25V	A/D 4x14b; D/A 4x9b	内部的
CY62167EV30LL-45ZXAT	15.7675	RFQ	6090	Infineon技术	MOBL®	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-40°C〜85°C（TA）		表面安装	48-tfsop （0.724英寸，18.40mm）		CY62167	sram-异步									2.2v〜3.6V	48-tsop i	下载		rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,000																	易挥发的	16mbit	45 ns	SRAM	2m x 8，1m x 16	平行线	45ns
CY7C1019CV33-10ZXAT	-	RFQ	2470	Infineon技术	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-40°C〜85°C（TA）		表面安装	32-SOIC（0.400英寸，10.16毫米宽）		CY7C1019	sram-异步									3v〜3.6V	32-TSOP II	下载		rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	2832-CY7C1019CV33-10ZXATTR	3A991B2B	8542.32.0041	1,000																	易挥发的	1Mbit	10 ns	SRAM	128K x 8	平行线	10NS
CY62138FV30LL-45ZAXA	-	RFQ	6815	Infineon技术	MOBL®	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）		表面安装	32-tfsop （0.465英寸，11.80mm（（11.80mm））		CY62138	sram-异步									2.2v〜3.6V	32-Stsop	下载		rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	2,340																	易挥发的	2Mbit	45 ns	SRAM	256K x 8	平行线	45ns
CY7C1420JV18-250BZI	-	RFQ	7113	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）		表面安装	165-LBGA		CY7C1420	Sram-同步，DDR II									1.7V〜1.9V	165-fbga（15x17）	下载		Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	105															250 MHz		易挥发的	36mbit		SRAM	1m x 36	平行线	-
CY7C1512KV18-200BZXC	-	RFQ	2277	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）		表面安装	165-LBGA		CY7C1512	Sram-同步，QDR II									1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载		rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-CY7C1512KV18-200BZXC	3A991B2A	8542.32.0041	136															200 MHz		易挥发的	72Mbit		SRAM	4m x 18	平行线	-
CY7C1512KV18-300BZXC	180.1100	RFQ	9911	Infineon技术	-	托盘	积极的	0°C〜70°C（TA）		表面安装	165-LBGA		CY7C1512	Sram-同步，QDR II									1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载		rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	272															300 MHz		易挥发的	72Mbit		SRAM	4m x 18	平行线	-
CY7C1512KV18-333BZI	190.9250	RFQ	6551	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）		表面安装	165-LBGA		CY7C1512	Sram-同步，QDR II									1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载		Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	680															333 MHz		易挥发的	72Mbit		SRAM	4m x 18	平行线	-
CY7C1513KV18-300BZI	-	RFQ	9847	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）		表面安装	165-LBGA		CY7C1513	Sram-同步，QDR II									1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载		Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	136															300 MHz		易挥发的	72Mbit		SRAM	4m x 18	平行线	-
CY7C1513KV18-333BZI	-	RFQ	7369	Infineon技术	-	托盘	过时的	-40°C〜85°C（TA）		表面安装	165-LBGA		CY7C1513	Sram-同步，QDR II									1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载		Rohs不合规	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	136															333 MHz		易挥发的	72Mbit		SRAM	4m x 18	平行线	-
CY7C1514KV18-200BZXC	-	RFQ	1354	Infineon技术	-	托盘	过时的	0°C〜70°C（TA）		表面安装	165-LBGA		CY7C1514	Sram-同步，QDR II									1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载		rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-CY7C1514KV18-200BZXC	3A991B2A	8542.32.0041	136															200 MHz		易挥发的	72Mbit		SRAM	2m x 36	平行线	-
CY7C1514KV18-300BZXI	180.1100	RFQ	7371	Infineon技术	-	托盘	积极的	-40°C〜85°C（TA）		表面安装	165-LBGA		CY7C1514	Sram-同步，QDR II									1.7V〜1.9V	165-FBGA（13x15）	下载		rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		3A991B2A	8542.32.0041	1,360															300 MHz		易挥发的	72Mbit		SRAM	2m x 36	平行线	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

（ICS））（40280）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²